半导体结构及其形成方法与流程

技术特征：

技术总结
提供了一种半导体结构及其形成方法。该结构包括设置在衬底上的介电层。该结构包括在介电层中的空腔，以及定位在空腔中并且接合至衬底的多个接触件。部件接合至多个接触件。底部填充物设置在位于介电层和部件之间的空腔中。多个连接件位于介电层上，连接件穿过介电层连接至导体，导体处于与多个接触件相同的金属化水平。

技术研发人员：陈威宇;杨天中;苏安治;陈宪伟
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2017.01.26
技术公布日：2017.10.27