一种封装基板及其制备方法、显示面板、显示装置与流程

文档序号:13542364阅读:108来源:国知局

本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种封装基板及其制备方法、显示面板、显示装置。



背景技术:

目前,oled(organicelectro-luminescentdisplay,有机电致发光显示装置)以轻薄、低功耗、高响应、高分辨率等特征在显示领域暂露头角,其潜在的市场前景被业界看好。

由于顶发射amoled(active-matrixorganiclightemittingdiode,主动式有机电致发光二极管)可有效解决由于复杂tft(thinfilmtransistor,薄膜晶体管)补偿电路所带来的开口率降低及显示屏亮度降低的问题,同时顶发射amoled结构中存在的微腔效应,还可以对amoled显示屏的色域进行改善,提高显示效果,因此顶发射结构目前得到广泛应用。

作为顶发射型oled,阴极的透过率和导电率是极为重要的,常用的阴极材料如al(铝)、mg(镁)-ag(银)、ag都只有在很薄时才具有较好的透过率,但阴极层过薄会导致断路或金属氧化,不能形成有效地欧姆接触,从而导致显示屏亮度不均,因此阴极材料通常使用透明材料如ito(indiumtinoxide,氧化铟锡),但ito的导电率较低,需要在封装基板上设置辅助电极层的方式增加导电率。



技术实现要素:

第一方面,本公开的实施例提供一种封装基板的制备方法,包括:在具有至少一个隔垫物的衬底基板上形成由导电溶液构成的膜层;所述导电溶液包括导电颗粒和溶剂,蒸发所述导电溶液的溶剂使所述导电颗粒附着在所述衬底基板上,以形成第一辅助电极层。

在本公开的一个实施例中,在具有至少一个隔垫物的衬底基板上形成由导电溶液构成的膜层以之前,所述方法还包括:对具有至少一个隔垫物的衬底基板进行加热,使所述衬底基板达到所选择的温度。

在本公开的一个实施例中,在具有至少一个隔垫物的衬底基板上形成由导电溶液构成的膜层之前,所述方法还包括:使所述衬底基板处于密闭环境,对所述衬底基板所处的密闭环境进行抽气,使所述密闭环境的气压小于空气的气压。

在本公开的一个实施例中,在具有至少一个隔垫物的衬底基板上形成由导电溶液构成的膜层之前,所述方法还包括:在所述衬底基板上形成第二辅助电极层,所述第二辅助电极层包括多个第二辅助电极,所述第二辅助电极在所述衬底基板上的投影位于所述衬底基板的非透光形成区;在所述第二辅助电极上形成所述隔垫物,所述隔垫物在所述第二辅助电极上的正投影被所述第二辅助电极的边界包围。

在本公开的一个实施例中,所述导电颗粒为金属纳米颗粒、无机导电性材料或有机导电材料,所述溶剂为水或醇类。

在本公开的一个实施例中,所述金属纳米颗粒为纳米银导电颗粒。

在本公开的一个实施例中,所述所选择的温度为200~240℃。

在本公开的一个实施例中,所述在具有至少一个隔垫物的衬底基板上形成由导电溶液构成的膜层,包括:在具有至少一个隔垫物的衬底基板上,打印或旋涂纳米导电溶液,以形成所述膜层。

在本公开的一个实施例中,在具有至少一个隔垫物的衬底基板上形成由导电溶液构成的膜层之前,所述方法还包括:在衬底基板的透光形成区形成彩色滤光图案,在衬底基板的非透光形成区形成用于间隔所述彩色滤光图案的黑矩阵图案;在所述黑矩阵图案上形成所述隔垫物。

在本公开的一个实施例中,在具有至少一个隔垫物的衬底基板上形成由导电溶液构成的膜层之前,所述方法还包括:在衬底基板的透光形成区形成彩色滤光图案,在衬底基板的非透光形成区形成用于间隔所述彩色滤光图案的黑矩阵图案;形成覆盖所述彩色滤光图案和所述黑矩阵图案的平坦层;在所述平坦层上形成所述隔垫物,所述隔垫物在所述衬底基板上的投影位于所述黑矩阵图案在所述衬底基板上的投影内。

