半导体装置及其制造方法与流程

关联申请

本申请享有以美国临时专利申请62/319,450号(申请日：2016年4月7日)、美国临时专利申请62/324,686号(申请日：2016年4月19日)及美国临时专利申请62/382,048号(申请日：2016年8月31日)作为基础申请的优先权。本申请通过参照这些基础申请而包含基础申请的全部内容。

本发明的实施方式涉及半导体装置及其制造方法。

背景技术：

已知有具备导电部、绝缘层和金属镀层的半导体装置。

技术实现要素：

本发明的实施方式提供能够提高金属镀层与绝缘层的密合性的半导体装置及其制造方法。

实施方式的半导体装置具备导电部、绝缘层、分子接合层和金属镀层。上述绝缘层具有使上述导电部的至少一部分露出的露出部。上述分子接合层至少设置于上述绝缘层的表面上。上述金属镀层通过上述分子接合层与上述绝缘层的表面接合。上述分子接合层的至少一部分与上述绝缘层中包含的绝缘原材料发生了化学键合。上述分子接合层的至少一部分与上述金属镀层中包含的金属发生了化学键合。上述金属镀层通过上述露出部与上述导电部电连接。

附图说明

图1是表示第1实施方式的电子设备的一个例子的立体图。

图2是表示第1实施方式的半导体封装的截面图。

图3是示意性表示第1实施方式的分子接合层的组成的一个例子的图。

图4a是表示第1实施方式的半导体封装的制造方法的流程的一个例子的截面图。

图4b是表示继图4a之后的半导体封装的制造方法的流程的一个例子的截面图。

图5是表示第1实施方式的变形例的半导体封装的一部分的截面图。

图6是表示第2实施方式的半导体封装的截面图。

图7是将第2实施方式的第3分子接合层的周围放大显示的截面图。

图8a是表示第2实施方式的半导体封装的制造方法的一个工序的截面图。

图8b是表示继图8a之后的半导体封装的制造方法的一个工序的截面图。

图8c是表示继图8b之后的半导体封装的制造方法的一个工序的截面图。

图8d是表示继图8c之后的半导体封装的制造方法的一个工序的截面图。

图8e是表示继图8d之后的半导体封装的制造方法的一个工序的截面图。

图8f是表示继图8e之后的半导体封装的制造方法的一个工序的截面图。

图8g是表示继图8f之后的半导体封装的制造方法的一个工序的截面图。

图8h是表示继图8g之后的半导体封装的制造方法的一个工序的截面图。

图8i是表示继图8h之后的半导体封装的制造方法的一个工序的截面图。

图8j是表示继图8i之后的半导体封装的制造方法的一个工序的截面图。

图9是表示第4实施方式的半导体封装的截面图。

图10a是表示第4实施方式的半导体封装的制造方法的一个工序的截面图。

图10b是表示继图10a之后的半导体封装的制造方法的一个工序的截面图。

图10c表示继图10b之后的半导体封装的制造方法的一个工序的截面图。

图10d是表示继图10c之后的半导体封装的制造方法的一个工序的截面图。

图10e是表示继图10d之后的半导体封装的制造方法的一个工序的截面图。

图10f是表示继图10e之后的半导体封装的制造方法的一个工序截面图。

图10g是表示继图10f之后的半导体封装的制造方法的一个工序截面图。

具体实施方式

以下，参照附图说明实施方式的半导体封装及半导体封装的制造方法。另外在以下的说明中，对具有相同或类似的功能的构成标注相同的符号。并且，有时省略它们的重复的说明。另外，附图为示意性的图，各构成要素的数目、厚度、宽度、比率等有时与现实不同。

(第1实施方式)

首先，参照图1到图4b，对第1实施方式进行说明。

图1是表示第1实施方式的电子设备1的一个例子的立体图。电子设备1中搭载有第1实施方式的半导体封装10。电子设备1为例如可穿戴设备，但并不限定于此。电子设备1为例如与iot(internetofthings：物联网)对应的电子设备，能够通过无线或有线与互联网连接。该情况下，半导体封装10的一个例子具有处理器(例如，centralprocessingunit：中央处理单元)、传感器和无线模块。另外，电子设备1及半导体封装10并不限定于上述例子。电子设备1可以是车载用的电子设备，也可以是其他用途的电子设备。半导体封装10可以是作为车载用部件或功率半导体使用的半导体部件，也可以是其他用途中使用的半导体部件。此外，以下所示的第2到第4实施方式所述的半导体封装10也可以搭载于上述那样的电子设备1中。

图2是表示第1实施方式的半导体封装10的截面图。

本实施方式的半导体封装10为例如fanoutwaferlevelpackage(fowlp：扇出型晶圆级封装)。详细情况会在后面叙述，半导体封装10具有半导体芯片20和大于该半导体芯片20的再布线层50。另外本申请中所谓的“再布线层”为包含与半导体芯片的端子(例如导电衬垫)电连接并且延伸到比半导体芯片更靠外周侧的导线(例如再布线)的层。另外，半导体封装10并不限定于fowlp，也可以是waferlevelchipsizepackage(wlcsp：晶圆级晶片尺寸封装)、或其他种类的半导体封装。半导体封装10为“半导体装置”的一个例子。

如图2中所示的那样，半导体封装10例如具备第1半导体芯片20a、第2半导体芯片20b、第3半导体芯片20c、模制树脂部30、下绝缘层40、第1再布线层50、分子接合层60、上绝缘层70、第2再布线层80、及焊锡连接部90。另外，本申请中将“上”及“下”以半导体封装10的制造工序作为基准。但是，这些“上”及“下”等修饰语是为了说明的方便而标注的，并不限定绝缘层40、70的位置和功能、构成。

第1半导体芯片20a、第2半导体芯片20b、及第3半导体芯片20c为例如以包含硅的半导体作为构成原材料的构件，为例如裸芯片。第1到第3半导体芯片20a、20b、20c各自的一个例子也可以称为“硅芯片”。第1到第3半导体芯片20a、20b、20c为例如以gan或sic等作为材料的hfet(heterojunctionfieldeffecttransistor：异质结场效应晶体管)、或以si作为材料的ldmos(lateraldoublediffusemostransistor：横向双扩散金属氧化物半导体场效应管)等。此外，作为半导体芯片20a、20b、20c的其他例子，可列举出光半导体元件、压电元件、存储元件、微电脑元件、传感器元件、或无线通信用元件等。另外本申请中所谓的“半导体芯片”只要是包含电路的部件即可，并不限定于特定的用途的半导体芯片。

例如，第1半导体芯片20a为处理器(例如centralprocessingunit)。例如，第2半导体芯片20b为检测加速度、斜率、地磁、温度、振动或其他物理量中的至少1种的传感器。例如，第3半导体芯片20c为无线通信模块。第1半导体芯片20a通过控制第2半导体芯片20b及第3半导体芯片20c，将第2半导体芯片20b所检测到的检测结果通过第3半导体芯片20c无线发送至半导体芯片20的外部。另外，第1到第3半导体芯片20a、20b、20c的功能并不限定于上述例子。此外，半导体封装10并不限定于具有多个半导体芯片的半导体封装，只要具有至少1个半导体芯片即可。另外，在以下的说明中，在没有将第1到第3半导体芯片20a、20b、20c特别区别的情况下，称为半导体芯片20。

如图2中所示的那样，半导体芯片20具有多个导电衬垫(连接部、电连接部)21。导电衬垫21为“端子”的一个例子。多个导电衬垫21在半导体芯片20的表面露出。另外，虽然图2中没有图示，但第2及第3半导体芯片20b、20c也与第1半导体芯片20a同样地具有多个导电衬垫21。导电衬垫21通过金属(即金属原材料)21m而形成。金属21m为例如铜、铜合金、铝或铝合金(例如铝-硅系合金等)等，但并不限定于它们。

模制树脂部(即绝缘部)30将第1到第3半导体芯片20a、20b、20c覆盖。模制树脂部30将第1到第3半导体芯片20a、20b、20c一体密封。模制树脂部30具有面向半导体芯片20的第1部分(即第1区域)31和设置于半导体芯片20的外周侧(例如，第1到第3半导体芯片20a、20b、20c的外周侧)的第2部分(即第2区域)32。

下绝缘层40层叠于半导体芯片20及模制树脂部30。下绝缘层40具有第1部分(即第1区域)41和第2部分(即第2区域)42。第1部分41设置于半导体芯片20与第1再布线层50之间。第1部分41在下绝缘层40的厚度方向(即下绝缘层40相对于半导体芯片20的层叠方向)上与半导体芯片20重叠。另一方面，第2部分42设置于模制树脂部30的第2部分32与第1再布线层50之间。第2部分42在下绝缘层40的厚度方向上与模制树脂部30的第2部分32重叠。下绝缘层40通过绝缘原材料40m而形成。绝缘原材料40m为例如丙烯酸树脂、氧杂环丁烷树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂或聚苯并噁唑树脂等，但并不限定于它们。下绝缘层40也可以被称为“基底绝缘层”。但是，该名称并不限定下绝缘层40的位置和功能、构成。

第1再布线层50设置于下绝缘层40的表面上。第1再布线层50设置于下绝缘层40与上绝缘层70之间。第1再布线层50是包含与半导体芯片20的导电衬垫21电连接的多条导线51的层。多条导线51中半导体芯片20的电信号流过。另外本申请中所谓的“半导体芯片的电信号”包含来自半导体芯片20的电信号(例如由半导体芯片20发送的电信号)及向半导体芯片20的电信号(例如半导体芯片20接收的电信号)中的至少一者。导线51为“第1导线(例如第1再布线)”的一个例子。例如，多条导线51遍及下绝缘层40的第1部分41和第2部分42而延伸。

