技术特征：
技术总结
本公开提供一种异质结半导体器件，包括第一有源层和设置在第一有源层上的第二有源层。在第一有源层和第二有源层之间形成有二维电子气层。在第二有源层上设置有夹层栅极电介质层结构。在夹层栅极电介质层结构上方设置有钝化层。栅极延伸穿过钝化层到夹层栅极电介质层结构。第一欧姆接触和第二欧姆接触与第二有源层电连接。第一欧姆接触和第二欧姆接触在横向上间隔开，其中栅极设置在第一欧姆接触和第二欧姆接触之间。
技术研发人员：贾马尔·拉姆达尼
受保护的技术使用者：电力集成公司
技术研发日：2017.11.30
技术公布日：2019.04.19