技术特征：
技术总结
本发明提供一种高压金属氧化物半导体元件及其制造方法。该高压MOS元件，包含：第一导电型阱区、第二导电型本体区、栅极、多个第一导电型源区、第一导电型漏极、以及第二导电型本体连接区。其中多个第一导电型源区于宽度方向大致平行排列，且各邻近的两第一导电型源区之间于宽度方向不相邻接；第二导电型本体连接区大致沿着宽度方向延伸，而与至少二第一导电型源区重叠，使得第二导电型本体连接区包括至少第一区域与第二区域，其中第一区域与至少一第一导电型源区重叠，且第二区域与任何第一导电型源区不重叠，且于横向上，第二导电型本体连接区不与栅极邻接。
技术研发人员：黄宗义;陈巨峰
受保护的技术使用者：立锜科技股份有限公司
技术研发日：2017.05.19
技术公布日：2018.12.07