第1再布线层50除了导线51以外，还包含第1导电孔52和导电孔接受部(即导电孔连接部)53。第1导电孔52为例如有底的导电孔。第1导电孔52与至少1条导线51物理连接及电连接。第1导电孔52具有向下绝缘层40中凹陷的凹坑52a。第1导电孔52由导线51向着半导体芯片20延伸(即向着模制树脂部30延伸)，将下绝缘层40贯通。第1导电孔52与半导体芯片20的导电衬垫21物理连接及电连接。由此，导线51介由第1导电孔52与半导体芯片20的导电衬垫21电连接。在第1导电孔52的凹坑52a的内侧，收纳有后述的上绝缘层70的一部分。

导电孔接受部53为在第1再布线层50中后述的第2再布线层80的第2导电孔82所连接的部分。导电孔接受部53在上绝缘层70的厚度方向(即上绝缘层70相对于第1再布线层50的层叠方向)上面向第2导电孔82而与第2导电孔82物理连接及电连接。导电孔接受部53为“导体部”的一个例子。导电孔接受部53与至少1条导线51物理连接及电连接。

若以别的观点来看，则第1再布线层50为相对于半导体芯片20作为半导体芯片20的电信号的导线而设置的层。第1再布线层50通过导电原材料(例如导电性金属)50m而形成。导电原材料50m为例如au、ni、cu、pt、sn、或pd等，但并不限定于它们。本实施方式中，导电原材料50m为cu。导电原材料50m为“第1导电原材料”的一个例子。第1再布线层50例如通过镀覆而形成。导电原材料50m与形成导电衬垫21的导电原材料21m可以相同，也可以不同。

分子接合层60设置于第1再布线层50的至少一部分的表面上。本实施方式中，分子接合层60设置于第1再布线层50的大致全部的表面上。分子接合层60为“第1分子接合层”的一个例子。另外，对于分子接合层60，在后面详细叙述。

上绝缘层70相对于第1再布线层50设置于与下绝缘层40相反的一侧。上绝缘层70为“第1绝缘层”的一个例子。上绝缘层70将分子接合层60的至少一部分覆盖。本实施方式中，上绝缘层70将分子接合层60的大致全部覆盖。上绝缘层70具有与下绝缘层40的第1部分41重叠的第1部分(即第1区域)71和与下绝缘层40的第2部分42重叠的第2部分(即第2区域)72。上绝缘层70通过绝缘原材料70m而形成。绝缘原材料70m为例如丙烯酸树脂、氧杂环丁烷树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂或聚苯并噁唑树脂等，但并不限定于它们。绝缘原材料70m为“第1绝缘原材料”的一个例子。绝缘原材料70m与形成下绝缘层40的绝缘原材料40m可以相同，也可以不同。

第2再布线层80设置于上绝缘层70的表面上。第2再布线层80相对于上绝缘层70设置于与第1再布线层50相反的一侧。第2再布线层80与第1再布线层50的导线51电连接。此外，本实施方式中，第2再布线层80具有设置于半导体封装10的外表面的端子部81。端子部81包含第2导电孔82。第2导电孔82为例如有底的导电孔。第2导电孔82具有向上绝缘层70中凹陷的凹坑82a。第2导电孔82向着第1再布线层50延伸，将上绝缘层70贯通。第2导电孔82与第1再布线层50的导电孔接受部53物理连接及电连接。由此，第2再布线层80与第1再布线层50的导线51电连接。此外，第2再布线层80介由第1再布线层50与半导体芯片20的导电衬垫21电连接。第2再布线层80利用导电原材料(例如导电性金属)80m而设置。导电原材料80m为例如au、ni、cu、pt、sn、或pd等，但并不限定于它们。本实施方式中，导电原材料80m为cu。导电原材料80m为“第2导电原材料”的一个例子。第2再布线层80例如通过镀覆而形成。导电原材料80m与形成第1再布线层50的导电原材料50m及形成导电衬垫21的导电原材料21m可以相同，也可以不同。

焊锡连接部90为“连接部”、“外部连接端子”各自的一个例子。焊锡连接部90为将外部模块(例如电路基板)与半导体封装10物理连接及电连接的连接部。焊锡连接部90设置于第2再布线层80的端子部81上。焊锡连接部90的一部分被收纳于端子部81的第2导电孔82的内侧。焊锡连接部90为例如焊锡球或焊锡凸块。另外，“连接部”并不限定于焊锡连接部，也可以是以导电性糊剂等形成的导电部、或其他种类的导电部。

接着，对分子接合层60进行说明。

如图2中所示的那样，分子接合层60设置于第1再布线层50与上绝缘层70之间。分子接合层60与第1再布线层50和上绝缘层70这两者发生了化学键合。由此，分子接合层60将第1再布线层50与上绝缘层70接合。另外，分子接合层60实际上非常薄，但为了说明的方便，在各图中以一定程度的厚度表示。

分子接合层60包含通过分子接合剂而形成的分子接合体60r(参照图3)。分子接合剂为例如可与树脂及金属形成化学键(例如共价键)的化合物。另外本申请中的“共价键”广泛指具有共价键性的键，也包含配位键及准共价键等。此外本申请中的“分子接合体”是指分子接合剂在化学键合(即化学反应)后残留在接合部的物质。

作为分子接合剂，可列举出例如三嗪衍生物等化合物。作为三嗪衍生物，可列举出以下的通式(c1)所表示的化合物。

(c1)

(式中，r表示烃基或可以夹有异种原子或者官能团的烃基，x表示氢原子或烃基，y表示烷氧基，z表示可以形成盐的硫醇基、可以形成盐的氨基或叠氮基、或者可以形成盐的且可以夹有异种原子或官能团的烃基，n1为1～3的整数，n2为1～2的整数。)

在上述通式(c1)中，r优选表示碳原子数为1～7的烃基、或在它们的主链上夹有氮原子的基团。x表示碳原子数为1～3的烃基。y表示碳原子数为1～3的烷氧基。n1优选为3。n2优选为2。z优选表示可以形成盐的硫醇基、氨基或叠氮基、或者烷基。作为形成盐的阳离子的元素，优选碱金属，其中进一步优选li、na、k或cs。另外，n2为2时，至少1个z优选表示形成了盐的硫醇基、氨基或叠氮基。

分子接合层60的至少一部分(即形成分子接合层60的分子接合剂的至少一部分)与第1再布线层50的导线51中包含的导电原材料50m发生了化学键合(例如共价键合)。同样地，分子接合层60的至少一部分(即形成分子接合层60的分子接合剂的至少一部分)与上绝缘层70中包含的绝缘原材料70m发生了化学键合(例如共价键合)。由此，分子接合层60将第1再布线层50的导线51与上绝缘层70接合。

通过分子接合剂与第1再布线层50的导线51的导电原材料50m和上绝缘层70的绝缘原材料70m化学键合(例如共价键合)，能够将第1再布线层50的导线51与上绝缘层70以高密合力接合。由此，在例如用于相对于外部模块连接焊锡连接部90的回流工序等中，可以抑制上绝缘层70从第1再布线层50剥离。

图3是示意性表示分子接合层60的组成的一个例子的图。

如图3中所示的那样，分子接合层60例如包含多个分子接合体60r。分子接合体60r包含通过上述的分子接合剂与接合对象物(firstmemberandsecondmember：第一构件和第二构件)进行化学反应而形成的分子接合剂残基。例如，分子接合体60r包含通过上述的分子接合剂与第1再布线层50及上绝缘层70进行化学反应而形成的分子接合剂残基。分子接合剂残基为例如图3中所示那样的三嗪二硫醇残基。另外，分子接合体60r也可以包含图3中的“s”或“z”。图3中的“z”的一个例子为氨基烃基甲硅烷氧基。例如，分子接合层60中包含的至少1个分子接合体60r与第1再布线层50的导线51中包含的导电原材料50m和上绝缘层70中包含的绝缘原材料70m这两者发生了化学键合(例如共价键合)。换而言之，分子接合层60中包含的分子接合剂的1分子(例如分子接合体60r)与第1再布线层50的导线51中包含的导电原材料50m和上绝缘层70中包含的绝缘原材料70m这两者发生了化学键合(例如共价键合)。

如图2中所示的那样，本实施方式中，分子接合层60具有第1部分61、第2部分62和第3部分63。第1部分61如上述那样，设置于第1再布线层50的导线51与上绝缘层70之间，与第1再布线层50的导线51和上绝缘层70这两者发生了化学键合(例如共价键合)。由此，第1部分61将第1再布线层50的导线51与上绝缘层70接合。

第2部分62设置于第1导电孔52的凹坑52a的内侧。第2部分62沿着第1导电孔52的凹坑52a的内表面(即第1导电孔52的内表面)设置，向与第1部分61不同的方向延伸。第2部分62例如沿相对于半导体芯片20与下绝缘层40的边界面交叉的方向延伸。第2部分62设置于第1导电孔52的内表面与上绝缘部70之间，与第1导电孔52和上绝缘层70这两者化学键合(例如共价键合)。若详细叙述，则第2部分62的至少一部分(即形成分子接合层60的分子接合剂的至少一部分)与第1导电孔52中包含的导电原材料50m化学键合(例如共价键合)。同样地，第2部分62的至少一部分(即形成分子接合层60的分子接合剂的至少一部分)在第1导电孔52的凹坑52a的内侧与上绝缘层70中包含的绝缘原材料70m化学键合(例如共价键合)。由此，第2部分62在第1导电孔52的凹坑52a的内侧，将第1导电孔52与上绝缘层70接合。

