层叠型基板及其制造方法与流程

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层叠型基板及其制造方法与流程

本公开涉及层叠多个布线基板而成的层叠型基板及其制造方法。



背景技术:

当前,作为具有高功能的基板,例如开发了一种层叠型基板,其具有第一布线基板、连接在该第一布线基板的上表面的半导体元件、以覆盖半导体元件那样的状态形成在第一布线基板上的密封树脂层、以及经由焊料与第一布线基板连接的第二布线基板(日本特表2009-520366号公报)。



技术实现要素:

本公开中的层叠型基板具备部件搭载用基板、密封树脂层、半导体元件、以及布线导体。部件搭载用基板具有部件的搭载面以及非搭载面。此外,连接焊盘位于各个面,并彼此电连接。密封树脂层位于与非搭载面密接的位置。半导体元件具有形成有多个电极的电极形成面。半导体元件以电极形成面从位于非搭载面的相反侧的密封树脂层的面露出的状态进行埋设。绝缘层位于与位于非搭载面的相反侧的密封树脂层的面以及电极形成面密接的位置。密封树脂层以及绝缘层具有贯通两者并以连接焊盘作为底面的通孔。进而,绝缘层具有以半导体元件的电极作为底面的过孔。布线导体位于绝缘层表面、通孔内以及过孔内。

本公开中的层叠型基板的制造方法包括:准备半导体元件以及底板的工序,所述半导体元件具有形成有多个电极的电极形成面;将所述电极形成面朝向所述底板侧而将所述半导体元件载置在所述底板上的工序;准备部件搭载用基板的工序,所述部件搭载用基板具有部件的搭载面以及非搭载面,形成在每个面的连接焊盘彼此电连接;配置所述部件搭载用基板和载置了所述半导体元件的底板,使得所述底板上的半导体元件与所述非搭载面之间具有间隙且彼此对置,随后在所述底板与所述部件搭载用基板的间隙填充密封用树脂的工序;从所述半导体元件以及密封用树脂分离所述底板,形成与所述部件搭载用基板的非搭载面密接地形成的密封树脂层的工序;形成与所述电极形成面以及密封树脂层的面密接的绝缘层的工序;形成贯通所述绝缘层以及密封树脂层且以形成在所述非搭载面的所述连接焊盘作为底面的通孔,并形成贯通所述绝缘层且以所述电极作为底面的过孔的工序;以及在所述通孔内和所述过孔内、以及所述绝缘层表面形成布线导体的工序。

附图说明

图1是示出本公开涉及的层叠型基板的一个例子的概略剖视图。

图2a~图2g是用于说明本公开涉及的层叠型基板的制造方法中的每个工序的实施方式例的概略剖视图。

图中,10:部件搭载用基板,12:绝缘层,11:密封树脂层,13:布线导体,15:连接焊盘,18:通孔,19:过孔,a:层叠型基板,f:电极形成面,s:半导体元件,t:电极。

具体实施方式

首先,基于图1对本公开涉及的层叠型基板的一个例子进行说明。

如图1所示,本公开涉及的层叠型基板a例如具有部件搭载用基板10、密封树脂层11、半导体元件s、绝缘层12、以及布线导体13。

部件搭载用基板10例如具备绝缘板14和连接焊盘15,并具有部件的搭载面10a以及非搭载面10b。在搭载面10a搭载电子部件e。非搭载面10b与密封树脂层11密接。

绝缘板14例如使玻璃布含浸环氧树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂等热固化性树脂而成,并具有多个连接孔16。

连接焊盘15例如由铜等良导电性金属构成,并形成在搭载面10a以及非搭载面10b。在形成于搭载面10a的连接焊盘15,例如经由接合线电连接电子部件e的电极。形成在两面的连接焊盘15通过形成在连接孔16内的连接导体17电连接。连接导体17例如由铜、导电性树脂等形成。

密封树脂层11例如由环氧树脂、聚氨酯树脂等热固化性树脂构成。密封树脂层11具有上表面以及平坦的下表面,并形成为上表面与部件搭载用基板10密接。

半导体元件s例如可举出微处理器、半导体存储器等,由硅、锗构成。半导体元件s具有形成有多个电极t的电极形成面f。

半导体元件s以电极形成面f在密封树脂层11的平坦的下表面内露出的状态埋设于密封树脂层11。

密封树脂层11保护半导体元件s不受外部环境侵害。

绝缘层12例如由环氧树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂等热固化性树脂构成。绝缘层12形成为与电极形成面f以及密封树脂层11的平坦的下表面密接。

在绝缘层12以及密封树脂层11形成有连续地贯通两者并且以形成在非搭载面10b的连接焊盘15作为底面的多个通孔18。

在绝缘层12形成有贯通绝缘层12并且以电极t作为底面的多个过孔19。

通孔18的直径以及过孔19的直径为大约10~100μm左右。

布线导体13例如由非电解铜镀层以及电解铜镀层等良导电性金属构成。该布线导体13形成在绝缘层12表面和通孔18内、以及过孔19内。形成在通孔18内的布线导体13与连接焊盘15电连接。形成在过孔19内的布线导体13与电极t电连接。

