高压金属氧化物半导体元件及其制造方法与流程

文档序号:16191117发布日期:2018-12-08 05:41阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明提供一种高压金属氧化物半导体元件及其制造方法。该高压MOS元件,包含:第一导电型阱区、第二导电型本体区、栅极、多个第一导电型源区、第一导电型漏极、以及第二导电型本体连接区。其中多个第一导电型源区于宽度方向大致平行排列,且各邻近的两第一导电型源区之间于宽度方向不相邻接;第二导电型本体连接区大致沿着宽度方向延伸,而与至少二第一导电型源区重叠,使得第二导电型本体连接区包括至少第一区域与第二区域,其中第一区域与至少一第一导电型源区重叠,且第二区域与任何第一导电型源区不重叠,且于横向上,第二导电型本体连接区不与栅极邻接。

技术研发人员:黄宗义;陈巨峰
受保护的技术使用者:立锜科技股份有限公司
技术研发日:2017.05.19
技术公布日:2018.12.07
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