第3部分63设置于第1再布线层50的导电孔接受部53与第2再布线层80的第2导电孔82之间，与第1再布线层50的导电孔接受部53和第2再布线层80的第2导电孔82这两者化学键合(例如共价键合)。若详细叙述，则第3部分63的至少一部分(即形成分子接合层60的分子接合剂的至少一部分)与第1再布线层50的导电孔接受部53中包含的导电原材料50m化学键合(例如共价键合)。同样地，第3部分63的至少一部分(即形成分子接合层60的分子接合剂的至少一部分)与第2导电孔82中包含的导电原材料80m化学键合(例如共价键合)。由此，分子接合层60将第1再布线层50的导电孔接受部53与第2再布线层80的第2导电孔82接合。

其中，分子接合层60的分子接合体60r例如没有完全均匀地分散。第2再布线层80的第2导电孔82在多个分子接合体60r之间的位置(即分子接合体60r不存在的区域)处，与第1再布线层50的导电孔接受部53相接。由此，第2再布线层80的第2导电孔82与第1再布线层50的导电孔接受部53电连接。

例如，第1再布线层50与上绝缘层70之间的密合强度优选为2mpa以上，更优选为5mpa以上，进一步优选为6mpa以上，特别优选为10mpa以上。此外，该测定时的破坏模式优选成为不是接合界面被破坏、而是上绝缘层70被破坏的模式。密合强度例如可以通过冲模剪切实验来测定。作为拉伸试验的具体例子，可列举出mil-std883g、iec-60749-19、或eiajed-4703等中规定的方法。此外从别的观点考虑，第1再布线层50与上绝缘层70的密合强度优选为0.5n/mm以上，更优选为1n/mm以上。密合强度例如可以通过剥离强度试验来测定。作为试验的具体例子，可列举出jisc5012中规定的方法。

分子接合层60也可以具有0.5nm以上、优选1nm以上、且20nm以下的厚度。分子接合层60的厚度例如更优选为1nm以上且10nm以下。

分子接合剂相对于第1再布线层50的导线51的面积的被覆密度(ie.，分子接合层60的被膜密度)为20％以上，优选为30％以上，更优选为50％以上。例如，分子接合剂相对于第1再布线层50的导线51的面积的被覆密度为80％以下。即，分子接合剂相对于第1再布线层50的导线51的面积的被覆密度例如为20～80％，优选为30～80％，更优选为50～80％。另外，分子接合剂的被覆密度为100面积％时，定义为分子接合剂相对于要被覆的对象物的表面在理论上被最密地填充。分子接合剂的被覆密度可以由利用x射线衍射法的测定结果求出。

若分子接合剂相对于第1再布线层50的导线51的面积的被覆密度为上述下限值以上，则能够进一步提高第1再布线层50与上绝缘层70的密合性。此外，若分子接合剂相对于第1再布线层50的导线51的面积的被覆密度为上述上限值以下，则能够容易地确保第1再布线层50的导电孔接受部53与第2再布线层80的第2导电孔82的电连接。

例如，分子接合层60的至少一部分为单分子膜状。本实施方式中，分子接合层60的大致全部形成为单分子膜状。分子接合层60中的形成为单分子膜状的部分中，1分子的分子接合剂(即分子接合体60r)与第1再布线层50的导电原材料50m和上绝缘层70的绝缘原材料70m这两者化学键合(例如共价键合)。因而，能够进一步提高第1再布线层50与上绝缘层70的密合性。进而，由分子接合层60引起的半导体封装10的厚度增加被抑制在最小限度。优选占分子接合层60的较多面积的部分为单分子膜状。例如，更优选第1再布线层50的表面中的与被分子接合层60覆盖的面积的30～100％相当的部位为单分子膜状。

其中，在再布线层上形成绝缘层的情况下，考虑例如将再布线层的导线的表面通过蚀刻而粗糙化。由此，可以通过锚定效应来确保再布线层的导线与绝缘层的密合性。然而，在越来越小型化的半导体封装(例如fowlp或wlcsp)中，要求微细的布线图案(即精细图案)的形成。该情况下，若将再布线层的导线的表面进行蚀刻，则导线变细，微细的布线图案的形成变得困难。

然而，本实施方式中，通过设置分子接合层60，再布线层50的导线51与绝缘层70之间的密合性得到确保。即根据本实施方式，也可以将再布线层50的导线51的表面通过蚀刻而变得粗糙。因此，导线51难以变细，能够将再布线层50的导线51制成微细的布线图案。

接着，对本实施方式的半导体封装10的制造方法进行说明。

图4a及图4b是表示本实施方式的半导体封装10的制造方法的流程的一个例子的截面图。

首先，将半导体芯片20载置于薄膜f上(图4a中的(a))。接着，在半导体芯片20(例如第1到第3半导体芯片20a、20b、20c)上供给成为模制树脂部30的绝缘原材料。由此，形成模制树脂部30(图4a中的(b))。接着，通过上述工序而制造的中间制造物被上下颠倒，同时薄膜f被除去(图4中a的(c))。

接着，在半导体芯片20(例如，第1到第3半导体芯片20a、20b、20c)及模制树脂部30上供给绝缘原材料40m。由此，形成下绝缘层40(图4a中的(d))。接着，在下绝缘层40中形成开口部45(即贯通孔)(图4a中的(e))。开口部45设置于与半导体芯片20的导电衬垫21对应的区域，将下绝缘层40贯通。开口部45通过例如下绝缘层40被蚀刻而形成。接着，在下绝缘层40上形成第1再布线层50(图4a中的(f))。第1再布线层50包含导线51、第1导电孔52、及导电孔接受部53。例如，第1再布线层50通过金属镀覆处理而形成。金属镀覆处理包含例如通过溅射而形成钯等种子层和在种子层上进行电解镀覆或非电解镀覆。另外，形成第1再布线层50的方法并不限定于上述例子。形成第1再布线层50的方法的几个例子在第2到第4实施方式中进行详细说明。

接着，在第1再布线层50的表面上形成分子接合层60(图4b中的(a))。例如，通过将第1再布线层50的表面用分子接合剂覆盖(即通过在第1再布线层50的表面涂布分子接合剂)，形成分子接合层60。例如，分子接合剂涂布于第1再布线层50的导线51、第1导电孔52、及导电孔接受部53的表面上。分子接合层60的形成例如通过将含有上述的分子接合剂的分子接合剂溶液涂布于第1再布线层50上来进行。作为涂布分子接合剂溶液的方法的例子，可列举出将通过上述工序制造的中间制造物浸渍于分子接合剂溶液中、或对第1再布线层50喷雾分子接合剂溶液的方法等。

在将第1再布线层50的表面用分子接合剂覆盖时，优选使用分子接合剂溶液。分子接合剂溶液能够通过使上述的分子接合剂溶解于溶剂中来调制。

作为溶剂，可列举出例如甲醇、乙醇、异丙醇、乙二醇、丙二醇、溶纤剂及卡必醇等醇类；丙酮、甲乙酮及环己酮等酮类；苯、甲苯及二甲苯等芳香族烃；己烷、辛烷、癸烷、十二烷及十八烷等脂肪族烃；乙酸乙酯、丙酸甲酯及邻苯二甲酸甲酯等酯类；以及四氢呋喃、乙基丁基醚及茴香醚等醚类。此外，还可以使用将这些溶剂混合而得到的混合溶剂。

关于分子接合剂溶液的浓度，相对于分子接合剂溶液的整体质量优选分子接合剂为0.001质量％以上且1质量％以下，更优选为0.01质量％以上且0.1质量％以下。若分子接合剂溶液的浓度为上述下限值以上，则能够进一步提高分子接合剂的被覆密度及构件间的密合性。若分子接合剂溶液的浓度为上述上限值以下，则由于没有化学键合(例如共价键合)的分子接合剂难以被含有，所以能够容易地确保第1再布线层50与上绝缘层70的密合。此外，能够抑制由分子接合层60引起的半导体封装10的厚度增加。

所调制的分子接合剂溶液涂布于第1再布线层50的表面上。通过将涂布有分子接合剂溶液的中间制造物静置，第1再布线层50的导线51的导电原材料50m与分子接合剂之间的化学键合(例如共价键合)被促进。进而，也可以进行对分子接合层60施加能量(例如热或光(例如紫外线))的操作。例如，也可以将涂布有分子接合剂溶液的中间制造物以任意的温度及时间进行加热而使其干燥。通过施加能量的操作，第1再布线层50中包含的导电原材料50m与分子接合剂之间的化学键合(例如共价键合)被进一步促进。之后，通过使用洗涤液将中间制造物洗涤并使其干燥，得到第1再布线层50的表面用分子接合剂覆盖的中间制造物。另外，洗涤液也可以与分子接合剂溶液中使用的溶剂相同。

用分子接合剂覆盖的第1再布线层50的导电原材料50m与分子接合剂之间形成了化学键(例如共价键)。即，包含与第1再布线层50中包含的导电原材料50m发生了化学键合(例如共价键合)的分子接合剂(例如分子接合体60r)的分子接合层60形成于第1再布线层50的表面上。另外关于本申请的制造方法的记述中的“分子接合层”有时除了是指化学反应后的(例如化学键合后的)分子接合层以外，还指至少一部分为化学反应前的(例如没有化学键合的)分子接合层。另外，至少一部分为化学反应前的分子接合层也可以换读成“分子接合剂”。

