1.一种快速绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：包括阳极接触区(1)、重掺杂第二导电类型阳极区(2)、第一导电类型阳极缓冲区(3)、第一导电类型漂移区(4)、第二导电类型阴极阱区(5)、重掺杂第一导电类型阴极区(6)、重掺杂第二导电类型阴极区(7)、阴极接触区(8)、栅极介质层(9)、栅极接触区(10)、第二导电类型阳极阱区(11)、重掺杂第一导电类型阳极区(12)、阳极辅助栅介质层(13)和阳极辅助栅接触区(14)；
所述第一导电类型漂移区(4)覆盖于第一导电类型阳极缓冲区(3)之上；
所述第二导电类型阴极阱区(5)覆盖于第一导电类型漂移区(4)之上的部分表面；
所述重掺杂第一导电类型阴极区(6)和重掺杂第二导电类型阴极区(7)覆盖于第二导电类型阴极阱区(5)之上的部分表面；
所述阴极接触区(8)覆盖于重掺杂第二导电类型阴极区(7)之上，所述阴极接触区(8)还覆盖于重掺杂第一导电类型阴极区(6)之上的部分表面；
所述栅极介质层(9)覆盖于第二导电类型阴极阱区(5)之上的部分表面，所述栅极介质层(9)还覆盖于重掺杂第一导电类型阴极区(6)之上的部分表面和第一导电类型漂移区(4)之上的部分表面；
所述栅极接触区(10)覆盖于栅极介质层(9)之上；
所述重掺杂第二导电类型阳极区(2)覆盖于第一导电类型阳极缓冲区(3)之下的部分表面；
所述第二导电类型阳极阱区(11)覆盖于第一导电类型阳极缓冲区(3)之下的部分表面；
所述重掺杂第一导电类型阳极区(12)覆盖于第二导电类型阳极阱区(11)之下的部分表面；
所述阳极辅助栅介质层(13)覆盖于第二导电类型阳极阱区(11)之下的部分表面，所述阳极辅助栅介质层(13)还覆盖于重掺杂第一导电类型阳极区(12)之下的部分表面和第一导电类型阳极缓冲区(3)之下的部分表面；
所述阳极辅助栅接触区(14)覆盖于阳极辅助栅介质层(13)之下；
所述阳极接触区(1)覆盖于阳极辅助栅接触区(14)之下，所述阳极接触区(1)还覆盖于第二导电类型阳极区(2)之下的部分表面和重掺杂第一导电类型阳极区(12)之下的部分表面。
2.一种快速绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：包括阳极接触区(1)、重掺杂第二导电类型阳极区(2)、第一导电类型阳极缓冲区(3)、第一导电类型漂移区(4)、第二导电类型阴极阱区(5)、重掺杂第一导电类型阴极区(6)、重掺杂第二导电类型阴极区(7)、阴极接触区(8)、栅极介质层(9)、栅极接触区(10)、第二导电类型阳极阱区(11)、重掺杂第一导电类型阳极区(12)和阳极辅助栅介质层(13)；
所述第一导电类型漂移区(4)覆盖于第一导电类型阳极缓冲区(3)之上；
所述第二导电类型阴极阱区(5)覆盖于第一导电类型漂移区(4)之上的部分表面；
所述重掺杂第一导电类型阴极区(6)和重掺杂第二导电类型阴极区(7)覆盖于第二导电类型阴极阱区(5)之上的部分表面；
所述阴极接触区(8)覆盖于重掺杂第二导电类型阴极区(7)之上，所述阴极接触区(8)还覆盖于重掺杂第一导电类型阴极区(6)之上的部分表面；
所述栅极介质层(9)覆盖于第二导电类型阴极阱区(5)之上的部分表面，所述栅极介质层(9)还覆盖于重掺杂第一导电类型阴极区(6)之上的部分表面和第一导电类型漂移区(4)之上的部分表面；
所述栅极接触区(10)覆盖于栅极介质层(9)之上；
所述重掺杂第二导电类型阳极区(2)覆盖于第一导电类型阳极缓冲区(3)之下的部分表面；
所述第二导电类型阳极阱区(11)覆盖于第一导电类型阳极缓冲区(3)之下的部分表面；
所述重掺杂第一导电类型阳极区(12)覆盖于第二导电类型阳极阱区(11)之下的部分表面；
所述阳极辅助栅介质层(13)覆盖于第二导电类型阳极阱区(11)之下的部分表面，所述阳极辅助栅介质层(13)还覆盖于重掺杂第一导电类型阳极区(12)之下的部分表面和第一导电类型阳极缓冲区(3)之下的部分表面；
所述阳极接触区(1)覆盖于阳极辅助栅介质层(13)之下，所述阳极接触区(1)还覆盖于第二导电类型阳极区(2)之下的部分表面和重掺杂第一导电类型阳极区(12)之下的部分表面。
3.根据权利要求1或2所述的一种快速绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述重掺杂第二导电类型阳极区(2)和第二导电类型阳极阱区(11)不接触。