一种干刻蚀方法及多晶硅薄膜晶体管与流程

技术特征：

1.一种干刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括：

对图案层上的块状光阻进行灰化处理，所述灰化处理过程中所述块状光阻边缘灰化速度大于所述块状光阻中部灰化速度，使得所述块状光阻边缘坡度变缓；

对所述图案层及其上的所述块状光阻进行蚀刻处理，以获得所述块状光阻图案形状定义的所述图案层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用含氧基团等离子体对所述块状光阻进行灰化处理。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含氧基团等离子体为氧气等离子体或含有氧气和六氟化硫的等离子体。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用含氯基团等离子体对所述图案层及其上的所述块状光阻进行蚀刻处理。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述含氯基团等离子体为氯气等离子体或含有氯气和六氟化硫的等离子体。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述灰化处理的上极板电压为6KV-15KV，下极板电压为0-5KV，处理时间为10s-60s。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述刻蚀过程中，上极板电压为5KV-15KV，下极板电压为2-10KV，处理时间为30s-80s。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图案层为多晶硅层。

9.如权利要求1-8任一所述的方法，其特征在于，图案层边缘坡度小于60°。

10.一种多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述多晶硅薄膜晶体管采用包括权利要求1-9任一所述的方法制备。