分子接合剂溶液不仅可以涂布于第1再布线层50的表面的部位，也可以涂布于没有设置第1再布线层50的部位。通过将下绝缘层40用分子接合剂覆盖，包含与下绝缘层40中所含的绝缘原材料40m发生了化学键合(例如共价键合)的分子接合剂(例如分子接合体60r)的分子接合层60也可以形成于下绝缘层40的表面上。

分子接合层60的厚度能够通过分子接合剂溶液的浓度及涂布量、以及洗涤的时间及次数等条件来调节。

接着，在分子接合层60上供给绝缘原材料70m。由此，分子接合层60的表面被绝缘原材料70m覆盖，形成上绝缘层70(图4b中的(b))。由此，上绝缘层70的绝缘原材料70m与分子接合层60的至少一部分接触。分子接合剂也与上绝缘层70的绝缘原材料70m化学键合(例如共价键合)。由此，使分子接合剂与第1再布线层50的导电原材料50m及上绝缘层70的绝缘原材料70m这两者化学键合(例如共价键合)。这里，也可以进行对分子接合层60施加能量的操作。能量可以使用例如热或光(例如紫外线)等。由此，能够促进分子接合剂与上绝缘层70的绝缘原材料70m的化学键合(例如共价键合)。加热的温度及时间根据分子接合剂溶液的涂布量适当决定。在使用热的情况下，可以将150～200℃左右的加热进行5分钟以上、优选60分钟以上、进一步优选80分钟以上、且120分钟以下、优选240分钟以下。例如，根据分子接合层60的构成原材料，也可以经过5分钟～120分钟、优选60分钟～240分钟、进一步优选80分钟～240分钟等来施加热。在使用光的情况下，可以照射紫外线等。此外，照射的紫外线的波长优选为250nm以下，照射时间根据分子接合剂溶液的涂布量来适当决定。

接着，在上绝缘层70中形成开口部75(即贯通孔)(图4b中的(c))。开口部75设置于与第1再布线层50的导电孔接受部53对应的区域，将上绝缘层70贯通。开口部75通过例如上绝缘层70被蚀刻来形成。接着，在上绝缘层70上形成第2再布线层80(图4b中的(d))。第2再布线层80包含端子部81。例如，第2再布线层80通过金属镀覆处理来形成。金属镀覆处理包含例如通过溅射而形成钯等种子层和在种子层上进行电解镀覆或非电解镀覆。另外，形成第2再布线层80的方法并不限定于上述例子。形成第2再布线层80的方法的几个例子在第2到第4实施方式中进行详细说明。之后，在第2再布线层80的端子部81上设置焊锡连接部90(图4b中的(e))。

另外，分子接合剂的化学键合(例如共价键合)也可以不施加热或光等能量而进行。也可以取而代之，分子接合剂的化学键合(例如共价键合)通过施加热或光等能量而进行。

接着，对本实施方式的变形例进行说明。

图5是表示本实施方式的变形例的半导体封装10的一部分的截面图。本变形例的半导体封装10在具有覆盖多个再布线层的多个绝缘层这点与第1实施方式不同。另外，除以下所示的以外的构成与第1实施方式相同。

如图5中所示的那样，本变形例的半导体封装10具备半导体芯片20、第1再布线层50、第1分子接合层60、第1绝缘层70、第2再布线层80、第2分子接合层100、及第2绝缘层110。另外，第1再布线层50、第1分子接合层60、及第1绝缘层70与第1实施方式的第1再布线层50、分子接合层60、及上绝缘层70大致相同。另外，第1再布线层50的导线(即第1导线)51的至少一部分也可以设置于半导体芯片20的表面上来代替设置于下绝缘层40的表面上。这里所谓的“半导体芯片20的表面”也可以是设置于半导体芯片20上的钝化膜的表面。

第2再布线层80相对于第1绝缘层70设置于与第1再布线层50相反的一侧。例如，第2再布线层80设置于第1绝缘层70的表面上。第2再布线层80设置于第1绝缘层70与第2绝缘层110之间。第2再布线层80为包含多条第2导线(例如第2再布线)85的层。多条第2导线85介由第1再布线层50的多条第1导线51与半导体芯片20的导电衬垫21电连接。多条第2导线85中半导体芯片20的电信号流过。第2再布线层80利用第2导电原材料(例如导电性金属)80m来形成。导电原材料80m与形成第1再布线层50的导电原材料50m可以相同，也可以不同。

第2再布线层80除了包含第2导线85以外，还包含第2导电孔82(参照图2)。第2导电孔82与第2导线85物理连接及电连接。例如，第2导电孔82与第1实施方式的第2导电孔82大致相同。例如，第2导线85介由第2导电孔82与第1再布线层50的第1导线51电连接。

第2分子接合层100相对于第2再布线层80设置于与第1绝缘层70相反的一侧。第2分子接合层100设置于第2再布线层80的至少一部分的表面上。本实施方式中，第2分子接合层100设置于第2再布线层80的大致全部的表面上。另外，第2分子接合层100的详细的说明只要在关于第1实施方式的分子接合层60的说明中、将“第1再布线层50”换读成“第2再布线层80”、将“导线51(即第1导线)”换读成“第2导线85”、将“导电原材料50m(即第1导电原材料)”换读成“第2导电原材料80m”、将“上绝缘层70(即第1绝缘层)”换读成“第2绝缘层110”、将“绝缘原材料70m(即第1绝缘原材料)”换读成“第2绝缘原材料110m”即可。

第2绝缘层110相对于第2再布线层80设置于与第1绝缘层70相反的一侧。第2绝缘层110将第2分子接合层100的至少一部分覆盖。本实施方式中，第2绝缘层110将第2分子接合层100的大致全部覆盖。第2绝缘层110利用第2绝缘原材料110m来形成。第2绝缘原材料110m为例如丙烯酸树脂、氧杂环丁烷树脂、或环氧树脂等，但并不限定于这些。第2绝缘原材料110m可以与形成第1绝缘层70的绝缘原材料70m相同，也可以不同。

换而言之，本实施方式中，半导体封装10具备设置于第1绝缘层70的表面且包含半导体芯片20的电信号流过的第2导线85的第2再布线层80、设置于第2再布线层80的至少一部分的表面上的第2分子接合层100和将第2再布线层80的至少一部分覆盖的第2绝缘层110。第2分子接合层100的至少一部分与第2导线85中包含的导电原材料80m化学键合(例如共价键合)。第2分子接合层100的至少一部分与第2绝缘层110中包含的第2绝缘原材料110m化学键合(例如共价键合)。

另外，也可以在第2绝缘层110的表面上进一步设置追加的再布线层及绝缘层。例如，也可以进一步设置第3分子接合层、第3再布线层及第3绝缘层、……第n分子接合层、第n再布线层及第n绝缘层(n为2以上的整数)。此时，第n分子接合层、第n再布线层及第n绝缘层的构成与第1分子接合层60、第1再布线层50及第1绝缘层70的构成相同即可。

此外，如图中所示的例子那样，也可以在半导体芯片20的表面中的没有设置第1再布线层50的部位设置有分子接合层60。即，该部位与第1绝缘层70也可以通过分子接合层60而接合。同样地，也可以在设置有第n布线层的第(n-1)绝缘层的表面中的没有设置第n再布线层的部位设置有分子接合层。即，该部位与载置于第(n-1)绝缘层的第n绝缘层也可以通过第n分子接合层而接合。

此外，设置第n再布线层、第n分子接合层及第n绝缘层时(例如，设置第2再布线层80、第2分子接合层100、及第2绝缘层110时)，也重复进行与第1实施方式中说明的设置第1再布线层50、分子接合层60、及上绝缘层70的工序同样的工序。在图中所示的例子中，通过与上述同样的工序在第1绝缘层70的表面设置有第2再布线层80、在第1再布线层50的表面设置有第2分子接合层100、在第2分子接合层100的表面设置有第2绝缘层110。另外，形成第1分子接合层60的分子接合剂(即第1分子接合剂)与形成第2分子接合层100的分子接合剂(即第2分子接合剂)可以相同，也可以不同。

(第2实施方式)

接着，参照图6到图8j，对第2实施方式进行说明。本实施方式在为了金属镀覆处理而设置分子接合层这点与第1实施方式不同。另外，除以下说明的以外的构成与第1实施方式相同。

图6是表示本实施方式的半导体封装10的截面图。

如图6中所示的那样，本实施方式的半导体封装10除了具有第1实施方式的半导体封装10的构成以外，还具有第3分子接合层210和第4分子接合层220。这里，图6中为了说明的方便，省略第1实施方式中说明了的第1分子接合层60的图示。第2到第4实施方式的半导体封装10可以具有第1实施方式中说明了的第1分子接合层60及第2分子接合层100，也可以不具有。从1个观点考虑，第3分子接合层210也可以被称为“第1分子接合层”。此外，第4分子接合层220也可以被称为“第2分子接合层”。

如图6中所示的那样，第3分子接合层210设置于下绝缘层40与第1再布线层50之间，与下绝缘层40和第1再布线层50这两者化学键合。由此，第3分子接合层210将下绝缘层40与第1再布线层50接合。换而言之，第3分子接合层210至少设置于下绝缘层40的表面上。第1再布线层50通过在第3分子接合层210上实施金属镀覆处理来形成，通过第3分子接合层210而与下绝缘层40的表面接合。

