1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上沉积遮光薄膜(15)，采用第一道光罩(11)对所述遮光薄膜(15)进行图形化处理，得到遮光层(20)；
步骤2、在所述遮光层(20)与衬底基板(10)上沉积缓冲层(30)，在所述缓冲层(30)上形成半导体层(35)，采用第二道光罩(12)对所述半导体层(35)进行图形化处理，得到半导体图案(35’)；
步骤3、在所述半导体图案(35’)、及缓冲层(30)上依次沉积栅极绝缘层(60)与栅极导电薄膜(65)，采用第三道光罩(13)对所述栅极绝缘层(60)与栅极导电薄膜(65)进行曝光、显影、及蚀刻处理；
所述栅极导电薄膜(65)经过蚀刻处理后形成与半导体图案(35’)中间区域相对应的栅极(67)，所述栅极(67)的纵剖面呈梯形；
所述栅极绝缘层(60)经过蚀刻处理后形成第一栅极绝缘层(61)与设于所述第一栅极绝缘层(61)上的第二栅极绝缘层(62)，所述第一栅极绝缘层(61)覆盖所述半导体图案(35’)及缓冲层(30)，所述第二栅极绝缘层(62)与所述栅极(67)相对应；
步骤4、对所述栅极(67)进行蚀刻处理，减薄所述栅极(67)的厚度，从而暴露出所述第二栅极绝缘层(62)的两端；
以蚀刻后的栅极(67)与第二栅极绝缘层(62)为掩膜板，对所述半导体图案(35’)进行离子掺杂；
所述半导体图案(35’)的两端没有被栅极(67)与第二栅极绝缘层(62)遮盖，受到离子重掺杂，形成源极(51)与漏极(52)；
所述半导体图案(35’)的中间区域中没有被栅极(67)遮盖但是被第二栅极绝缘层(62)的两端遮盖的部分受到离子轻掺杂，形成离子轻掺杂半导体层(42)，所述半导体图案(35’)的中间区域中同时被栅极(67)与第二栅极绝缘层(62)遮盖的部分未受到离子掺杂，形成沟道区半导体层(41)，从而形成包括所述沟道区半导体层(41)及离子轻掺杂半导体层(42)的有源层(40)；
步骤5、在所述栅极(67)、第一栅极绝缘层(61)、及第二栅极绝缘层(62)上沉积第一钝化层(69)，在所述第一钝化层(69)上沉积平坦层(70)，采用第四道光罩(14)对所述第一栅极绝缘层(61)、第一钝化层(69)与平坦层(70)进行图形化处理，在所述第一栅极绝缘层(61)、第一钝化层(69)与平坦层(70)上形成对应于所述漏极(52)上方的第一过孔(71)；
步骤6、在所述平坦层(70)上沉积第一透明导电膜层(75)，采用第五道光罩(15)对所述第一透明导电膜层(75)进行图形化处理，得到公用电极(80)；
步骤7、在所述公用电极(80)与平坦层(70)上沉积第二钝化层(90)，采用第六道光罩(16)对所述第二钝化层(90)进行图形化处理，在所述第二钝化层(90)上形成对应于所述漏极(52)上方且位于第一过孔(71)内的第二过孔(92)；
步骤8、在所述第二钝化层(90)上沉积第二透明导电膜层(95)，采用第七道光罩(17)对所述第二透明导电膜层(95)进行图形化处理，得到像素电极(91)，所述像素电极(91)经由所述第二过孔(92)与所述漏极(52)相连接。
2.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤2中，在所述缓冲层(30)上形成半导体层(35)的步骤包括：在所述缓冲层(30)上沉积非晶硅层，采用结晶制程将非晶硅层转化为多晶硅层，所述多晶硅层即为半导体层(35)。
3.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤4中，对所述半导体图案(35’)进行N型离子掺杂，所述N型离子为磷离子。
4.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述源极(51)、及漏极(52)中的掺杂离子浓度为1×1014～8×1015ions/cm3，所述离子轻掺杂半导体层(42)中的掺杂离子浓度为5×1012～9×1013ions/cm3。
5.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述衬底基板(10)为玻璃基板；所述遮光层(20)与栅极(67)的材料分别包括钼、铝、铜、钛、钨、及以上金属的合金中的至少一种；所述第一钝化层(69)与第二钝化层(90)分别为氮化硅层或者氮化硅层与氧化硅层的叠层复合层；所述平坦层(70)的材料为透明有机绝缘材料；所述公用电极(80)与像素电极(91)的材料均为氧化铟锡。
6.一种TFT基板，其特征在于，包括从下到上依次层叠设置的衬底基板(10)、遮光层(20)、缓冲层(30)、有源层(40)及源极(51)与漏极(52)、第一栅极绝缘层(61)、第二栅极绝缘层(62)、栅极(67)、第一钝化层(69)、平坦层(70)、公用电极(80)、第二钝化层(90)、以及像素电极(91)；
所述源极(51)与漏极(52)分别位于所述有源层(40)两侧且与其相连接，所述源极(51)与漏极(52)均由对半导体进行离子重掺杂制得，所述有源层(40)包括位于两端且分别与所述源极(51)和漏极(52)相连接的两个离子轻掺杂半导体层(42)、以及位于两个离子轻掺杂半导体层(42)之间的沟道区半导体层(41)；
所述第一栅极绝缘层(61)覆盖所述有源层(40)、源极(51)、漏极(52)、及缓冲层(30)，所述第二栅极绝缘层(62)与所述有源层(40)相对应，所述栅极(67)与所述沟道区半导体层(41)相对应；
所述第一栅极绝缘层(61)、第一钝化层(69)与平坦层(70)上设有对应于所述漏极(52)上方的第一过孔(71)，所述第二钝化层(90)上设有对应于所述漏极(52)上方且位于第一过孔(71)内的第二过孔(92)，所述像素电极(91)经由所述第二过孔(92)与所述漏极(52)相连接。
7.如权利要求6所述的TFT基板，其特征在于，所述源极(51)、漏极(52)、离子轻掺杂半导体层(42)、及沟道区半导体层(41)均由多晶硅层制得。
8.如权利要求6所述的TFT基板，其特征在于，所述源极(51)、漏极(52)、与离子轻掺杂半导体层(42)中掺杂的离子均为N型离子，所述N型离子为磷离子。
9.如权利要求6所述的TFT基板，其特征在于，所述源极(51)、及漏极(52)中的掺杂离子浓度为1×1014～8×1015ions/cm3，所述离子轻掺杂半导体层(42)中的掺杂离子浓度为5×1012～9×1013ions/cm3。
10.如权利要求6所述的TFT基板，其特征在于，所述衬底基板(10)为玻璃基板；所述遮光层(20)与栅极(67)的材料分别包括钼、铝、铜、钛、钨、及以上金属的合金中的至少一种；所述第一钝化层(69)与第二钝化层(90)分别为氮化硅层或者氮化硅层与氧化硅层的叠层复合层；所述平坦层(70)的材料为透明有机绝缘材料；所述公用电极(80)与像素电极(91)的材料均为氧化铟锡。