技术特征：
技术总结
本发明提供了一种宽禁带功率半导体模块封装结构，涉及电路器件封装技术领域。结构中驱动隔离保护电路和宽禁带功率半导体器件被封装在多层封装层结构中的不同层中，且被封装为一体；驱动隔离保护电路的驱动隔离控制接口通过多层封装层结构的过孔穿过多层封装层结构中的封装层，与宽禁带功率半导体器件的门极连接；所述脉冲宽度调制信号输入接口和驱动电源输入接口分别通过多层封装层结构的过孔穿过多层封装层结构中的封装层，在多层封装层结构的上表面形成脉冲宽度调制信号输入接口连接点和驱动电源输入接口连接点；所述宽禁带功率半导体器件的漏极和源极露出所述多层封装层结构，在多层封装层结构的上表面形成功率回路接口连接点。
技术研发人员：沈杰;王传宇;曹伟杰;吴跃飞;徐腾
受保护的技术使用者：乐金电子研发中心（上海）有限公司
技术研发日：2017.05.31
技术公布日：2018.12.11