本发明涉及层叠陶瓷电子部件的制造方法。
背景技术：
作为层叠陶瓷电子部件的一个例子，举例层叠陶瓷电容器。为了制造层叠陶瓷电容器，例如将形成有内部电极的陶瓷生片层叠，对得到的未加工的部件主体进行烧成后，在烧结的部件主体的相互对置的端面形成外部电极。由此，得到被引出到两侧的端面的内部电极与外部电极电连接的层叠陶瓷电容器。
近年来，伴随着电子部件的小型化以及高功能化，层叠陶瓷电容器需要小型化以及高电容化。为了实现层叠陶瓷电容器的小型化以及高电容化，增大内部电极在陶瓷生片上占有的有效面积、换句话说、相互对置的内部电极的面积是有效的。
例如，在专利文献1中，公开了一种层叠陶瓷电子部件的制造方法，具备：制作母块的工序，其中所述母块包含层叠的多个陶瓷生片、和沿着上述陶瓷生片间的多个界面分别配置的内部电极图案；通过沿着相互正交的第1方向的切断线以及第2方向的切断线将上述母块切断，来得到多个生芯片的工序，其中，多个生芯片具有层叠构造并且处于上述内部电极在通过沿着上述第1方向的切断线的切断而显现的切断侧面露出的状态，所述层叠构造构成为具有处于未加工的状态的多个陶瓷层和多个内部电极；通过在上述切断侧面涂敷陶瓷膏，形成未加工的陶瓷保护层，来得到未加工的部件主体的工序；和对上述未加工的部件主体进行烧成的工序。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：JP专利第5678905号公报
在专利文献1所述的方法中，通过切断母块以使得内部电极在侧面露出，来增大相互对置的内部电极的面积。但是，母块的切断中使用切割等方法，由于切断时的应力导致内部电极下垂，因此内部电极间的距离越短，越容易在切断侧面产生内部电极在层间接触的部位(以下，也称为短路部位)。进一步地，由于切断时的应力，切断侧面容易变粗糙。若在这样的状态下制作芯片部件，则脱脂后的阶段中的短路不良率增加。由于以上，在制造高电容的层叠陶瓷电容器的方法中，难以得到良好的切断侧面。
另外，上述的问题并不局限于制造层叠陶瓷电容器的情况，而是制造层叠陶瓷电容器以外的层叠陶瓷电子部件的情况下共通的问题。
技术实现要素：
本发明为了解决上述的问题而作出，其目的在于，提供一种具有良好的切断侧面的层叠陶瓷电子部件的制造方法。
本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法在第1方式中，具备：制作母块的工序，其中，上述母块包含层叠的多个陶瓷生片、和沿着上述陶瓷生片间的多个界面分别配置的内部电极图案；通过沿着相互正交的第1方向的切断线以及第2方向的切断线将上述母块切断，来得到多个生芯片的工序，其中，多个生芯片具有层叠构造并且上述内部电极在通过沿着上述第1方向的切断线的切断而显现的切断侧面露出，上述层叠构造构成为具有处于未加工的状态的多个陶瓷层和多个内部电极；去除上述切断侧面的金属成分的工序；通过在去除了上述金属成分之后的切断侧面形成未加工的陶瓷保护层，来得到未加工的部件主体的工序；和对上述未加工的部件主体进行烧成的工序。
在本发明的第1方式中，通过去除内部电极露出的生芯片的切断侧面的金属成分，能够去除切断时产生的内部电极的悬挂物，因此能够防止短路部位的产生。其结果，能够得到良好的切断侧面。
本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法在第1方式中，优选还具备：在去除上述金属成分的工序之前，在将排列在行方向以及列方向的多个上述生芯片的相互间隔扩宽的状态下，通过使多个上述生芯片转动，来将多个上述生芯片各自的上述切断侧面对齐并设为开放面的工序，去除被设为上述开放面的上述切断侧面的金属成分。在该情况下，能够高效地进行切断侧面的金属成分的除去、以及陶瓷保护层的形成。