另一方面，第4分子接合层220设置于上绝缘层70与第2再布线层80之间，与上绝缘层70和第2再布线层80这两者化学键合。由此，第4分子接合层220将上绝缘层70与第2再布线层80接合。换而言之，第4分子接合层210至少设置于上绝缘层70的表面上。第2再布线层80通过在第4分子接合层220上实施金属镀覆处理来形成，通过第4分子接合层220而与上绝缘层70的表面接合。

以下，对第3分子接合层210进行详细说明。另外，对于第4分子接合层220，由于与第3分子接合层210大致相同，所以省略详细的说明。此外在以下的说明中，将“第3分子接合层210”简称为“分子接合层210”。此外，将“下绝缘层40”简称为“绝缘层40”。

图7是将分子接合层210的周围放大显示的截面图。

如图7中所示的那样，半导体封装10具备半导体芯片(即半导体装置部件)20、绝缘层40、分子接合层210和第1再布线层50。另外在以下的说明中，为了说明的方便，将第1再布线层50称为金属镀层50。另外，本申请中所谓的“金属镀层”并不限定于再布线层，也可以是其他用途(例如，接地层、或制品的保护、装饰)中使用的镀层。

半导体芯片20例如具有半导体基板22、导电衬垫21和绝缘膜23。

半导体基板22为由半导体形成且在前工序中形成有电路的构件。作为半导体基板22，可列举出例如si单晶基板、si外延基板、gaas基板及gap基板等。其中，si单晶基板及si外延基板从获得容易性的观点出发优选。

导电衬垫21为半导体基板22的电信号(即半导体芯片20的电信号)流过的端子。导电衬垫21为“导电部”的一个例子。如上述那样，导电衬垫21利用金属(即金属原材料)21m来形成。金属21m例如为铜、铜合金、铝或铝合金(例如铝-硅系合金等)等，但并不限定于这些。导电衬垫21的侧面与绝缘膜23相接。此外，也可以在导电衬垫21的周缘部上设置有绝缘膜23。导电衬垫21的厚度没有特别限定，但例如优选为0.1μm以上且10μm以下。

绝缘膜23为树脂膜或由半导体基板22的半导体材料形成的氧化膜或者氮化膜，也被称为钝化膜。树脂膜由聚酰亚胺等树脂材料形成。树脂膜能够通过使用了树脂材料的光刻法来形成。此外，氧化膜由半导体的氧化物形成。氧化膜能够通过将半导体基板22的表面利用水蒸汽等氧化气体进行氧化来生成。此外，氮化膜由半导体的氮化物形成。氮化膜能够通过将半导体基板22的表面利用氨等含氮的气体进行氮化来生成。

绝缘膜23具有使导电衬垫21的至少一部分露出的开口部25。另外本申请中所谓的“开口部(或孔)”只要是在半导体封装10的制造工序的至少一部分中开口的开口部即可，也包含在半导体封装10的完成时被其他构件填充了的开口部。此外，开口部25为“露出部”的一个例子。绝缘膜23的厚度没有特别限定，但例如优选为1μm以上且10μm以下。此外，绝缘膜23的厚度可以均匀，也可以不均匀。例如，绝缘膜23的厚度也可以从开口的位置向着外侧减少。即，绝缘膜23也可以具有倾斜形状。

绝缘层(例如绝缘树脂层)40为相对于半导体芯片20形成绝缘部的构件。绝缘层40形成于绝缘膜23上及导电衬垫21的周缘部上。绝缘层40在与导电衬垫21对应的位置具有开口部45。开口部45使导电衬垫21的至少一部分露出。开口部45为“露出部”的一个例子。另外本申请中的“露出”是指露出到设置有开口部的构件的外部。即，“开口部45使导电衬垫21的至少一部分露出”是指开口部45使导电衬垫21的至少一部分露出到设置有该开口部45的绝缘层40的外部。开口部45通过利用蚀刻(例如光刻法)而除去导电衬垫21上的绝缘层40的一部分来形成。导电衬垫21与金属镀层50如后述那样，通过开口部45而物理连接及电连接。绝缘层40的厚度没有特别限定，但例如优选为1μm以上且10μm以下。

接着，说明分子接合层210。

分子接合层210至少设置于绝缘层40的表面上。分子接合层210具有将绝缘层40与金属镀层50接合的功能。分子接合层210通过例如与第1实施方式中说明了的分子接合层60大致相同的分子接合剂来形成。即，分子接合层210的一个例子通过三嗪衍生物那样的化合物来形成，包含三嗪二硫醇残基。分子接合层210的一个例子包含分子接合体60r(参照图3)。

如图7中所示的那样，分子接合层210具有第1部分210a、第2部分210b和第3部分210c。

第1部分210a设置于例如与开口部45不同的绝缘层40的表面40a上。第1部分210a设置于绝缘层40的表面40a与金属镀层50(例如金属镀层50中包含的导线51)之间，将绝缘层40的表面40a与金属镀层50(例如金属镀层50中包含的导线51)接合。例如，分子接合层210的第1部分210a的至少一部分与绝缘层40中包含的绝缘原材料40m化学键合(例如共价键合)。此外，分子接合层210的第1部分210a的至少一部分与金属镀层50中包含的导电原材料(以下有时称为“第1金属”)50m化学键合(例如共价键合)。例如，第1部分210a包含与绝缘层40的绝缘原材料40m和金属镀层50的第1金属50m这两者化学键合(例如共价键合)的分子接合体60r。换而言之，第1部分210a中包含的分子接合剂的1分子(例如分子接合体60r)与绝缘层40的绝缘原材料40m和金属镀层50的第1金属50m这两者化学键合(例如共价键合)。即，绝缘层40与金属镀层50介由分子接合层210的化学键(例如共价键)而接合。因此，绝缘层40与金属镀层50牢固地密合。

第2部分210b设置于开口部45的内表面45a(例如内周面)。第2部分210b设置于开口部45的内表面45a与金属镀层50(例如金属镀层50中包含的第1导电孔52)之间，将开口部45的内表面45a与金属镀层50(例如金属镀层50中包含的第1导电孔52)接合。例如，分子接合层210的第2部分210b的至少一部分与绝缘层40中包含的绝缘原材料40m化学键合(例如共价键合)。分子接合层210的第2部分210b的至少一部分与金属镀层50中包含的第1金属50m化学键合(例如共价键合)。例如，第2部分210b包含与绝缘层40的绝缘原材料40m和金属镀层50的第1金属50m这两者化学键合(例如共价键合)的分子接合体60r。换而言之，第2部分210b中包含的分子接合剂的1分子(例如分子接合体60r)与绝缘层40的绝缘原材料40m和金属镀层50的第1金属50m这两者化学键合(例如共价键合)。

第3部分210c设置于露出到开口部45的导电衬垫21的表面21a上。第3部分210c设置于导电衬垫21的表面21a与金属镀层50(例如金属镀层50中包含的第1导电孔52)之间，将导电衬垫21的表面21a与金属镀层50(例如金属镀层50中包含的第1导电孔52)接合。例如，分子接合层210的第3部分210c的至少一部分与导电衬垫21中包含的金属21m(以下有时称为“第2金属”)化学键合(例如共价键合)。分子接合层210的第3部分210c的至少一部分与金属镀层50中包含的第1金属50m化学键合(例如共价键合)。与第2金属21m化学键合(例如共价键合)的分子接合体60r和与第1金属50m化学键合(例如共价键合)的分子接合体60r可以相同，也可以不同。若1分子的分子接合体60r与第2金属21m和第1金属50m这两者化学键合(例如共价键合)，则导电衬垫21与金属镀层50的密合性进一步提高。若像本实施方式那样在绝缘层40的表面40a和导电衬垫21的表面21a这两者上设置分子接合层210，则半导体芯片20与金属镀层50进一步牢固地密合。

例如，分子接合层210的分子接合体60r例如没有完全均匀地分散。金属镀层50的第1导电孔52在多个分子接合体60r之间的位置(即分子接合体60r不存在的区域)与半导体芯片20的导电衬垫21相接。由此，金属镀层50的第1导电孔52与半导体芯片20的导电衬垫21物理连接及电连接。

例如，第1部分210a的至少一部分、第2部分210b、及第3部分210c一体地(即连续性地)形成。金属镀层50与分子接合层210的第1部分210a、第2部分210b、及第3部分210c化学接合。

分子接合层210的厚度优选为0.5nm以上且20nm以下，更优选为1nm以上且10nm以下。若分子接合层210的厚度为上述下限值以上，则能够进一步提高绝缘层40与金属镀层50的密合性。若分子接合层210的厚度为上述上限值以下，则能够容易地确保导电衬垫21与金属镀层50的电连接。

设置于绝缘层40的表面上的分子接合层210的至少一部分优选为单分子膜状。例如，优选分子接合层210的30面积％以上且100面积％以下为单分子膜状，更优选分子接合层210的全部为单分子膜状。在分子接合层210中的形成为单分子膜状的区域中，1分子的分子接合剂与第1金属50m和绝缘原材料40m这两者共价键合。因而，金属镀层50与绝缘层40的密合性进一步提高。此外，由分子接合层210引起的半导体封装10的厚度增加得到抑制。

设置于露出到开口部45的导电衬垫21的表面21a上的分子接合层210的至少一部分优选为单分子膜状。例如，优选分子接合层210的30面积％以上且100面积％以下为单分子膜状，更优选分子接合层210的全部为单分子膜状。在分子接合层210中的形成为单分子膜状的区域中，1分子的分子接合剂与第1金属50m和第2金属21m这两者共价键合。因而，导电衬垫21与金属镀层50的密合性进一步提高。此外，导电衬垫21与金属镀层50的电连接容易被确保。此外，由分子接合层210引起的半导体封装10的厚度增加得到抑制。

