本发明涉及半导体集成电路制造领域，且特别涉及一种电子束扫描程式参数自调整方法。
背景技术：
随着半导体芯片的集成度不断提高，晶体管的特征尺寸不断缩小到纳米级，生产工艺也越来越复杂。生产中的诸多因素会导致特征尺寸的变化，进而导致晶体管性能的变化，影响良率。先进工艺不但要能够提供解析特征尺寸线宽的技术能力，还要有保证特征尺寸线宽均匀度和稳定度的能力。在芯片的大规模生产中保证特征尺寸线宽均匀度和稳定度对稳定产品良率有十分重要的意义。为了保证稳定的产品良率，需要准确确定工艺窗口，避免在工艺窗口边缘可能产生缺陷导致产品出现质量问题。
随着集成电路工艺的发展以及关键尺寸按比例缩小，半导体工艺也越来越复杂，缺陷检测也变得越来越困难与复杂，电子束(E-Beam)缺陷检测机台应用比较广泛，在研发阶段能够找到工艺窗口，在实现量产过程中能够辅助工程师发现系统问题并及时调整工艺窗口，此外，在大量生产时，E-Beam能够用来模拟漂移现象，然而这些缺陷不能被普遍使用的光学检测机台所发现，然而在我们实际应用中，由于机台的存在不稳定性，工艺预设参数在实际扫描时会出现偏差，从而影响扫描结果，影响工程师做出正确的判断。
技术实现要素：
本发明提出一种电子束扫描程式参数自调整方法，通过预扫描方式解决目前E-beam扫描参数不稳定的问题。
为了达到上述目的，本发明提出一种电子束扫描程式参数自调整方法，包括下列步骤：
建立工艺流程，并加入预扫描程式；
选定进行预扫描的区域，并且保存当层最佳影像图片；
设定工艺参数调整范围；
根据预扫描程式进行小范围扫描，通过对比在设定的工艺参数调整范围内找到最佳参数值；
根据预扫描得到的最佳参数值，反馈到工艺中，修改工艺参数，达到预设扫描效果。
进一步的，所述最佳参数值根据对比当前扫描图像和最佳影像图片后确定。
进一步的，所述预扫描采用扫描电子显微镜进行扫描。
本发明提出的电子束扫描程式参数自调整方法，通过机台扫描程式的改进，在进入正式扫描之前，通过对wafer特定区域的预扫描，寻找到最佳扫描条件，以达到最好的扫描目的。本发明通过预扫描方式解决目前E-beam扫描参数不稳定的问题。
附图说明
图1所示为本发明较佳实施例的电子束扫描程式参数自调整方法流程图。
具体实施方式
以下结合附图给出本发明的具体实施方式，但本发明不限于以下的实施方式。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用于方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
请参考图1，图1所示为本发明较佳实施例的电子束扫描程式参数自调整方法流程图。本发明提出一种电子束扫描程式参数自调整方法，包括下列步骤：
步骤S100：建立工艺流程，并加入预扫描程式；
步骤S200：选定进行预扫描的区域，并且保存当层最佳影像图片；
步骤S300：设定工艺参数调整范围；
步骤S400：根据预扫描程式进行小范围扫描，通过对比在设定的工艺参数调整范围内找到最佳参数值；
步骤S500：根据预扫描得到的最佳参数值，反馈到工艺中，修改工艺参数，达到预设扫描效果。
根据本发明较佳实施例，所述最佳参数值根据对比当前扫描图像和最佳影像图片后确定。
进一步的，所述预扫描采用扫描电子显微镜进行扫描。
综上所述，本发明提出的电子束扫描程式参数自调整方法，通过机台扫描程式的改进，在进入正式扫描之前，通过对wafer特定区域的预扫描，寻找到最佳扫描条件，以达到最好的扫描目的。本发明通过预扫描方式解决目前E-beam扫描参数不稳定的问题。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。