顶发射有机电致发光二极管显示器件及其制造方法与流程

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种顶发射有机电致发光二极管显示器件及其制造方法。

背景技术：

在目前，有机电致发光显示(oled)以轻薄、低耗、高响应、高分辨等特征在平板显示领域暂露头角，其潜在的市场前景被业界看好。顶发射amoled(主动式有机电致发光二极管)可有效解决由于复杂tft(薄膜场效应晶体管)补偿电路所带来的开口率降低及显示屏亮度降低的问题，同时通过利用顶发射amoled器件结构中存在的微腔效应，还可以对amoled显示屏的色域进行改善，提高显示效果。

作为顶发射amoled必须投射部分，透明阴极的透光率和导电度是至关重要的因素。常用的阴极材料如al、mg-ag、ag都只有在很薄时才能有较好的透光度，但阴极层过薄会导致断路或金属氧化，不能形成有效的欧姆接触，致使显示屏亮度不均。

技术实现要素：

鉴于现有技术中的上述问题，本发明的目的在于提供一种顶发射有机电致发光二极管显示器件及其制造方法，能够形成电极层之间的有效接触，提高图像刷新频率。

本发明提供一种顶发射有机电致发光二极管显示器件，包括：薄膜晶体管基板；有机发光层，设置在所述薄膜晶体管基板上；阴极层，设置在所述有机发光层上；阴极辅助层，设置在所述阴极层上；盖板，与所述薄膜晶体管基板相对；隔垫物，设置在所述盖板与所述薄膜晶体管基板相对的一面，与所述阴极辅助层接触。

其中，所述阴极辅助层为采用3d打印技术所形成的金属电极膜层。

所述顶发射有机电致发光二极管还包括设置在所述薄膜晶体管上的像素定义层，所述阴极层覆盖所述像素定义层，所述阴极辅助层的位置与所述像素定义层的位置相对应。

其中，所述阴极辅助层的厚度在300nm至600nm之间。

其中，所述阴极层的厚度在100nm至200nm之间。

本发明还提供一种顶发射有机电致发光二极管的制造方法，包括：形成薄膜晶体管基板；在所述薄膜晶体管基板上形成像素定义有机发光层；在所述有机层上形成阴极层；在所述阴极层上形成阴极辅助层；形成盖板，在所述盖板上形成隔垫物；对盒所述盖板与所述薄膜晶体管基板，使得所述隔垫物与所述阴极辅助层接触。

其中，在所述阴极层上形成阴极辅助层包括采用3d打印技术在有机膜层上形成金属电极膜层，将所述金属电极膜层与所述薄膜晶体管基板设置了所述阴极层的一面进行粘合，去除所述有机膜层。

其中，所述有机膜层为聚酰亚胺薄膜。

其中，将所述金属电极膜层与所述薄膜晶体管基板设置了所述阴极层的一面进行粘合包括：采用卷对卷的方式利用导电胶层将所述金属电极膜层与所述薄膜晶体管基板设置了所述阴极层的一面进行粘合。

其中该制造方法还包括在所述薄膜晶体管基板上形成像素定义层，所述阴极层覆盖所述像素定义层，所述阴极辅助层的位置与所述像素定义层的位置相对应。

根据本发明的顶发射有机电致发光二极管显示器件，采用3d打印技术，能够通过厚度较厚的阴极辅助层与阴极层结合在一起降低薄膜晶体管基板上阴极层的电阻，提高图像刷新频率，同时不会影响透光率。

附图说明

图1是示出根据现有技术的顶发射有机电致发光二极管显示器件的结构示意图。

图2是示出现有技术中形成在隔垫物上的电接触层的扫描电子图像。

图3是示出根据本发明实施例的顶发射有机电致发光二极管显示器件的结构示意图。

图4是示出根据本发明实施例的顶发射有机电致发光二极管显示器件的制造方法的工艺流程图。

图5是示出根据本发明实施例的阴极辅助层的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

如图1所示，现有技术的顶发射有机电致发光二极管显示器件，包括：玻璃基板101，设置在玻璃基板的薄膜晶体管基板102；像素定义层103，有机发光层(图中未示出)，设置在所述薄膜晶体管基板上；阴极层104设置在有机发光层上，隔垫物(ps)106，设置在阴极层上，阴极辅助层107设置在隔垫物106上。

设置阴极辅助层107的原因在于为了提高透光率，阴极材料通常使用透明电极氧化铟锡(ito)，但ito的电导率不够，只能通过辅助阴极的方式增加电导率。为了实现阴极层104与阴极辅助层107之间的电接触，在隔垫物与阴极层104之间设置电极接触层105连接阴极层104与阴极辅助层107。

将电接触层105设置在隔垫物106上电接触层105采用ito材料。但是做在ps上的方式会有ito断裂的风险。图2是示出现有技术中形成在隔垫物上的电接触层的扫描电子图像，如图2所示，在隔垫物上形成的ito电接触层发生了断裂，最终导致辅助阴极107不能有效地发挥作用。