分子接合层210相对于绝缘层40的面积的被覆密度与分子接合剂相对于导电衬垫21的表面21a的面积的被覆密度可以相同，也可以不同。但是，从绝缘层40的面积与金属镀层50的密合性的观点出发，分子接合剂相对于绝缘层40的面积的被覆密度优选高于分子接合剂相对于导电衬垫21的表面21a的面积的被覆密度。例如，分子接合剂相对于绝缘层40的面积的被覆密度优选为20面积％以上，优选为30面积％以上，更优选为50面积％以上。若分子接合剂相对于绝缘层40的面积的被覆密度为上述下限值以上，则能够进一步提高绝缘层40与金属镀层50的密合性。由于分子接合层210相对于绝缘层40的面积的被覆密度优选高，所以其上限值没有特别限定。作为被覆密度的上限值，可例示出例如70面积％或80面积％。

分子接合剂相对于导电衬垫21的表面21a的面积的被覆密度优选为20面积％以上且80面积％以下，更优选为30面积％以上且70面积％以下，进一步优选为40面积％以上且60面积％以下。若分子接合剂相对于导电衬垫21的表面21a的面积的被覆密度为上述下限值以上，则能够进一步提高导电衬垫21与金属镀层50的密合性。此外，若分子接合剂相对于导电衬垫21的表面21a的面积的被覆密度为上述上限值以下，则能够容易地确保导电衬垫21与金属镀层50的电连接。

另外，关于分子接合层210的其他构成或功能与第1实施方式的分子接合层60的构成或功能大致相同。即，关于分子接合层210的其他说明只要在第1实施方式的分子接合层60的说明中，将“分子接合层60”换读成“分子接合层210”、将“上绝缘层70”换读成“下绝缘层40”或“导电衬垫21”、将“绝缘原材料70m”换读成“绝缘原材料40m”或“金属21m”即可。例如，绝缘层40与金属镀层50之间的密合强度与第1实施方式中的再布线层50与上绝缘层70之间的密合强度可以大致相同，也可以不同。

接着，说明金属镀层50。

金属镀层50为在半导体封装10中具有流过电信号的导线的功能的构件，为例如再布线层。金属镀层50通过分子接合层210而与绝缘层40的表面接合。金属镀层50通过绝缘层40的开口部45而与导电衬垫21物理连接及电连接。另外，如上述那样，也可以在金属镀层50与导电衬垫21之间设置分子接合层210的第3部分210c。由此，有时金属镀层50与导电衬垫21进一步牢固地密合。

此外，若以某种观点来看，则金属镀层50与分子接合层210的第1部分210a、第2部分210b、及第3部分210c接合。例如，金属镀层50具有导线51和第1导电孔52。导线51沿着与开口部45不同的绝缘层40的表面40a设置而与分子接合层210的第1部分210a接合。第1导电孔52设置于开口部45中而与分子接合层210的第2部分210b和第3部分210c接合。

如图7中所示的那样，本实施方式的金属镀层50包含第1金属镀层55和第2金属镀层56。第1金属镀层55和第2金属镀层56在金属镀层50的厚度方向上彼此层叠。

第1金属镀层55为具有成为包含第2金属镀层56的再布线层50的生长起点的种子金属55m的种子层。种子金属55m为形成第1金属镀层55的金属(即金属原材料)。作为本实施方式的种子金属55m，可列举出例如钯等金属。第1金属镀层55的厚度没有特别限定，例如从生长起点的功能的观点出发，优选为0.05μm以上且2μm以下。第1金属镀层55能够通过对分子接合层210的表面实施使用了种子金属55m的金属镀覆处理来形成。本实施方式中，第1金属镀层55通过分子接合层210而与绝缘层40接合。因此本实施方式中，种子金属55m为与分子接合层210化学键合(例如共价键合)的第1金属50m的一个例子。

第2金属镀层56为再布线层50的主体部，包含再布线用金属56m。再布线用金属56m为形成第2金属镀层56的金属(即金属原材料)。再布线用金属56m可列举出例如铜及镍以及它们的合金等金属。再布线用金属56m与第2金属21m可以相同，也可以不同。第2金属镀层56的厚度没有特别限定，但例如优选为1μm以上且10μm以下。若第2金属镀层56的厚度为上述下限值以上，则能够抑制因断线等而电信号的导线的功能受损。若第2金属镀层56的厚度为上述上限值以下，则能够抑制由分子接合层210引起的半导体封装10的厚度增加。另外，第1金属50m包含种子金属55m和再布线用金属56m这两者。

接着，对本实施方式的半导体封装10的制造方法的一个例子进行说明。另外，以下所示的工序为例如与图4a中的(c)到(f)对应的工序。

首先，准备具有半导体基板22、导电衬垫21、及绝缘膜23的半导体芯片20(图8a)。接着，通过对半导体芯片20的表面供给绝缘原材料40m，从而设置绝缘层40。接着，在绝缘层40上形成开口部45(即贯通孔)(图8b)。开口部45设置于与半导体芯片20的导电衬垫21对应的区域，将绝缘层40贯通。开口部45例如通过绝缘层40被蚀刻来形成。

接着，通过与开口部45不同的绝缘层40的表面40a、开口部45的内表面45a、及露出到开口部45的导电衬垫21的表面21a用分子接合剂覆盖(即涂布分子接合剂)，从而形成包含第1部分210a、第2部分210b、及第3部分210c的分子接合层210(图8c)。例如，通过将涂布有分子接合剂溶液的绝缘层40静置，绝缘层40的绝缘原材料40m与分子接合剂之间的化学键合(例如共价键合)被促进。进而，也可以进行对分子接合层120施加能量(例如热或光(例如紫外线))的操作。加热的温度及时间根据分子接合剂溶液的涂布量而适当决定。此外，照射的紫外线的波长优选为250nm以下，照射时间根据分子接合剂溶液的涂布量而适当决定。之后，使用洗涤液将绝缘层40洗涤并使其干燥。由此，形成与绝缘层40的绝缘原材料40m及导电衬垫21的第2金属21m化学键合(例如共价键合)的分子接合层210。另外，分子接合层210的形成方法的详细情况与第1实施方式中说明的分子接合层60的形成方法的详细情况大致相同。例如，分子接合剂以第1实施方式中上述那样的分子接合剂溶液的形态被供给。

另外，分子接合剂的化学键合(例如共价键合)也可以不施加热或光等能量而进行。也可以取而代之，分子接合剂的化学键合(例如共价键合)通过施加热或光等能量。

分子接合层210的厚度能够通过分子接合剂溶液的浓度及涂布量、以及洗涤的时间及次数等条件来调节。此外，分子接合层210相对于导电衬垫21的表面21a的面积的被覆密度能够通过分子接合剂溶液的浓度及涂布量、以及洗涤的时间及次数等条件来调节。

接着，对分子接合层210的第1部分210a、第2部分210b、及第3部分210c的表面实施金属镀覆处理。例如，对分子接合层210的表面(例如，第1部分210a、第2部分210b、及第3部分210c的表面)实施使用了上述的种子金属55m的第1金属镀覆处理。由此，具有成为金属镀层(例如再布线层)50的生长起点的种子金属55m的第1金属镀层55(例如种子层)形成于分子接合层210上(图8d)。

例如，通过将形成于分子接合层210上的第1金属镀层55静置，第1金属镀层55中包含的第1金属50m(例如种子金属55m)与分子接合层210之间的化学键合(例如共价键合)被促进。进而，也可以进行对分子接合层120施加能量(例如热或光(例如紫外线))的操作，第1金属镀层55中包含的第1金属50m(例如种子金属55m)与分子接合层210之间的化学键合(例如共价键合)被促进。

接着，用于在第1金属镀层55上的特定的部位形成布线图案的抗蚀剂膜r通过例如光刻法而形成(图8e)。之后，对第1金属镀层55的表面实施使用了上述的再布线用金属56m的第2金属镀覆处理。由此，由再布线用金属56m形成的膜以第1金属镀层55的种子金属55m作为生长起点生长而形成第2金属镀层56(图8f)。

用于形成上述种子层的第1金属镀覆处理可以是电解镀覆处理及非电解镀覆处理中的任一者。第1金属镀覆处理为例如非电解镀覆处理。另外本申请中所谓的“非电解镀覆处理”并不限定于喷雾镀覆处理，此外也可以是其他已知的各种非电解镀覆处理。通过使用非电解镀覆，能够形成具有微细且均匀的形状的第1金属镀层55。此外，能够抑制用于金属镀覆处理的设备费用或维护费用。

用于形成上述再布线层的主体部的第2金属镀覆处理可以是电解镀覆及非电解镀覆中的任一者。第2金属镀覆处理为例如电解镀覆处理。通过使用电解镀覆，能够形成具有1μm以上、优选2μm以上的厚度的第2金属镀层56。

通过进行以上那样的金属镀覆处理，能够形成介由绝缘层40的开口部45与导电衬垫21电连接的金属镀层50。

在金属镀层50的形成后，形成于开口部45中的第2金属镀层56的一部分也可以通过光刻法被除去而形成第1导电孔52的凹坑52a。此外，形成于第1金属镀层55上的抗蚀剂膜r通过洗涤被除去(参照图8g)。之后，没有形成第2金属镀层56的部位的第1金属镀层55通过蚀刻被除去(图8h)。在该第1金属镀层55的除去中，有时分子接合层210被除去。