第二方面,本公开的实施例提供一种封装基板,包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的至少一个隔垫物,还包括覆盖所述隔垫物的第一辅助电极层,所述第一辅助电极层通过上述的制备方法得到。

在本公开的一个实施例中,所述封装基板还包括设置在所述隔垫物和所述衬底基板之间的第二辅助电极,所述第二辅助电极与所述第一辅助电极层电连接。

第三方面,本公开的实施例提供一种显示面板,包括上述的封装基板和阵列基板。

在本公开的一个实施例中,所述阵列基板包括oled发光元件;所述oled发光元件的阴极或阳极与第一辅助电极层接触。

第四方面,本公开的实施例提供一种显示装置,包括上述的显示面板。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有提供的一种oled封装基板的结构示意图;

图2为本公开实施例提供的一种封装基板的制备方法的流程示意图;

图3为本公开实施例提供的一种封装基板的结构示意图一;

图4为本公开实施例提供的一种在衬底基板上形成第二辅助电极的结构示意图;

图5为本公开实施例提供的一种在第二辅助电极上形成隔垫物的结构示意图;

图6(a)为本公开实施例提供的一种封装基板的结构示意图二;

图6(b)为本公开实施例提供的一种封装基板的结构示意图三;

图7(a)为本公开实施例提供的一种封装基板的结构示意图四;

图7(b)为本公开实施例提供的一种封装基板的结构示意图五;

图8(a)为本公开实施例提供的一种显示面板的结构示意图一;

图8(b)为本公开实施例提供的一种显示面板的结构示意图二。

附图标记:

10(100)-衬底基板;20-隔垫物;301-第一辅助电极层;302-第二辅助阴极;40-彩色滤光图案;50-黑矩阵图案;60-平坦层;70-第一电极层;701-第一电极;80-发光功能层;90-第二电极层;110-像素界定层。

具体实施方式

下面将结合本公开实施例中的附图,对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

如图1所示,提供了相关技术中的一种顶发射结构的oled显示面板。在该显示面板的封装基板中,在隔垫物(photospacer,简称ps)20和衬底基板10之间设置第二辅助电极302,在隔垫物20上设置覆盖隔垫物20的一层第一辅助电极层301,第一辅助电极层301与第二辅助电极302接触,用于在oled封装基板和阵列基板对盒时,将第二辅助电极302与阴极层电连接,以降低阴极层的电阻。然而,由于第一辅助电极层301的材料一般为透明材料如ito,而ito的应力较大,因而形成在隔垫物20上的第一辅助电极层301容易断裂,最终导致第二辅助电极302不能和阴极层电连接。

本公开实施例提供了一种封装基板的制备方法,包括:在具有至少一个隔垫物的衬底基板上形成由导电溶液构成的膜层;导电溶液包括导电颗粒和溶剂,蒸发导电溶液的溶剂使导电颗粒附着在衬底基板上,以形成第一辅助电极层。

通过蒸发溶剂的方式,使得导电溶液中的导电颗粒附着在衬底基板上形成第一辅助电极层。由于导电颗粒可以有效包裹隔垫物,且相对于ito等电极材料,导电颗粒的柔性较好,从而可以防止形成在隔垫物上的第一辅助电极层断裂。

蒸发导电溶液的溶剂指的是通过加热、风干等方式使得溶剂以气态或临界气态的方式从溶液中脱离。可选地,可以通过将封装基板置于热环境中烘干的方式进行蒸发,或者可以通过向封装基板吹热风的方式进行蒸发,或者可以通过光照射的方式加热溶剂进行蒸发。

