技术特征：
技术总结
本发明提供一种能够维持耐压并且提高雪崩耐量的半导体装置和半导体装置的制造方法。在超结半导体装置中，在并列pn层(5)的p型区域(4)导入有作为电子陷阱发挥功能的氩。并列pn层的内部的、被导入了氩的区域(氩导入区域)(14)与p型区域(4)和n型区域(3)之间的pn结分离而配置在p型区域。另外，氩导入区域(14)通过向为了形成并列pn层而层叠的多个外延生长层分别以离子方式注入氩而形成，并且以与该外延生长层的厚度对应的间隔x1在深度方向上彼此分离而配置多个。氩导入区域(14)通过在用于形成并列pn层的p型区域的离子注入之后，使用用于形成该p型区域的离子注入用掩模而以离子方式注入氩来形成。
技术研发人员：立道秀平;竹野入俊司
受保护的技术使用者：富士电机株式会社
技术研发日：2017.06.23
技术公布日：2018.03.06