本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法在第2方式中，具备：制作母块的工序，其中，上述母块包含层叠的多个陶瓷生片、和沿着上述陶瓷生片间的多个界面分别配置的内部电极图案；通过沿着第1方向的切断线将上述母块切断，来得到多个棒状的生块体的工序，其中，多个棒状的生块体具有层叠构造并且上述内部电极在通过沿着上述第1方向的切断线的切断而显现的切断侧面露出，上述层叠构造构成为具有处于未加工的状态的多个陶瓷层和多个内部电极；去除上述切断侧面的金属成分的工序；在去除了上述金属成分之后的切断侧面形成未加工的陶瓷保护层的工序；通过沿着与上述第1方向正交的第2方向的切断线，将形成有上述未加工的陶瓷保护层的上述棒状的生块体切断，来得到多个未加工的部件主体的工序；和对上述未加工的部件主体进行烧成的工序。
在本发明的第2方式中，通过去除内部电极露出的棒状的生块体的切断侧面的金属成分，能够去除切断时产生的内部电极的悬挂物，因此能够防止短路部位的产生。其结果，能够得到良好的切断侧面。
本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法在第2方式中，优选还具备：在去除上述金属成分的工序之前，在将排列在规定方向的多个上述棒状的生块体的相互间隔扩宽的状态下，通过使多个上述棒状的生块体转动，来将多个上述棒状的生块体各自的上述切断侧面对齐并设为开放面的工序，去除被设为上述开放面的上述切断侧面的金属成分。在该情况下，能够高效地进行切断侧面的金属成分的除去、以及陶瓷保护层的形成。
以下，在不特别区分本发明的第1方式以及第2方式的情况下，简称为“本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法”。
在本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法中，优选在去除上述金属成分的工序中，进行蚀刻处理。通过使金属成分溶解，能够去除内部电极的悬挂物。
优选上述蚀刻处理通过在溶解上述金属成分的酸溶液或者碱溶液中浸渍上述生芯片或者上述棒状的生块体来进行。
在本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法中，优选在去除上述金属成分的工序中，进行激光处理。通过利用激光来烧去金属成分，能够去除内部电极的悬挂物。
优选上述激光处理中的激光波长为350nm以上。若激光波长为350nm以上，则能够选择性地从切断侧面去除金属成分。
优选上述激光处理中的激光照射能量为100mJ/cm2以上且10000mJ/cm2以下。
在本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法中，优选上述未加工的陶瓷保护层通过粘贴陶瓷保护层用生片或者涂敷陶瓷保护层用膏来形成，在上述陶瓷保护层用生片或者上述陶瓷保护层用膏中实质不含有Mg。到此为止，已知通过使用含有Mg的陶瓷保护层用生片或者陶瓷保护层用膏来形成未加工的陶瓷保护层，从而在内部电极的端部形成异相并减少短路不良率的方法。与此相对地，在本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法中，即使陶瓷保护层用生片或者陶瓷保护层用膏中实质不含有Mg，也能够减少短路不良率。
在本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法中，优选上述未加工的陶瓷保护层通过涂敷陶瓷保护层用膏来形成。与粘贴陶瓷保护层用生片的方法相比，涂敷陶瓷保护层用膏的方法在形成未加工的陶瓷保护层时对生芯片或者棒状的生块体的损伤更少。因此，能够进一步减少短路不良率。
