1.一种无机金属化合物，其特征在于，所述无机金属化合物用于光电器件的第一载流子传输层，所述无机金属化合物是由无机半导体纳米晶与螯合剂经过螯合反应得到的螯合物，其中，所述第一载流子包括电子或空穴。
2.根据权利要求1所述的无机金属化合物，其特征在于，所述无机半导体纳米晶选自NiOx纳米晶、p型ZnO纳米晶、CuO纳米晶、Cu2O纳米晶、Fe3O4纳米晶、FeO纳米晶、V2O5纳米晶、MnTiO3纳米晶、BaTiO3纳米晶、HgS纳米晶、PbS纳米晶与SnS纳米晶中的一种或多种，其中，1≤x≤2。
3.根据权利要求1所述的无机金属化合物，其特征在于，所述螯合剂为带有多个配位体基团的多齿配合物，所述配位体基团选自氨基、羟基、巯基、磷酸基、羧基与氰基中的一种或多种。
4.根据权利要求3所述的无机金属化合物，其特征在于，所述螯合剂为一种或多种，所述螯合剂包括氨基羧酸类螯合剂中的一种或多种，和/或包括乙二胺。
5.根据权利要求1所述的无机金属化合物，其特征在于，所述螯合剂的种类包括一种或多种，
当所述螯合剂的种类为一种时，所述螯合剂对金属原子的螯合稳定常数大于5，或
当所述螯合剂的种类为多种时，多种所述螯合剂的组合对金属原子的螯合稳定常数大于5；
其中，所述无机半导体纳米晶包括所述金属原子。
6.一种组合物，其特征在于，包括权利要求1至5中任一项所述的无机金属化合物。
7.一种光电器件，其特征在于，所述光电器件包括：
第一电极层(10)；
第一载流子传输层(30)，设置在所述第一电极层(10)的表面上，用于传输和/或注入第一载流子，其中，所述第一载流子为电子或空穴，形成所述第一载流子传输层(30)的材料包括权利要求1至5中任一项所述的无机金属化合物，或者包括权利要求6所述的组合物；
量子点发光层(50)，设置在所述第一载流子传输层(30)的远离所述第一电极层(10)的表面上；
第二电极层(70)，设置在所述量子点发光层(50)的远离所述第一载流子传输层(30)的表面上。
8.根据权利要求7所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件还包括：第一载流子注入层(20)、第二载流子传输层(61)和第二载流子注入层(62)之中的至少一层，
第一载流子注入层(20)，用于注入所述第一载流子，设置在所述第一载流子传输层(30)和所述第一电极层(10)之间；
第二载流子传输层(61)，用于传输第二载流子，设置在所述量子点发光层(50)和所述第二电极层(70)之间，
第二载流子注入层(62)，用于注入第二载流子，设置在所述量子点发光层(50)和所述第二电极层(70)之间，其中，所述第一载流子非所述第二载流子，第二载流子选自空穴或电子。
9.一种光电器件的制作方法，所述光电器件包括第一载流子传输层，其特征在于，所述制作方法包括制作所述第一载流子传输层的过程，所述过程包括：
步骤S1，合成无机半导体纳米晶；
步骤S2，使所述无机半导体纳米晶在溶剂中与螯合剂反应，得到含无机金属化合物的溶液；
步骤S3，将含所述无机金属化合物的溶液设置在载体上，干燥后形成所述第一载流子传输层。
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，
所述步骤S2包括：使所述无机半导体纳米晶在第一溶剂中与所述螯合剂反应，得到含无机金属化合物的第一溶液；
将所述第一溶液中的所述无机金属化合物进行提纯；
将提纯后的所述无机金属化合物溶解于第二溶剂中，得到含无机金属化合物的第二溶液；
所述步骤S3包括：将含所述无机金属化合物的第二溶液设置在载体上，干燥后形成所述第一载流子传输层。
11.一种显示装置，包括电致发光器件，其特征在于，所述电致发光器件包括权利要求7或8所述的光电器件。
12.一种照明装置，包括电致发光器件，其特征在于，所述电致发光器件包括权利要求7或8所述的光电器件。