技术特征：
技术总结
半导体器件的第一金属层包括每个都沿着第一轴延伸的多条第一金属线，和沿着第一轴延伸的第一导轨结构。第一导轨结构与第一金属线物理分离。第二金属层位于第一金属层上方。第二金属层包括每条都沿着与第一轴正交的第二轴延伸的多条第二金属线，和沿着第一轴延伸的第二导轨结构。第二导轨结构与第二金属线物理分离。第二导轨结构直接位于第一导轨结构上方。多个通孔位于第一金属层和第二金属层之间。通孔的子集将第一导轨结构电互连至第二导轨结构。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
技术研发人员：吴佳典;刘相玮;朱韦臻
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2017.08.15
技术公布日：2018.04.24