在本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法中，优选用于制作上述母块的陶瓷生片的厚度为1μm以下。在本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法中，由于去除了内部电极的悬挂物，因此即使在陶瓷生片较薄、换句话说、内部电极间的距离较短的情况下，也能够防止短路部位的产生。
根据本发明，能够提供一种具有良好的切断侧面的层叠陶瓷电子部件的制造方法。
附图说明
图1是示意性地表示通过本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法而得到的层叠陶瓷电容器的一个例子的立体图。
图2是示意性地表示构成图1所示的层叠陶瓷电容器的部件主体的一个例子的立体图。
图3是示意性地表示为了制作图2所示的部件主体而准备的生芯片的一个例子的立体图。
图4是示意性地表示为了制作图3所示的生芯片而准备的形成有内部电极图案的陶瓷生片的一个例子的俯视图。
图5(a)是用于对将图4所示的陶瓷生片层叠的工序进行说明的立体图，图5(b)以及图5(c)是用于对将图4所示的陶瓷生片层叠的工序进行说明的俯视图。
图6是用于对将母块切断的工序进行说明的立体图。
图7是表示将排列在行方向以及列方向的多个生芯片的相互间隔扩宽的状态的立体图。
图8(a)以及图8(b)是用于对使生芯片转动的工序进行说明的立体图。
图9(a)以及图9(b)是用于对去除切断侧面的金属成分的工序进行说明的图。
图10是用于对形成未加工的陶瓷保护层的工序进行说明的图。
-符号说明-
11 层叠陶瓷电容器(层叠陶瓷电子部件)
12 部件主体
13、14 主面
15、16 侧面
17、18 端面
19 生芯片
20、21 切断侧面
22、23 陶瓷保护层
24 层叠部
25 陶瓷层
26、27 内部电极
26A 内部电极的悬挂物
28、29 外部电极
31 陶瓷生片
32 内部电极图案
33 第1方向的切断线
34 第2方向的切断线
35 母块
36、37 切断端面
38 粘着片
具体实施方式
以下，对本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法进行说明。
但是，本发明并不限定于以下的构成，能够在不变更本发明的主旨的范围内适当地变更并应用。另外，将以下所述的本发明的各个优选构成的2个以上组合而成的方式也是本发明。
作为本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法的一实施方式，以层叠陶瓷电容器的制造方法为例进行说明。另外，本发明的制造方法也能够应用于层叠陶瓷电容器以外的层叠陶瓷电子部件。
首先，对通过本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法而得到的层叠陶瓷电容器进行说明。图1是示意性地表示通过本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法而得到的层叠陶瓷电容器的一个例子的立体图。图2是示意性地表示构成图1所示的层叠陶瓷电容器的部件主体的一个例子的立体图。
图1所示的层叠陶瓷电容器11具备部件主体12。如图2所示，部件主体12呈长方体状或者大致长方体状，具有：相互对置的1对主面13以及14、相互对置的1对侧面15以及16、相互对置的1对端面17以及18。