通过使用以上那样的制造方法，形成本实施方式的半导体封装10。

另外，本实施方式的半导体封装10也可以绝缘层及金属镀层各具有2层以上。例如，在金属镀层50的表面及露出的绝缘层40的表面上新形成分子接合层60。之后，在金属镀层50的表面及露出的绝缘层40的表面上介由分子接合层60形成第2层的绝缘层70(图8i)。通过形成于金属镀层50上的第2层的绝缘层70的任意的部位被蚀刻，形成开口部75(图8j)。之后，第2层的金属镀层(例如第2再布线层80)介由分子接合层220而形成于金属镀层50及第2层的绝缘层70上。

通过进行以上的处理，在本实施方式的半导体封装10中，能够将绝缘层及金属镀层介由分子接合层而进行层叠。

另外，形成分子接合层210的分子接合剂与形成分子接合层60、220的分子接合剂可以相同，也可以不同。

以上说明的实施方式的半导体封装10具备半导体芯片20、分子接合层210和金属镀层50。分子接合层210通过与绝缘层40和金属镀层50分别化学键合(即共价键合)而接合。因此，能够提高绝缘层40与金属镀层50的密合性。此外，通过在半导体芯片20的导电衬垫21与金属镀层50之间设置分子接合层210，能够进一步提高半导体芯片20与金属镀层50的密合性，同时适当地确保半导体芯片20的导电衬垫21与金属镀层50的电连接。

此外，在实施方式的半导体封装10的制造方法中，可以不使用溅射等蒸镀法而使用非电解镀覆来形成第1金属镀层55(例如种子层)。由此，由于能够将基底的绝缘层40的表面不粗化而金属化，所以能够形成具有微细的图案的种子层。此外，能够降低制造成本，同时提高生产效率。

(第3实施方式)

接着，对第3实施方式进行说明。本实施方式的半导体封装10的构成与第2实施方式的半导体封装10的构成大致相同。本实施方式在金属镀层50的至少一部分的形成通过喷雾镀覆处理而进行这点与第2实施方式不同。另外，除以下说明的以外的构成与第2实施方式相同。

例如，本实施方式中，第1金属镀层55通过喷雾镀覆处理而形成。在喷雾镀覆处理中，包含第1金属50m(例如种子金属55m)的金属离子溶液及还原剂溶液分别被喷雾。喷雾镀覆处理为例如自催化型非电解镀覆。

例如，对分子接合层210的表面实施使用了第1金属50m(例如种子金属55m)的第1金属镀覆处理。由此，第1金属镀层55形成于分子接合层210上。第1金属镀层55为具有包含之后形成的第2金属镀层56的金属镀层50的生长起点的种子层。本实施方式中，第1金属镀覆处理为喷雾镀覆处理，通过对分子接合层210的表面分别喷雾金属离子溶液及还原剂溶液来进行。

金属离子溶液为包含来自第1金属50m(例如种子金属55m)的金属离子的溶液。本实施方式的第1金属50m(例如种子金属55m)为例如钯、铜、银、镍、铅等具有自催化作用的金属。进一步而言，第1金属50m(例如种子金属55m)为选自由铜、银及镍组成的组中的至少1种。作为这样的金属离子，可列举出例如铜离子、银离子及镍离子等。作为溶解金属离子的溶剂，可列举出极性溶剂，其中，优选水。金属离子溶液的浓度没有特别限定，可以采用公知的浓度。

金属离子溶液的温度只要为实用的范围，则没有特别限定，例如优选为20℃以上且40℃以下。若金属离子溶液的温度为上述下限值以上，则能够得到金属离子良好地溶解于溶剂中的金属离子溶液。若金属离子溶液的浓度为上述上限值以下，则能够有效地防止溶剂的蒸发。

还原剂溶液为包含将金属离子还原而使金属析出的还原剂的溶液。作为还原剂，能够使用与所使用的金属离子对应的公知的化合物。在使用铜离子或银离子作为金属离子的情况下，使用甲醛作为还原剂可得到自催化作用，所以优选。此外，在使用镍离子作为金属离子的情况下，使用膦酸盐或四氢硼酸盐作为还原剂可得到自催化作用，所以优选。作为溶解还原剂的溶剂，可列举出极性溶剂，其中，优选水。

还原剂溶液的浓度没有特别限定，可以采用公知的浓度。

还原剂溶液的温度只要为实用的范围，则没有特别限定，例如优选为20℃以上且40℃以下。若还原剂溶液的温度为上述下限值以上，则能够得到还原剂良好地溶解于溶剂中的还原剂溶液。若还原剂溶液的浓度为上述上限值以下，则能够有效地防止溶剂的蒸发。

另外，自催化作用是指，通过金属离子被还原剂还原而生成的金属作为该还原剂的氧化中的催化剂起作用。本实施方式中，金属镀覆处理为自催化型非电解镀覆时，由于生产效率进一步提高，所以优选。

在金属离子溶液及还原剂溶液中的至少一者中，也可以添加乙酸等缓冲剂、酒石酸等络合剂及氰基化合物等稳定剂等作为添加剂。作为缓冲剂，可列举出例如乙酸及乙酸盐的混合物等。作为络合剂，可列举出例如酒石酸、柠檬酸、苹果酸及焦磷酸等。作为稳定剂，可列举出例如氰基化合物及联二吡啶化合物等。

通过添加这些添加剂，金属离子溶液或还原剂溶液的长期保存性提高。此外，能够稳定地形成金属镀层50。

金属离子溶液及还原剂溶液的喷雾方法没有特别限定。可列举出例如使用2个喷雾装置，将金属离子溶液及还原剂溶液从2个方向向着分子接合层210的表面上的同一部位喷雾的方法。通过使用这样的喷雾方法，将金属离子溶液及还原剂溶液同时进行喷雾，能够对分子接合层210进行金属镀覆处理。

本实施方式中的第2金属镀覆处理及之后的工序与第2实施方式相同。另外，本实施方式中，形成第2金属镀层56的再布线用金属56m也可以与形成第1金属镀层56的种子金属55m相同。第2金属镀层56通过例如与喷雾镀覆处理不同的非电解镀覆处理、或电解镀覆处理来形成。例如，第2金属镀层56通过电解镀覆处理来形成。

在以上说明的实施方式的半导体装置的制造方法中，使用非电解镀覆而形成第1金属镀层55。由此，能够不将作为基底的分子接合层210或半导体芯片20的表面粗化而形成微细的布线图案。

此外，在实施方式的半导体封装10的制造方法中，由于金属镀覆处理通过将还原剂溶液及金属离子溶液分别进行喷雾来进行，所以能够不使用钯等种子金属而形成金属镀层50。由于钯等种子金属一般为高价，所以在实施方式的半导体封装10的制造方法中，能够降低制造成本。此外，作为优选的金属离子之一的银离子与钯相比除去性优异。因而，若使用银离子溶液，则能够进一步提高半导体封装10的生产效率。

此外，在本实施方式的半导体封装10的制造方法中，通过分子接合层210，绝缘层40与金属镀层50被接合。因此，半导体封装10的内部的密合性优异。此外，对例如由铝或铝合金形成的导电衬垫21不需要实施以密合性的提高作为目的的锌酸盐处理。

(第4实施方式)

接着，参照图9到图10g，对第4实施方式进行说明。本实施方式在金属镀层50的全部通过喷雾镀覆处理而形成这点等与第3实施方式不同。另外，除以下说明的以外的构成与第3实施方式相同。

图9是表示本实施方式的半导体封装10的截面图。

如图9中所示的那样，在本实施方式的半导体封装10中，设置1个金属镀层50来代替第1金属镀层55及第2金属镀层56。换而言之，本实施方式的金属镀层50不具有种子层。

接着，对本实施方式的半导体封装10的制造方法的一个例子进行说明。另外，以下所示的工序为例如与图4a中的(c)到(f)对应的工序。

首先，准备具有半导体基板22、导电衬垫21、及绝缘膜23的半导体芯片20(图10a)。接着，通过向半导体芯片20的表面供给绝缘原材料40m，设置绝缘层40。接着，在绝缘层40上形成开口部45(即贯通孔)(图10b)。开口部45设置于与半导体芯片20的导电衬垫21对应的区域，将绝缘层40贯通。开口部45通过例如绝缘层40被蚀刻来形成。

接着，通过将与开口部45不同的绝缘层40的表面40a、开口部45的内表面45a、及露出到开口部45中的导电衬垫21的表面21a用分子接合剂覆盖，从而形成分子接合层210(图10c)。另外，到以上为止的工序与第2实施方式相同。

本实施方式中，对分子接合层210的表面实施金属镀覆处理。本实施方式的金属镀覆处理与第3实施方式的第1金属镀覆处理同样地通过喷雾镀覆处理来进行。即，包含第1金属50m的金属离子溶液及还原剂溶液被分别喷雾。喷雾镀覆处理与其他种类的非电解镀覆相比，金属镀层的析出速度快。因此，可以将金属镀层50的全部通过喷雾镀覆处理来进行。此外，通过喷雾镀覆处理而形成金属镀层50的情况下，由于在金属镀层50与绝缘层40之间也设置有分子接合层210，所以金属镀层50也稳定地存在。此外，与电解镀覆比较，能够提高半导体封装10的生产效率。

接着，如覆盖金属镀层50那样地形成抗蚀剂膜r(图10e)。接着，金属镀层50的不需要的部分通过蚀刻被除去(图10f)。由此，包含导线51及第1导电孔52的金属镀层50形成于绝缘层40上(图10g)。

