技术特征：
技术总结
本发明公开了一种沟槽型超级结的制造方法，包括步骤：提供表面形成有第一导电类型的第一外延层的晶圆；采用光刻工艺定义出沟槽的形成区域；进行刻蚀形成所述沟槽；在沟槽内形成第二外延层；在沟槽中填充第三外延层且不将沟槽完全填充；形成第四介质层将沟槽完全填充；第二外延层的掺杂浓度大于第一外延层的掺杂浓度使超级结单元的第一导电类型掺杂总量由第二外延层决定；超级结单元的第二导电类型掺杂总量由第三外延层决定；利用外延生长工艺使超级结单元的PN掺杂匹配实现面内全自对准。本发明能提高超级结单元的PN掺杂匹配的面内均匀性，能提高超级结器件的反向击穿电压的面内均匀性，还能减少超级结的缺陷。
技术研发人员：李昊
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2017.03.16
技术公布日：2017.08.18