图3是示意性地表示为了制作图2所示的部件主体而准备的生芯片的一个例子的立体图。如后面所述，图2所示的部件主体12是通过对在图3所示的生芯片19的相互对置的1对侧面(以下，称为切断侧面)20以及21上分别形成未加工的陶瓷保护层22以及23的部件进行烧成而得到的。在以下的说明中，将烧成后的部件主体12中出自于生芯片19的部分称为层叠部24。
如图2以及图3所示，部件主体12中的层叠部24具有层叠构造，该层叠构造构成为具有：在主面13以及14的方向延伸并且在与主面13以及14正交的方向层叠的多个陶瓷层25、和沿着陶瓷层25间的界面形成的多对内部电极26以及27。部件主体12具有在层叠部24的切断侧面20以及21上配置的1对陶瓷保护层22以及23以使得分别提供该侧面15以及16。优选陶瓷保护层22以及23的厚度相互相同。
另外，在图1以及图2中，为了说明方便，清楚地图示了层叠部24分别与陶瓷保护层22以及23的边界，但这种边界也可以不清楚显现。
如图2以及图3所示，内部电极26与内部电极27隔着陶瓷层25而相互对置。通过内部电极26与内部电极27对置，发现了电特性。也就是说，在图1所示的层叠陶瓷电容器11中，形成静电电容。
内部电极26具有在部件主体12的端面17露出的露出端，内部电极27具有在部件主体12的端面18露出的露出端。另一方面，由于配置了上述的陶瓷保护层22以及23，因此内部电极26以及27在部件主体12的侧面15以及16不露出。
如图1所示，层叠陶瓷电容器11还具备在部件主体12的至少1对端面17以及18上分别形成的外部电极28以及29，以使得与内部电极26以及27各自的露出端分别电连接。
外部电极28以及29分别形成在部件主体12的至少1对端面17以及18上，在图1中，具有回绕到主面13以及14还有侧面15以及16的各一部分的部分。
作为构成内部电极的导电材料，例如能够使用Ni、Cu、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等。
作为构成陶瓷层以及陶瓷保护层的陶瓷材料，例如能够使用以BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3、CaZrO3等为主成分的电介质陶瓷。
优选构成陶瓷保护层的陶瓷材料至少主成分与构成陶瓷层的陶瓷材料相同。在该情况下，特别优选相同组成的陶瓷材料被用于陶瓷层和陶瓷保护层这两者。
如上所述，本发明的制造方法也能够应用于层叠陶瓷电容器以外的层叠陶瓷电子部件。例如，在层叠陶瓷电子部件是压电部件的情况下，使用PZT系陶瓷等的压电体陶瓷、在热敏电阻的情况下，使用尖晶石系陶瓷等的半导体陶瓷。
优选外部电极由基底层和形成在基底层上的镀层构成。作为构成基底层的导电材料，例如能够使用Cu、Ni、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等。基底层可以通过应用将导电性膏涂敷在未烧成的部件主体上并与部件主体同时烧成的共烧法来形成，也可以通过应用将导电性膏涂敷在烧成后的部件主体上并进行烧附的逐次烧成法来形成。或者，基底层可以通过直接镀覆来形成，也可以通过使包含热固化性树脂的导电性树脂固化来形成。
优选形成在基底层上的镀层是Ni镀以及其上的Sn镀的双层构造。
接下来，作为本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法的一个例子，对图1所示的层叠陶瓷电容器11的制造方法进行说明。
首先，准备应成为陶瓷层的陶瓷生片。陶瓷生片例如在载体薄膜上，使用涂敷机、凹版涂敷机、微型凹版涂敷机等来成型。
陶瓷生片的厚度通常为3μm以下，优选为1μm以下，更优选为0.6μm以下。
接下来，在陶瓷生片上，具有规定的图案地印刷导电性膏。
图4是示意性地表示为了制作图3所示的生芯片而准备的形成有内部电极图案的陶瓷生片的一个例子的俯视图。
