利用分隔件结构的半导体器件的制作方法

技术特征：

技术总结
本发明涉及利用分隔件结构的半导体器件。半导体器件可以包括：场绝缘层，位于基底上；栅极结构，位于基底上且与场绝缘层分开；第一分隔件结构，位于栅极结构的侧壁和下表面上且与场绝缘层分开；第二分隔件结构，位于场绝缘层的上表面的被栅极结构叠置的部分上。

技术研发人员：朴相真;高镛璿;黄寅奭
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2017.07.21
技术公布日：2018.02.13