发光器件的制作方法

技术特征：

1.一种发光器件，包括：

氮化镓衬底；以及

设置在所述衬底的一个表面上的发光结构，

其中所述衬底具有设置在其另一个表面上的多个光提取结构，所述衬底的厚度为80μm以上，并且所述多个光提取结构的平均高度为10μm以上。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述衬底具有其中形成所述多个光提取结构的第一区域和位于所述多个光提取结构之间的第二区域。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述第二区域具有平坦表面。

4.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述第一区域的面积为所述衬底的总面积的60％以上。

5.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述第一区域的面积为所述衬底的总面积的90％以上。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述多个光提取结构具有六边形形状。

7.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述多个光提取结构中的每一个的底侧和侧表面具有相同的倾斜角。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述多个光提取构造体的平均高度为30μm以下。

9.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述衬底具有形成在其侧表面上的多个子光提取结构。

10.根据权利要求9所述的发光器件，其中所述衬底具有设置在所述发光结构的侧表面上的阶梯部分，

所述多个子光提取结构中的每一个设置在每个阶梯部分的上表面上。

11.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述衬底包括面向所述发光结构的第一层、具有所述多个光提取结构的第二层以及设置在所述第一层和所述第二层之间的第三层，

其中所述第三层的掺杂浓度最低。

12.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述第一层的掺杂浓度在1×10¹⁸cm^-3至5×10¹⁹cm^-3的范围内。

13.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述第二层的掺杂浓度在1×10¹⁸cm^-3至5×10¹⁹cm^-3的范围内。

14.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述第三层的掺杂浓度为1×10¹⁶cm^-3以下。

15.一种发光器件封装，包括：

发光器件；以及

波长转换层，被构造为转换由所述发光器件发射的光；

其中所述发光器件包括氮化镓衬底；以及设置在所述衬底的一个表面上的发光结构，

其中所述衬底具有设置在其另一个表面上的多个光提取结构，所述衬底的厚度为80μm以上，并且所述多个光提取结构的平均高度为10μm以上。

16.一种显示装置，使用根据权利要求1所述的发光器件作为光源。