如图4所示，通过在应成为陶瓷层25的陶瓷生片31上，具有规定的图案地印刷导电性膏，从而形成应分别成为内部电极26以及27的内部电极图案32。具体而言，在陶瓷生片31上，形成多列带状的内部电极图案32。
内部电极图案的厚度并不被特别限定，但优选为1.5μm以下。
然后，进行层叠工序，将形成有内部电极图案的陶瓷生片偏移并层叠规定片数，在其上下层叠规定片数的未形成内部电极图案的陶瓷生片。
图5(a)是用于对将图4所示的陶瓷生片层叠的工序进行说明的立体图。
如图5(a)所示，将形成有内部电极图案32的陶瓷生片31沿着宽度方向偏移规定间隔、即内部电极图案32的宽度方向尺寸的一半并且层叠规定片数。进一步地，在其上下层叠规定片数的未印刷有内部电极图案的陶瓷生片。
图5(b)以及图5(c)是用于对将图4所示的陶瓷生片层叠的工序进行说明的俯视图。图5(b)以及图5(c)分别将第1层以及第2层的陶瓷生片放大表示。
在图5(b)以及图5(c)中，表示与带状的内部电极图案32延伸的方向正交的宽度方向(图5(b)以及图5(c)中的上下方向)的切断线33、以及相对于此正交的长边方向(图5(b)以及图5(c)中的左右方向)的切断线34的各一部分。带状的内部电极图案32具有2个内部电极26以及27被各自的引出部彼此连结的部件沿着长边方向相连的形状。在图5(b)以及图5(c)中，切断线33以及34被共用表示。
层叠工序的结果，得到包含层叠的多个陶瓷生片、和沿着陶瓷生片间的多个界面分别配置的内部电极图案的母块。得到的母块通过等静压冲压等的手段而在层叠方向被冲压。
通过沿着相互正交的第1方向的切断线以及第2方向的切断线将被冲压的母块切断，得到多个生芯片。对于该切断，例如能够应用切割、押切、激光切割等方法。
图6是用于对将母块切断的工序进行说明的立体图。
在图6中，母块35沿着相互正交的第1方向的切断线33以及第2方向的切断线34被切断，得到排列在行方向以及列方向的多个生芯片19。在图6中，通过虚线来表示位于母块35的内部的最上方的内部电极图案32。另外，虽然在图6中，从1个母块35取出6个生芯片19，但实际上能取出更多的生芯片19。
如图3所示，各生芯片19具有层叠构造，该层叠构造构成为具有处于未加工的状态的多个陶瓷层25和多个内部电极26以及27。生芯片19的切断侧面20以及21是通过沿着第1方向的切断线33的切断而显现的面，切断端面36以及37是通过第2方向的切断线34的切断而显现的面。内部电极26以及27的全部在切断侧面20以及21露出。此外，仅内部电极26在一个切断端面36露出，仅内部电极27在另一个切断端面37露出。
另外，如图6所示，优选母块35在粘贴于具有扩张性的粘着片38上的状态下被切断，以使得多个生芯片19在行方向以及列方向排列。在该情况下，能够通过未图示的扩展装置来扩张粘着片38。
图7是表示将排列在行方向以及列方向的多个生芯片的相互间隔扩宽的状态的立体图。
通过将图6所示的粘着片38扩张，如图7所示，排列在行方向以及列方向的多个生芯片19被设为将相互间隔扩宽的状态。
接着，优选进行转动工序，通过使多个生芯片转动，而将多个生芯片各自的切断侧面对齐并设为开放面。
图8(a)以及图8(b)是用于对使生芯片转动的工序进行说明的立体图。
通过使图8(a)所示的生芯片19旋转90度，如图8(b)所示，切断侧面20能够设为朝向上方的开放面。
进行去除切断侧面的金属成分的工序。在该工序中，也可以去除切断侧面的陶瓷成分，但优选仅去除金属成分。优选在进行上述的转动工序的情况下，进行去除通过转动工序而朝向上方的切断侧面的金属成分的工序。
