技术特征：
技术总结
本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有第一栅极沟槽，并在所述第一栅极沟槽两侧的半导体衬底中设置有第一源区和第一漏区；在所述第一栅极沟槽的底部和下侧的侧壁上形成N型功函数层；在所述第一栅极沟槽中填充栅电极层，以形成第一金属栅极结构；形成共享接触孔，其中，所述共享接触孔覆盖部分所述第一金属栅极结构的表面以及部分所述第一漏区的表面，或者，所述共享接触孔覆盖部分所述第一金属栅极结构的表面以及部分所述第一源区的表面。本发明的制造方法，使共享接触孔和第一金属栅极结构的接触面积增大，提高了器件的AC性能，并提高了器件的良品率。
技术研发人员：李勇
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2017.02.16
技术公布日：2018.08.24