技术特征：
技术总结
本发明公开了一种氮化物半导体发光二极管，包括：N型氮化物半导体，多量子阱，P型氮化物半导体；所述多量子阱具有V‑pits；所述V‑pits的侧壁具有V‑pits侧壁阻挡层，所述V‑pits侧壁阻挡层包括V‑pits侧壁电子阻挡层和V‑pits侧壁空穴阻挡层的组合，所述V‑pits侧壁电子阻挡层的势垒高度大于多量子阱无V‑pits区域上方的第一氮化物半导体的势垒高度，所述V‑pits侧壁空穴阻挡层的势垒高度大于多量子阱无V‑pits区域上方的第二氮化物半导体的势垒高度，所述V‑pits侧壁的电子阻挡层和空穴阻挡层形成高势垒，阻挡电子和空穴往V‑pits中心输运，防止被V‑pits底部的穿透位错吸收产生非辐射复合，提升电子和空穴在无V‑pits区域的沿c轴的纵向输运，提升电子和空穴的注入和复合效率。
技术研发人员：郑锦坚;周启伦;钟志白;陈松岩;康俊勇;杜伟华;李志明;邓和清;臧雅姝;伍明跃;徐宸科;林峰;李水清
受保护的技术使用者：厦门三安光电有限公司
技术研发日：2017.10.10
技术公布日：2018.03.27