技术总结
本发明提供一种TFT基板及其制作方法。本发明的TFT基板的制作方法，采用顶栅极结构制作TFT基板，整个制程使用七道光罩完成，与现有技术相比，有效减少光罩的使用数量，简化TFT基板的制作流程，同时有效提升产品良率，提高产能；通过一次离子掺杂工艺同时实现离子重掺杂制程与离子轻掺杂制程，可节约生产成本；通过采用离子重掺杂半导体图案的两端形成源极与漏极，不仅可以减少工艺流程，而且制得的源极与漏极无需经过层间介电层的过孔与有源层两端接触，可有效降低接触电阻，提高产品良率。本发明的TFT基板，采用顶栅极结构，整个TFT基板使用七道光罩即可制作完成，与现有技术相比，光罩的使用数量较少，TFT基板的制作流程简单，且产品良率与产能较高。
技术研发人员：刘元甫
受保护的技术使用者：武汉华星光电技术有限公司
文档号码：201710067453
技术研发日：2017.02.07
技术公布日：2017.06.13