技术特征：
技术总结
本发明公开了一种能够对硅片的脱水性、背面抛光情况、减薄量实现稳定控制的硅片湿刻工艺。该硅片湿刻工艺采用硅片湿刻装置，所述硅片湿刻装置包括去PSG槽、刻蚀槽、第一清洗槽、碱洗槽、酸中和槽、第二清洗槽、酸洗槽、第三清洗槽；硅片通过输送装置依次经过去PSG槽、刻蚀槽、第一清洗槽、碱洗槽、酸中和槽、第二清洗槽、酸洗槽、第三清洗槽；包括以下步骤：1)上片；2)去除PSG；3)刻蚀；4)水洗；5)碱洗；6)酸中和；7)水洗；8)酸洗；9)水洗；10)吹干，下料。采用该硅片湿刻工艺，能够便于硅片湿刻参数的稳定控制，提高硅片湿刻质量。
技术研发人员：陈五奎;刘强;徐文州
受保护的技术使用者：乐山新天源太阳能科技有限公司
技术研发日：2017.11.29
技术公布日：2018.04.20