一种结构改良的LED芯片的制作方法

本实用新型涉及LED芯片技术领域，尤其涉及一种结构改良的LED芯片。

背景技术：

随着LED灯应用范围越来越广，大功率高亮度LED芯片应运而生；近年来随着大功率高亮度LED芯片的研制成功及其反光效率的不断提高，越来越多的大功率高亮度LED开始进入照明领域。

需进一步指出，作为LED灯具的核心组成部分，LED芯片的发光效果直接影响着整个灯具的发光效果。其中，对于现有的LED芯片而言，发光的时候会在中心区域广度最亮，且会在光源的边缘形成黑影，这严重地影响了芯片的发光效果。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于针对现有技术的不足而提供一种结构改良的LED芯片，该结构改良的LED芯片设计新颖、结构简单，且能够有效地防止芯片中心区域位置光度最亮并消除芯片边缘形成黑影情况。

为达到上述目的，本实用新型通过以下技术方案来实现。

一种结构改良的LED芯片，包括有芯片发光电路层，芯片发光电路层的上表面均匀涂覆有荧光粉层，荧光粉层的上端侧装设有与荧光粉层平行间隔分布的白反层，白反层与荧光粉层之间设置有硅胶层，硅胶层的上表面与白反层的下表面粘接，硅胶层的下表面与荧光粉层的上表面粘接；

白反层上表面的中间位置或者硅胶层上表面的中间位置开设有呈“十”字形状的中间槽。

其中，当所述中间槽位于所述白反层上表面的中间位置时，中间槽的各末端分别延伸至所述白反层相应的侧面。

其中，当所述中间槽位于所述硅胶层上表面的中间位置时，中间槽的各末端分别延伸至所述硅胶层相应的侧面。

本实用新型的有益效果为：本实用新型所述的一种结构改良的LED芯片，其包括有芯片发光电路层，芯片发光电路层的上表面均匀涂覆有荧光粉层，荧光粉层的上端侧装设有与荧光粉层平行间隔分布的白反层，白反层与荧光粉层之间设置有硅胶层，硅胶层的上表面与白反层的下表面粘接，硅胶层的下表面与荧光粉层的上表面粘接；白反层上表面的中间位置或者硅胶层上表面的中间位置开设有呈“十”字形状的中间槽。通过上述结构设计，本实用新型能够有效地防止芯片中心区域位置光度最亮并消除芯片边缘形成黑影情况，即本实用新型具有设计新颖、结构简单、发光效果好的优点。

附图说明

下面利用附图来对本实用新型进行进一步的说明，但是附图中的实施例不构成对本实用新型的任何限制。

图1为本实用新型的结构示意图。

图2为本实用新型另一视角的结构示意图。

在图1和图2中包括有：

1——芯片发光电路层 2——荧光粉层

3——白反层 4——硅胶层

5——中间槽。

具体实施方式

下面结合具体的实施方式来对本实用新型进行说明。

如图1和图2所示，一种结构改良的LED芯片，包括有芯片发光电路层1，芯片发光电路层1的上表面均匀涂覆有荧光粉层2，荧光粉层2的上端侧装设有与荧光粉层2平行间隔分布的白反层3，白反层3与荧光粉层2之间设置有硅胶层4，硅胶层4的上表面与白反层3的下表面粘接，硅胶层4的下表面与荧光粉层2的上表面粘接。

进一步的，白反层3上表面的中间位置或者硅胶层4上表面的中间位置开设有呈“十”字形状的中间槽5。

需进一步解释，当中间槽5位于白反层3上表面的中间位置时，中间槽5的各末端分别延伸至白反层3相应的侧面；另外，当中间槽5位于硅胶层4上表面的中间位置时，中间槽5的各末端分别延伸至硅胶层4相应的侧面。

需进一步指出，在本实用新型使用过程中，对于开设于白反层3上表面的中间位置或者硅胶层4上表面的中间位置的中间槽5而言，其能够有效地防止芯片中心区域位置光度最亮并消除芯片边缘形成黑影情况。

综合上述情况可知，通过上述结构设计，本实用新型具有设计新颖、结构简单、发光效果好的优点。

以上内容仅为本实用新型的较佳实施例，对于本领域的普通技术人员，依据本实用新型的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。