在本公开的一个实施例中,公开了一种封装基板的制备方法,如图2所示,包括:

s100、对具有至少一个隔垫物的衬底基板进行加热,以使衬底基板达到所选择的温度。

其中,对衬底基板进行加热的方式不进行限定,例如可以采用电阻加热或电磁加热等。

此处,对于所选择的温度不进行限定,可以根据导电溶液的溶剂蒸发时所需的温度进行合理设置。此外,所选择的温度应不会使隔垫物20受热变形。

可选地,所选择的温度为不低于100℃,例如120℃。

可选地,为了提高蒸发速度、快速成膜,所选择的温度为200~240℃,例如200℃。

s101、在具有至少一个隔垫物的衬底基板上形成由导电溶液构成的膜层;导电溶液包括导电颗粒和溶剂,溶剂在衬底基板的温度下蒸发以使导电颗粒附着(留)在衬底基板上,以形成第一辅助电极层。

此处,所称的溶液是一个广义上的概念,例如可以是溶质为溶剂所溶解形成的液体环境,例如可以是颗粒均匀分散在溶剂中所形成的分散体系。

此处,根据粒子状态下物质的物理微观性质,由导电颗粒形成的第一辅助电极层,厚度在一定范围时为透光状态,且相对于宏观固态金属材料,导电颗粒形成的透光的第一辅助电极层的厚度较大。

此处,对于采用何种方式将导电溶液形成在衬底基板上不进行限定。可选地,可以在形成有至少一个隔垫物的衬底基板上,打印或旋涂导电溶液,以形成膜层。

此处,对于导电溶液的类型不进行限定,例如导电颗粒可以为金属纳米颗粒、无机导电性材料或有机导电材料,溶剂可以为水或醇类(例如乙醇)。其中,金属纳米颗粒例如可以是纳米银颗粒、纳米金颗粒或纳米铂颗粒。

此处,所称的纳米颗粒,指的是颗粒的几何形态在至少一个维度上处于纳米量级。例如粒径(半径)不高于100纳米,例如粒径(半径)不高于50纳米,例如粒径(半径)不高于10纳米等。

在本公开的一个实施例中,导电溶液中使用纳米银颗粒,其具有价格便宜,电阻率小、且易于制备等优势。

在本公开的一个实施例中,导电溶液中还可以包括表面活性剂、分散稳定剂等助剂。

参考图3,当将导电溶液形成在衬底基板10上时,导电溶液中的溶剂遇热在短时间内就可以快速蒸发,从而留下导电溶液中的导电颗粒,隔垫物20处的导电颗粒便可以较好地包裹隔垫物20。

本公开实施例提供的封装基板的制备方法,由于导电溶液中的溶剂在高温下会蒸发,因而对具有至少一个隔垫物20的衬底基板10加热到所选择的温度后,当在形成有至少一个隔垫物20的衬底基板10上形成导电溶液膜层时,导电溶液中的溶剂会蒸发,这样一来,导电溶液中的导电颗粒会附着在衬底基板10上形成第一辅助电极层301。由于导电颗粒可以有效包裹隔垫物20,且相对于ito,导电颗粒的柔性较好,从而可以防止形成在隔垫物20上的第一辅助电极层301断裂。

可选地,在具有至少一个隔垫物的衬底基板10上形成由导电溶液构成的膜层之前,上述方法还包括:将衬底基板10置于密闭环境中,对衬底基板10所处的密闭环境进行抽气,以使密闭环境的气压小于空气的气压。

此处所称的空气的气压,例如可以是标准大气压。

本领域技术人员应该明白,气压越小,溶剂蒸发所需的温度便会越低。

此处,对衬底基板10所处的密闭环境进行抽气,密闭环境的气压就会降低。可选地,可以将衬底基板10所处的密闭环境的气压减小至真空环境。在真空环境下溶剂蒸发所需的温度最低。

