技术特征：
技术总结
本发明提供一种高压半导体介质耐压终端，包括高掺杂半导体材料层、形成于高掺杂半导体材料层上的外延层、外延层顶部部分区域处理后形成的有源器件区，在有源器件区的一侧开设有第一深槽，第一深槽垂直穿过外延层，进入到高掺杂半导体材料层，在第一深槽内的侧壁上形成有第一介质绝缘层，且在第一深槽内填充形成有半绝缘层；在外延层上垂直开设有进入到高掺杂半导体材料层的第二深槽，根据第二深槽与所述有源器件区的位置关系以及第二深槽的横向宽度与外延层的关联性，对高压半导体介质耐压终端进行设计，从而提高高压半导体介质耐压终端的耐压性能。
技术研发人员：谭开洲;付强;唐昭焕;胡刚毅;许斌;陈光炳;王健安;王育新;张振宇;杨永晖;钟怡;刘勇;黄磊;王志宽;朱坤峰;陈文锁;邱盛
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第二十四研究所
技术研发日：2017.04.18
技术公布日：2017.08.15