在绝缘层12的最表层形成有包括布线导体13的一部分的电路基板连接焊盘20。在电路基板连接焊盘20经由焊料连接搭载该层叠型基板a的电路基板的电极。

通过在半导体元件s与电路基板之间传输电信号,从而半导体元件s以及电子部件e进行工作。

像这样,根据本公开的层叠型基板a,部件搭载用基板10的非搭载面10b与密封树脂层11密接地形成。因此,即使由于由半导体元件s、电子部件e的发热造成的部件搭载用基板10、密封树脂层11的热伸缩而在两者之间产生热应力,也能够在非搭载面10b与密封树脂层11的密接面使热应力分散。由此,能够避免热应力集中在对两者进行电连接的连接焊盘15与通孔18内的布线导体13的连接部,从而能够防止产生裂痕。

其结果是,能够提供半导体元件s以及电子部件e能够稳定地工作的层叠型基板a。

接着,基于图2对本公开涉及的层叠型基板的制造方法中的每个工序的实施方式例进行说明。另外,对于与图1相同的构件标注相同的标号,并省略详细的说明。

在图2a~图2g中,示出了针对一个半导体元件s的每个工序的实施方式,但是也可以在对多个半导体元件s统一进行各工序的处理之后,在最终工序之后分割为单片。

首先,如图2a所示,准备半导体元件s以及底板p,半导体元件s具有形成有多个电极t的电极形成面f。使电极形成面f位于底板p侧而将半导体元件s载置在底板p上。

底板p例如由玻璃形成。在底板p的上表面形成有用于临时固定半导体元件s的低粘合层。

接着,如图2b所示,准备具有部件的搭载面10a以及非搭载面10b的部件搭载用基板10。将部件搭载用基板10和载置了半导体元件s的底板p配置为对置。此时,配置为,在底板p上的半导体元件s与部件搭载用基板10的非搭载面10b之间具有间隙且彼此对置。

接着,如图2c所示,用密封用树脂11p对半导体元件s与部件搭载用基板10之间进行填充,并使其固化。

密封用树脂11p例如通过如下方式来形成,即,利用将部件搭载用基板10的非搭载面10b朝向上侧载置并在该非搭载面10b上载置了密封用树脂11p的下模具和使载置于底板p的半导体元件s朝向下侧的状态的上模具,将上模具按压在下模具,使得半导体元件s埋设在密封用树脂11p内。

接着,如图2d所示,使底板p从半导体元件s以及密封用树脂11p分离。由此,形成密封树脂层11,密封树脂层11具有露出了电极形成面f的平坦面,并与部件搭载用基板10的非搭载面10b密接地形成。

接着,如图2e所示,在电极形成面f以及密封树脂层11的平坦面形成绝缘层12。

绝缘层12的形成例如通过如下方式来进行,即,将在环氧树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂组合物的未固化物中分散无机绝缘性填料而形成的膜在真空状态下热压接在电极形成面f以及密封树脂层11的平坦面。

接着,如图2f所示,形成连续地贯通绝缘层12以及密封树脂层11并且以形成在非搭载面10b的连接焊盘15作为底面的通孔18、以及贯通绝缘层12并且以电极t作为底面的过孔19。

通孔18以及过孔19例如通过激光来形成。

最后,如图2g所示,在通孔18内、过孔19内以及绝缘层12表面形成布线导体13。

布线导体13例如通过如下方式形成,即,例如通过众所周知的半加成法粘附包含非电解铜镀层以及电解铜镀层的导体图案。

由此,形成如图1所示的层叠型基板a。

像以上说明的那样,根据本公开的层叠型基板的制造方法,在形成与部件搭载用基板10的非搭载面10b密接的密封树脂层11之后,形成与半导体元件s的电极形成面f以及密封树脂层11的平坦面密接的绝缘层12。形成连续地贯通绝缘层12以及密封树脂层11并且以形成在非搭载面10b的连接焊盘15作为底面的通孔18、以及贯通绝缘层12并且以电极t作为底面的过孔19。进而,在通孔18内、过孔19内以及绝缘层12表面形成布线导体13,从而半导体元件s与部件搭载用基板10被电连接。电子部件e的电极例如经由接合线与形成于搭载面10a的连接焊盘15电连接。

像这样,部件搭载用基板10的非搭载面10b与密封树脂层11密接地形成。因此,虽然由于安装的电子部件e、半导体元件s的发热而在部件搭载用基板10以及密封树脂层11产生热伸缩,并由于两者之间的热伸缩差而产生热应力,但是能够使该热应力在部件搭载用基板10与密封树脂层11的密接面分散。由此,能够避免热应力集中在对两者进行电连接的连接焊盘15与通孔18内的布线导体13之间的连接部,从而能够防止产生裂痕。

其结果是,能够提供一种半导体元件、电子部件能够稳定地工作的层叠型基板。

另外,本公开不限定于上述的实施方式的一个例子,只要是不脱离本公开的主旨的范围,就能够进行各种变更。例如,虽然在上述的实施方式的一个例子中示出了部件搭载用基板10以及绝缘层12为一层的情况,但是也可以分别为多层构造。

例如,虽然在上述的实施方式的一个例子中示出了在层叠型基板a的表面未粘附阻焊层的情况,但是也可以粘附有阻焊层。

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