技术特征：
技术总结
本发明提供一种半导体器件及其制作方法，该器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成有源极区和漏极区；至少在所述源极区中形成有第一掺杂类型轻掺杂区以及位于所述第一掺杂类型轻掺杂区内的第一掺杂类型重掺杂区和第二掺杂类型掺杂区。本发明提供的半导体器件具有较低的次临界摆幅，减小了漏电流，降低了功耗。
技术研发人员：陈勇;刘建朋
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2017.10.25
技术公布日：2019.05.03