为解决现有技术中的问题，提高电极接触的稳定性，同时降低薄膜晶体管基板上的阴极层电阻，提高图像刷新频率，本发明提供了如下的实施例。

实施例一

本实施例提供一种顶发射有机电致发光二极管显示器件。图3是示出根据本发明实施例的顶发射有机电致发光二极管显示器件的结构示意图。

如图3所示，该顶发射有机电致发光二极管显示器件包括：玻璃基板201，设置在玻璃基板的薄膜晶体管基板202；像素定义层203，设置在薄膜晶体管基板202上，有机发光层(图中未示出)，设置在所述薄膜晶体管基板上；阴极层204设置在有机发光层上，覆盖所述像素定义层203，阴极辅助层207设置在阴极层204上，阴极辅助层207的位置与所述像素定义层203的位置相对应。盖板210，与所述薄膜晶体管基板相对；隔垫物206，设置在所述盖板与所述薄膜晶体管基板相对的一面，与所述阴极辅助层207接触。

在本实施例中，所述阴极辅助层207为采用3d打印技术所形成的金属电极膜层。采用3d打印进行形成阴极辅助层的优势在于不需要进行刻蚀，能够一次成形，因此能够形成厚度较厚的阴极辅助层，而且阴极辅助层形成在所述像素定义层203的上方，较厚的电极层不会对透光率产生影响。而阴极层204由于要进行刻蚀处理，不能形成的太厚。这样厚度较厚的阴极辅助层与阴极层结合在一起能够降低薄膜晶体管基板上阴极层的电阻。

在本实施例中，所述阴极辅助层的材料为金或银，该材料能够保证良好的导电性，所述阴极辅助层204的厚度在300nm至600nm之间。

所述阴极层204的材料为azo(氧化铝锌)，所述阴极层204的厚度在100nm至200nm之间。

根据本实施例的顶发射有机电致发光二极管显示器件，能够通过厚度较厚的阴极辅助层与阴极层结合在一起降低薄膜晶体管基板上阴极层的电阻，提高图像刷新频率，同时不会影响透光率。

实施例二

本实施例提供一种顶发射有机电致发光二极管显示器件的制造方法。图4是示出根据本发明实施例的顶发射有机电致发光二极管显示器件的制造方法的工艺流程图。

如图4所示，该方法包括以下步骤。

在步骤s401中，形成薄膜晶体管基板，包括对基板衬底采用标准方法进行清洗，并进行薄膜晶体管的制备工序。

在步骤s402中，在所述薄膜晶体管基板上形成像素定义层和有机发光层。包括：用旋转涂布的方式涂覆一层光固化材料，厚度在1.6微米～2.0微米之间。进行前烘、曝光、显影、后烘、图形化过程制备像素定义层；用蒸镀的方式制备有机发光层。

在步骤s403中，在所述有机层上形成阴极层；使用溅射设备制备azo阴极层。

在步骤s404中，在阴极层上形成阴极辅助层，将阴极辅助层设置成位置与像素定义层的位置对应，也就是设置在像素定义层的上方(如图3所示)，包括：使用3d打印技术在聚酰亚胺膜层上打印材料为金或银的阴极辅助层，通过导电胶贴合到与所述薄膜晶体管基板设置了所述阴极层的一面，去掉聚酰亚胺薄膜，得到金属阴极辅助层。图5是示出根据本发明实施例的阴极辅助层的结构示意图。如图5所示，网格状的阴极辅助层502设置在聚酰亚胺薄膜501上，在将聚酰亚胺薄膜501去除之后，网格状的阴极辅助层设置在阴极层上。

采用3d打印进行形成阴极辅助层的优势在于不需要进行刻蚀，能够一次成型，因此能够形成厚度较厚的阴极辅助层，而且阴极辅助层形成在所述像素定义层203的上方，较厚的电极层不会对透光率产生影响。而阴极层204由于要进行刻蚀处理，不能形成的太厚。这样厚度较厚的阴极辅助层与阴极层结合在一起能够降低薄膜晶体管基板上阴极层的电阻。

在步骤s405中，形成盖板。

盖板的层叠结构依次为黑矩阵层、彩膜层、平坦层。其制备方式如下：

a)基板衬底采用标准方法进行清洗；并进行黑矩阵工序的制备；

b)用狭缝涂布的方式涂覆彩膜材料，前烘、曝光、显影、后烘、图形化；厚度为2.0微米；

c)使用狭缝涂布的方式涂覆平坦层材料，进行前烘、曝光、显影、后烘、图形化工艺；形成厚度为2.0微米左右。

在步骤s406中，形成盖板上形成隔垫物，具体为：用狭缝涂布的方式涂覆ps材料进行前烘、曝光、显影、后烘，图形化制备出隔垫物，厚度在2.5微米～3.0微米之间。

在步骤s407中，对盒所述盖板与薄膜晶体管基板，使得所述隔垫物与所述阴极辅助层接触，即得到顶发射有机电致发光二极管器件。

根据本实施例的顶发射有机电致发光二极管显示器件的制造方法，通过3d打印技术形成阴极辅助层，能够厚度较厚的阴极辅助层与阴极层结合在一起能够降低薄膜晶体管基板上阴极层的电阻，提高图像刷新频率，同时不会影响透光率。

本领域技术人员应当理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求决定。