若去除切断侧面的金属成分的工序在切断母块之后、形成未加工的陶瓷保护层之前，就可以在任何阶段进行。因此，例如，可以去除转动工序之前的切断侧面的金属成分，也可以在不进行转动工序的情况下，去除通过切断而得到的切断侧面的金属成分。
图9(a)以及图9(b)是用于对去除切断侧面的金属成分的工序进行说明的图。图9(a)以及图9(b)是从生芯片的端面方向表示的切断侧面附近的放大图。
如图9(a)所示，在切断侧面20，由于切断时的应力而存在内部电极26的悬挂物26A。通过去除切断侧面20的金属成分，如图9(b)所示，能够去除内部电极26的悬挂物26A。
作为去除金属成分的方法，例如举例：蚀刻处理(化学蚀刻、电解蚀刻等)、激光处理、电子束处理(CP法、FIB法等)、喷丸处理(喷砂处理等)、放电处理、超声波处理等。也可以将这些处理组合。从防止短路部位的产生的观点出发，优选蚀刻处理或者激光处理。
蚀刻处理优选通过向溶解金属成分的酸溶液或者碱溶液浸渍生芯片来进行。例如，在内部电极的导电材料是Ni的情况下，能够使用氰系或者非氰系的蚀刻液。另外，蚀刻处理可以是化学蚀刻，也可以是电解蚀刻。
蚀刻处理的温度并不被特别限定，例如设为50℃以上且100℃以下。
蚀刻处理的时间并不被特别限定，例如设为10秒以上且30秒以下。
激光处理优选通过向朝向上方的切断侧面照射激光来进行。
激光处理中的激光波长优选为350nm以上。此外，激光波长优选为1200nm以下，更优选为1000nm以下。
激光处理中的激光照射能量优选为100mJ/cm2以上，更优选为500mJ/cm2以上。此外，激光照射能量优选为10000mJ/cm2以下，更优选为5000mJ/cm2以下。
激光处理中的光束波形优选为平顶。
激光处理中的脉冲宽度优选处于从微秒到皮秒的范围。
在去除了切断侧面的金属成分之后，在切断侧面形成未加工的陶瓷保护层。未加工的陶瓷保护层例如通过粘贴陶瓷保护层用生片或者涂敷陶瓷保护层用膏来形成。
图10是用于对形成未加工的陶瓷保护层的工序进行说明的图。如图10所示，通过在去除了金属成分后的切断侧面20粘贴陶瓷保护层用生片，或者涂敷陶瓷保护层用膏，能够形成未加工的陶瓷保护层22。
优选在陶瓷保护层用生片或者陶瓷保护层用膏中，含有与用于制作母块的陶瓷生片相同的陶瓷原料来作为主成分。
此外，优选在陶瓷保护层用生片或者陶瓷保护层用膏中实质不含有Mg。
在形成未加工的陶瓷保护层之后，根据需要进行干燥工序。在干燥工序中，形成有未加工的陶瓷保护层22的生芯片19例如被放入设定为120℃的烤箱5分钟。
接下来，优选进行与参照图8来说明的工序相同的转动工序。也就是说，优选进行通过使多个生芯片转动来将多个生芯片的各自的切断侧面对齐并设为开放面的转动工序。在该情况下，通过使生芯片旋转180度，相反的一侧的切断侧面能够设为朝向上方的开放面。
针对相反的一侧的切断侧面，也与上述同样地，去除切断侧面的金属成分，并形成未加工的陶瓷保护层即可。去除金属成分的方法以及条件可以相同，也可以不同。此外，在形成未加工的陶瓷保护层之后，根据需要，进行干燥工序。通过以上工序，得到未加工的部件主体。
得到的未加工的部件主体被烧成。烧成温度也根据未加工的部件主体中包含的陶瓷材料或金属材料，但例如为900℃以上且1300℃以下的范围。
在烧成后的部件主体的两端面17以及18涂敷导电性膏，进行烧附，并且根据需要实施镀覆，从而形成外部电极28以及29。另外，导电性膏的涂敷可以针对未加工的部件主体实施，也可以在未加工的部件主体的烧成时，同时进行导电性膏的烧附。
这样，制造出图1所示的层叠陶瓷电容器11。
虽然在上述的实施方式中，在第1方向的切断线以及第2方向的切断线将母块切断并得到多个生芯片后，去除切断侧面的金属成分，形成未加工的陶瓷保护层，但也可以如以下那样进行变更。