可选地,在具有至少一个隔垫物的衬底基板10上形成由导电溶液构成的膜层之前,可以先对衬底基板10所处的密闭环境进行抽气;也可以先对具有至少一个隔垫物20的衬底基板10进行加热;当然还可以同时对衬底基板10所处的密闭环境进行抽气和对具有至少一个隔垫物20的衬底基板10进行加热。

本公开实施例,由于在具有至少一个隔垫物的衬底基板10上形成由导电溶液构成的膜层之前,还对衬底基板10所处的密闭环境进行抽气,这样在较高温度和较低气压,可以进一步加速导电溶液中溶剂的蒸发,进而可以使导电颗粒更均匀地附着在隔垫物20上,防止由导电颗粒形成的第一辅助电极层301断裂。

可选地,在具有至少一个隔垫物20的衬底基板10上形成由导电溶液构成的膜层之前,上述方法还包括:

s200、如图4所示,在衬底基板10上形成第二辅助电极层,第二辅助电极层包括多个第二辅助电极302,第二辅助电极302在衬底基板上的投影位于衬底基板的非透光形成区。

此处,非透光形成区,在封装基板与阵列基板对盒时,对应于阵列基板上的像素界定区域。

其中,对于第二辅助电极302的材料不进行限定,由于第二辅助电极302位于封装基板的非透光形成区,因而第二辅助电极302可以是非透明的,只要第二辅助电极302具有较小的电阻率即可。例如第二辅助电极302的材料可以为金属单质如ag、cu、al、mg及其合金等。

此处,第二辅助电极302的形成过程可以是:先在衬底基板10上形成导电薄膜,再通过曝光、显影以及刻蚀工艺形成多个辅助电极302。

s201、如图5所示,在第二辅助电极302上形成隔垫物20,隔垫物20在第二辅助电极302上的正投影被第二辅助电极302的边界包围。

需要说明的是,由于隔垫物20在第二辅助电极302上的投影被第二辅助电极302的边界包围,因而当在隔垫物20上形成由导电溶液构成的膜层,以形成第一辅助电极层301时,如图1所示,第一辅助电极层301会与第二辅助电极302电连接。

本公开实施例,由于在隔垫物20的下方形成第二辅助电极302,在隔垫物20的上方形成覆盖隔垫物20的第一辅助电极层301,第一辅助电极层301和第二辅助电极302电连接。当封装基板与阵列基板对盒时,第一辅助电极层301与阵列基板表面的发光元件的电极层接触,而第一辅助电极层301和第二辅助电极302电连接,因而第一辅助电极层301可以将第二辅助电极302和电极层电连接,从而可以进一步降低电极层的电阻。

基于上述,需要说明的是,当导电颗粒的电阻较小时,则由导电颗粒形成的第一辅助电极层301的电阻较小,因而可以只设置第一辅助电极层301,利用第一辅助电极层301与阵列基板的电极层接触,以降低其电阻;当导电颗粒的电阻较大时,则由导电颗粒形成的第一辅助电极层301的电阻较大,因而可以设置第一辅助电极层301和第二辅助电极302,第一辅助电极层301用于将第二辅助电极302和阴极层电连接,第一辅助电极层301用于起连接作用,第二辅助电极302电阻较小,用于降低电极层的电阻。

可选地,当封装基板用于对盒采用woled(oled发白光)等发光元件的阵列基板时,为了实现彩色显示,在具有至少一个隔垫物20的衬底基板10上形成由导电溶液构成的膜层之前,上述方法还包括:如图6(a)和图6(b)所示,在衬底基板10上形成彩色滤光图案40(其在衬底基板的投影位于衬底基板的透光形成区,该透光形成区对应于阵列基板的发光元件)和用于间隔彩色滤光图案(colourfilter,简称cf)40的黑矩阵图案(blackmatrix,简称bm)50(其在衬底基板的投影位于衬底基板的非透光形成区);在黑矩阵图案50上形成隔垫物20。