根据以上说明的至少1个实施方式，能够提供可以利用分子接合层来提高金属镀层与绝缘层的密合性的半导体封装。

以下，附记几个半导体装置、及半导装置的制造方法的例子。

[a1]一种半导体装置，其具备：

半导体装置部件，其具备导电层和具有使上述导电层的至少一部分露出的开口部的绝缘树脂层；

分子接合层，其设置于上述半导体装置部件中的至少上述绝缘树脂层的表面上；和

金属镀层，其通过上述分子接合层与上述半导体装置部件的表面接合，

其中，上述分子接合层包含分子接合剂，

上述分子接合剂的至少一部分与上述半导体装置部件的绝缘树脂层中包含的树脂共价键合，

上述分子接合剂的至少一部分与上述金属镀层中包含的第1金属共价键合，

上述金属镀层介由上述开口部而与上述导电层电连接。

[a2]、根据[a1]所述的半导体装置，其中，

上述分子接合层进一步设置于上述半导体装置部件中的上述导电层的表面上，

上述分子接合剂的至少一部分与上述导电层中包含的第2金属共价键合，

上述分子接合剂的至少一部分与上述第1金属共价键合，

上述金属镀层介由上述开口部中的上述分子接合层与而上述导电层电连接。

[a3]、根据[a1]所述的半导体装置，其中，

上述分子接合剂相对于上述分子接合层中的上述导电层的被覆密度为20面积％以上且80面积％以下。

[a4]、根据[a2]所述的半导体装置，其中，

设置于上述导电层的表面上的上述分子接合层的至少一部分为单分子膜状，

上述分子接合剂的至少一部分与上述第1金属和上述第2金属这两者发生了共价键合。

[a5]、根据[a1]所述的半导体装置，其中，

设置于上述绝缘树脂层的表面上的上述分子接合层的至少一部分为单分子膜状，

上述分子接合剂的至少一部分与上述第1金属和上述树脂这两者发生了共价键合。

[a6]、根据[a1]所述的半导体装置，其中，

上述金属镀层是作为上述半导体装置部件的电信号的导线的再布线层。

[a7]、根据[a1]所述的半导体装置，其中，

上述绝缘树脂层包含聚酰亚胺树脂或聚苯并噁唑树脂。

[a8]、根据[a1]所述的半导体装置，其中，

上述导电层为设置于半导体基板上的导电衬垫。

[a9]、根据[a1]所述的半导体装置，其中，

上述分子接合剂为三嗪衍生物。

[a10]、根据[a9]所述的半导体装置，其中，

上述三嗪衍生物为通式(c1)所表示的化合物，

(式中，r表示烃基或可以夹有异种原子或者官能团的烃基，x表示氢原子或烃基，y表示烷氧基，z表示可以形成盐的硫醇基、可以形成盐的氨基或叠氮基、或者可以形成盐的且可以夹有异种原子或官能团的烃基，n1为1～3的整数，n2为1～2的整数)。

[a11]一种半导体装置的制造方法，其中，

通过将具备导电层和具有使上述导电层的至少一部分露出的开口部的绝缘树脂层的半导体装置部件中的至少上述绝缘树脂层的表面用分子接合剂覆盖，形成包含与上述绝缘树脂层中包含的树脂发生了共价键合的上述分子接合剂的分子接合层，

通过对上述分子接合层及上述导电层的表面实施金属镀覆处理，形成包含与上述分子接合剂发生了共价键合的第1金属、且介由上述开口部与上述导电层电连接的金属镀层。

[a12]、根据[a11]所述的半导体装置的制造方法，其中，

在形成上述分子接合层时，通过将上述导电层的表面与上述绝缘树脂层的表面一起用上述分子接合剂覆盖，从而使上述分子接合剂的至少一部分与上述导电层中包含的第2金属共价键合，使上述分子接合剂的至少一部分与上述第1金属共价键合，将上述金属镀层介由上述开口部中的上述分子接合层与上述导电层电连接。

[a13]、根据[a12]所述的半导体装置的制造方法，其中，

通过将上述导电层的表面中的上述分子接合层的至少一部分形成为单分子膜状，使上述分子接合剂的至少一部分与上述第1金属和上述第2金属这两者共价键合。

[a14]、根据[a11]所述的半导体装置的制造方法，其中，

通过将上述绝缘树脂层的表面中的上述分子接合层的至少一部分形成为单分子膜状，使上述分子接合剂的至少一部分与上述第1金属和上述绝缘树脂层中包含的上述树脂这两者共价键合。

[a15]、根据[a11]所述的半导体装置的制造方法，其中，

上述金属镀层是作为上述半导体装置部件的电信号的导线的再布线层，

上述方法包含以下步骤：

形成上述金属镀层；

通过对上述分子接合层的表面、或上述分子接合层及上述导电层的表面实施使用了种子金属的金属镀覆处理，形成具有成为上述再布线层的生长起点的种子金属的种子层；和

通过对上述种子层实施使用了再布线用金属的金属镀覆处理，形成包含上述种子层的上述再布线层。

[a16]、根据[a15]所述的半导体装置的制造方法，其中，

用于形成上述种子层的上述金属镀覆处理为非电解镀覆。

[a17]、根据[a11]所述的半导体装置的制造方法，其中，

上述绝缘树脂层包含聚酰亚胺树脂或聚苯并噁唑树脂。

[a18]、根据[a11]所述的半导体装置的制造方法，其中，

上述导电层为设置于半导体基板上的导电衬垫。

[a19]、根据[a11]所述的半导体装置的制造方法，其中，

上述分子接合剂为三嗪衍生物。

[a20]、根据[a19]所述的半导体装置的制造方法，其中，

上述三嗪衍生物为通式(c1)所表示的化合物，

(式中，r表示烃基或可以夹有异种原子或者官能团的烃基，x表示氢原子或烃基，y表示烷氧基，z表示可以形成盐的硫醇基、可以形成盐的氨基或叠氮基、或可以形成盐的且可以夹有异种原子或官能团的烃基，n1为1～3的整数，n2为1～2的整数)。

[b1]一种半导体装置的制造方法，其中，

通过将具备导电层和具有使上述导电层的至少一部分露出的开口部的绝缘树脂层的半导体装置部件中的至少上述绝缘树脂层的表面用分子接合剂覆盖，形成包含与上述绝缘树脂层中包含的树脂发生了共价键合的上述分子接合剂的分子接合层，

通过对上述分子接合层及上述导电层的表面实施金属镀覆处理，形成包含与上述分子接合剂发生了共价键合的第1金属、且介由上述开口部与上述导电层电连接的金属镀层，

上述金属镀覆处理包括将包含上述第1金属的金属离子溶液及还原剂溶液分别进行喷雾的喷雾镀覆处理。

[b2]、根据[b1]所述的半导体装置的制造方法，其中，

在形成上述分子接合层时，通过将上述导电层的表面与上述绝缘树脂层的表面一起用上述分子接合剂覆盖，从而使上述分子接合剂的至少一部分与上述导电层中包含的第2金属共价键合，使上述分子接合剂的至少一部分与上述第1金属共价键合，将上述金属镀层介由上述开口部中的上述分子接合层与上述导电层电连接。

[b3]、根据[b2]所述的半导体装置的制造方法，其中，

通过将上述导电层的表面中的上述分子接合层的至少一部分形成为单分子膜状，使上述分子接合剂的至少一部分与上述第1金属和上述第2金属这两者共价键合。

[b4]、根据[b1]所述的半导体装置的制造方法，其中，

通过将上述绝缘树脂层的表面中的上述分子接合层的至少一部分形成为单分子膜状，使上述分子接合剂的至少一部分与上述第1金属和上述绝缘树脂层中包含的上述树脂这两者共价键合。

[b5]、根据[b1]所述的半导体装置的制造方法，其中，

上述喷雾镀覆处理为自催化型非电解镀覆。

[b6]、根据[b5]所述的半导体装置的制造方法，其中，

上述第1金属为选自由铜、银及镍组成的组中的至少1种。

[b7]、根据[b1]所述的半导体装置的制造方法，其中，

上述金属镀层是作为半导体芯片的电信号的导线的再布线层，

上述方法包括以下步骤：

形成上述金属镀层；

通过对上述分子接合层的表面、或上述分子接合层及上述导电层的表面实施分别喷雾包含上述第1金属的金属离子溶液及还原剂溶液的喷雾镀覆处理，形成具有上述再布线层的生长起点的种子层；和

通过对上述种子层实施使用了上述第1金属的金属镀覆处理，形成包含上述种子层的上述再布线层。

[b8]、根据[b1]所述的半导体装置的制造方法，其中，

上述绝缘树脂层包含聚酰亚胺树脂或聚苯并噁唑树脂。

[b9]、根据[b1]所述的半导体装置的制造方法，其中，

上述导电层为设置于半导体基板上的导电衬垫。

[b10]、根据[b1]所述的半导体装置的制造方法，其中，

上述分子接合剂为三嗪衍生物。

[b11]、根据[b10]所述的半导体装置的制造方法，其中，

上述三嗪衍生物为通式(c1)所表示的化合物，

(式中，r表示烃基或可以夹有异种原子或者官能团的烃基，x表示氢原子或烃基，y表示烷氧基，z表示可以形成盐的硫醇基、可以形成盐的氨基或叠氮基、或者可以形成盐的且可以夹有异种原子或官能团的烃基，n1为1～3的整数，n2为1～2的整数)。

对几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子而提出的，其意图并非限定发明的范围。这些实施方式能够以其他各种方式实施，在不脱离发明的主旨的范围内可以进行各种省略、置换、变更。这些实施方式和其变形包含于发明的范围、主旨中，同时包含于权利要求书中记载的发明和其均等的范围内。