技术特征：
技术总结
本发明提供一种Ti掺杂CrO2外延薄膜及其制备方法，Ti掺杂CrO2外延薄膜的制备方法，包含以下步骤：将75~99.99份质量的CrO3和0.01~25份质量的TiF4混合均匀后装入石英舟，再将所述石英舟放入双温管式炉的低温区，将TiO2单晶基片放入双温区管式炉的高温区；在以100~150mL/min的流速向管式炉内持续通入O2的条件下，将高温区加热至390℃~480℃，开始保温；在高温区开始保温时，对低温区开始加热，将低温区加热至290℃~310℃，再对高温区和低温区保温1.5~3h，即在TiO2单晶基片上制得Ti掺杂CrO2外延薄膜。本发明方法的制备温度区间为390oC~480oC，所制得的Ti掺杂CrO2外延薄膜热稳定性得到了较大提高，和更多的一些高温材料有温度区间的重叠，能和更多的高温材料相互耦合形成多层膜自旋器件。
技术研发人员：卢志红;程明;张振华;熊锐
受保护的技术使用者：武汉科技大学
技术研发日：2017.04.28
技术公布日：2017.08.29