其中,彩色滤光图案40可以为红色滤光图案、绿色滤光图案或蓝色滤光图案等。

此处,可以先形成黑矩阵图案50,再形成彩色滤光图案40。在此基础上,可以先通过旋涂(spincoating)的方式涂覆彩色滤光膜层,再通过前烘、曝光、显影、后烘以及图形化等工艺形成彩色滤光图案40。彩色滤光图案40的厚度例如为2.0μm左右。

需要说明的是,当封装基板还形成有第二辅助电极302时,可以先形成彩色滤光图案40和用于间隔彩色滤光图案40的黑矩阵图案50;再在黑矩阵图案50上形成第二辅助电极302;之后,在第二辅助电极302上形成隔垫物20。

基于上述,在衬底基板10上形成黑矩阵图案50和彩色滤光图案40之后,在黑矩阵图案50上形成隔垫物20之前,上述方法还包括:如图7(a)和图7(b)所示,在衬底基板10上形成平坦层60。

其中,平坦层60的材料可以是sinx(氮化硅)、siox(氧化硅)或sioxny(氮氧化硅)中的至少一种。在此基础上,平坦层60的厚度优选为2.0μm左右。

此外,在黑矩阵图案50上形成隔垫物20,具体可以是先在衬底基板10上形成隔垫物薄膜,再通过前烘、曝光、显影、后烘以及图形化等工艺形成隔垫物20。隔垫物20的厚度例如为2.5~3.0μm。

本公开实施例,在衬底基板10上形成彩色滤光图案40,从而可以实现彩色显示。

可选地,当封装基板用于对盒采用rgboled等发光元件的阵列基板时,由于无需使用彩色滤光图案以形成彩色,此时在衬底基板的透光形成区可以形成真空或者形成有绝缘的透光填料层或者绝缘的透光材料层。其余可参考上述的与采用woled等发光元件的阵列基板对盒的封装基板,此处不再赘述。

本公开实施例提供一种封装基板,如图3所示,包括衬底基板10以及设置在衬底基板10上的至少一个隔垫物20,还包括覆盖隔垫物20的第一辅助电极层301。

此处,由于第一辅助电极层301覆盖隔垫物20,因而第一辅助电极层301是透光的,且为了确保封装基板与阵列基板对盒时,第一辅助电极层301与阵列基板表面的电极层接触后,第一辅助电极层301能够有效降低电极层的电阻,因此本公开实施例第一辅助电极层301的电阻较小。

本公开实施例,由于封装基板包括覆盖隔垫物20的第一辅助电极层301,因而当封装基板与阵列基板对盒时,第一辅助电极层301与阵列基板表面的电极层接触,从而可以降低其电阻。

可选地,第一辅助电极层301通过上述的制备方法得到。

此处,由于第一辅助电极层301是通过上述的制备方法得到的,其具有上述所称的相应技术效果。

本公开实施例由于第一辅助电极层301在制备时,通过蒸发导电溶液中的溶剂,导电溶液中的导电颗粒会附着在衬底基板10上形成第一辅助电极层301。由于导电颗粒可以有效包裹隔垫物20,且相对于ito,导电颗粒的柔性较好,从而可以防止形成在隔垫物20上的第一辅助电极层301断裂。

可选地,如图1及图6(b)所示,封装基板还包括设置在隔垫物20和衬底基板10之间的多个第二辅助电极302,第二辅助电极302与第一辅助电极层301电连接。

此处,由于第二辅助电极302位于隔垫物20和衬底基板10之间,而隔垫物20对应于阵列基板的像素界定层,因而第二辅助电极302对应于像素界定层,因此第二辅助电极302可以是非透光的,只要第二辅助电极302具有较小的电阻率即可。例如第二辅助电极302的材料可以为金属单质如ag、cu、al、mg及其合金等。