也就是说，也可以通过仅沿着第1方向的切断线将母块切断，从而得到内部电极在通过沿着第1方向的切断线的切断而显现的切断侧面露出的多个棒状的生块体，然后去除切断侧面的金属成分，形成未加工的陶瓷保护层之后，在第2方向的切断线进行切断来得到多个未加工的部件主体，然后，对未加工的部件主体进行烧成。烧成后，通过进行与所述的实施方式相同的工序，能够制造层叠陶瓷电子部件。
【实施例】
以下，表示更具体地公开了本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法的实施例。另外，本发明并不仅仅限定于这些实施例。
[层叠陶瓷电容器的制作]
(实施例1)
向作为陶瓷原料的BaTiO3添加聚乙烯醇缩丁醛系粘合剂、增塑剂以及作为有机溶剂的乙醇，通过球磨机来将这些湿式混合，制作出陶瓷浆料。接下来，通过刮片方式来将该陶瓷浆料片状成型，得到矩形的陶瓷生片。接下来，在上述陶瓷生片上，对含有Ni的导电性膏进行丝网印刷，形成以Ni为主成分的内部电极图案。
将形成有内部电极图案的陶瓷生片在宽度方向偏移并且层叠多片，在其上下层叠未印刷有内部电极图案的陶瓷生片，从而得到母块。通过等静压冲压在层叠方向对得到的母块进行冲压。
通过将被冲压的母块切断为芯片形状，得到各个内部电极在两端面以及两侧面露出的生芯片。切断后，进行基于纯水的超声波清洗。
针对生芯片的一个切断侧面，进行蚀刻处理。将EnstripNP-1液∶EnstripNP-2液∶纯水＝1∶1∶3(体积比)即非氰系镀覆剥离剂用作为蚀刻液，以温度70℃浸渍20秒。
在蚀刻处理后，进行基于纯水的超声波清洗，然后，使水分干燥。接着，通过在蚀刻处理后的切断侧面粘贴陶瓷保护层用生片，来形成未加工的陶瓷保护层。陶瓷保护层用生片的组成与陶瓷生片的组成相同。
针对生芯片的另一方的切断侧面，也与上述同样地，进行蚀刻处理后，形成未加工的陶瓷保护层。由此，得到未加工的部件主体。
在将得到的未加工的部件主体在氮气环境中进行脱脂后，在氢/氮气混合环境中进行烧成。烧成后，通过导电性膏的涂敷以及烧附，形成外部电极，制作出实施例1的层叠陶瓷电容器。
(实施例2)
通过与实施例1相同的方法来制作生芯片。针对生芯片的一个切断侧面，进行了激光处理。激光照射的条件为：激光波长：532nm、激光照射能量：5700mJ/cm2、光束波形：平顶、脉冲宽度：20纳秒。
然后，与实施例1同样地，形成未加工的陶瓷保护层。针对生芯片的另一个切断侧面，也与上述同样地，进行激光处理后，形成未加工的陶瓷保护层。其他，通过与实施例1相同的方法，形成到外部电极，制作出实施例2的层叠陶瓷电容器。
(比较例1)
除了未针对生芯片的切断侧面进行蚀刻处理以外，与实施例1同样地形成到外部电极，制作出比较例1的层叠陶瓷电容器。
[评价]
(完全短路部位)
使用扫描式电子显微镜(SEM)，以倍率7000倍对形成外部电极之前的切断侧面进行拍摄。对内部电极14～16根之中Ni粒子彼此完全在层间接触的位置的数目进行测定。将结果表示在表1的“完全短路部位”中。将完全短路部位的数目为0的情况评价为◎(优)，将1个以上的情况评价为×(不可)。
(脱脂后短路率)
通过LCR仪表来分别测定100个层叠陶瓷电容器的静电电容，计算短路不良的产生率。将结果表示在表1的“脱脂后短路率”。将脱脂后短路率小于80％的情况评价为◎(优)，将为80％以上且小于100％的情况评价为○(良)，将100％的情况评价为×(不可)。
【表1】
如表1所示，在切断了母块后、形成未加工的陶瓷保护层之前，未针对切断侧面进行蚀刻处理或者激光处理的比较例1中，产生了完全短路部位，与此相对地，在针对切断侧面进行了蚀刻处理的实施例1、以及进行了激光处理的实施例2中，完全短路部位为0。进一步地，在实施例1以及2中，相比于比较例1，脱脂后短路率也大大地降低。