技术总结
本发明公开了一种干刻蚀方法及多晶硅薄膜晶体管，其中方法包括：对图案层上的块状光阻进行灰化处理，所述灰化处理过程中所述块状光阻边缘灰化速度大于所述块状光阻中部灰化速度，使得所述块状光阻边缘坡度变缓；对所述图案层及其上的所述块状光阻进行蚀刻处理，以获得所述块状光阻图案形状定义的所述图案层。通过上述方式，本发明能够得到边缘坡度变缓的所述块状光阻；由于此时的所述块状光阻边缘坡度较缓，之后再对所述图案层及其上的所述块状光阻进行蚀刻，能够使所述块状光阻图案形状定义的所述图案层的坡度减小，进而提高产品电信号的稳定性。
技术研发人员：张海杰
受保护的技术使用者：深圳市华星光电技术有限公司
技术研发日：2017.12.05
技术公布日：2018.06.12