需要说明的是,当封装基板与阵列基板对盒时,第一辅助电极层301与阵列基板表面的电极层接触,由于封装基板还包括第二辅助电极302,第二辅助电极302与第一辅助电极层301接触,因而第一辅助电极层301可以将第二辅助电极302和阵列基板表面的电极层电连接,此时第一辅助电极层301相当于连接电极。

本公开实施例,由于封装基板还包括第二辅助电极302,在封装基板与阵列基板对盒时,第二辅助电极302通过第一辅助电极层301与阵列基板表面的电极层电连接,因而可以进一步降低其电阻。

本公开实施例提供一种显示面板,如图8(a)和图8(b)所示,包括上述的封装基板和阵列基板。

此处,封装基板用于对阵列基板进行封装。

此处,阵列基板上的发光元件可以是oled,例如pmoled,或amoled;例如可以是qled,例如蓝光激发的qled或电致发光的qled;例如可以是microled。

在本公开的一个实施例中,所述阵列基板包括oled发光元件;所述oled发光元件的阴极或阳极与第一辅助电极层301接触。

可选地,如图8(a)和图8(b)所示,阵列基板包括依次设置的第一电极层70、发光功能层80和第二电极层90;第二电极层90与第一辅助电极层301接触。

此处,参考图8(a)和图8(b),第一电极层70、发光功能层80和第二电极层90可以设置在衬底基板100上。其中,第一电极层70包括相互断开的多个第一电极701,第一电极701与薄膜晶体管的漏极电连接。第一电极701和发光功能层80设置在像素界定层110之间。

基于上述,阵列基板的制备过程具体如下:先对衬底基板100进行清洗,并在衬底基板100上形成薄膜晶体管;再在衬底基板100上涂覆(例如通过旋涂的方式)一层光固化材料,光固化材料的厚度优选在1.6~2.0μm,通过前烘、曝光、显影、后烘以及图形化等工艺形成像素界定层110;之后,在像素界定层110之间形成依次形成第一电极701和发光功能层80;最后,通过溅射(sputtet)或蒸镀等方式形成第二电极层90。

需要说明的是,发光功能层80除包括发光层外,还可以包括空穴传输层、空穴注入层、电子传输层以及电子注入层中的至少一种。

此外,可以是第一电极701为阳极,第二电极层90为阴极,此时阵列基板共阴极;也可以是第一电极701为阴极,第二电极层90为阳极,此时阵列基板共阳极。

本公开实施例,阵列基板表面的第二电极层90与封装基板上的第一辅助电极层301接触,从而可以降低第二电极层90的电阻,提高图像刷新频率。

可选地,第二电极层90的材料为ito和izo(indiumzincoxide,氧化铟锌)中的至少一种。

此处,由于ito和izo均为透明材料,因而第二电极层90的材料为ito或izo中的至少一种时,可以提高光的透过率,且相对金属ag、al、mg等,可以制作的较厚,防止第二电极层90断裂。

其中,当所述oled发光元件为pmoled时,位于阵列基板表面的电极层可以是oled的阴极或阳极;当所述oled发光元件为amoled时,位于阵列基板表面的电极层通常为oled的阴极。

本发明的实施例提供一种显示装置,包括上述的显示面板。

其中,本公开实施例提供的显示装置可以是显示不论运动(例如,视频)还是固定(例如,静止图像)的且不论文字还是图画的图像的任何装置。更明确地说,预期所述实施例可实施在多种电子装置中或与多种电子装置关联,所述多种电子装置例如(但不限于)移动电话、无线装置、个人数据助理(pda)、手持式或便携式计算机、gps接收器/导航器、相机、mp4视频播放器、摄像机、游戏控制台、手表、时钟、计算器、电视监视器、平板显示器、计算机监视器、汽车显示器(例如,里程表显示器等)、导航仪、座舱控制器和/或显示器、相机视图的显示器(例如,车辆中后视相机的显示器)、电子相片、电子广告牌或指示牌、投影仪、建筑结构、包装和美学结构(例如,对于一件珠宝的图像的显示器)等。

以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

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