AMOLED显示装置的制作方法

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种AMOLED显示装置。

背景技术：

有机发光二极管显示装置(Organic Light Emitting Display，OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。

OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(TFT)矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。

AMOLED是电流驱动器件，当有电流流过有机发光二极管时，有机发光二极管发光，且发光亮度由流过有机发光二极管自身的电流决定。大部分已有的集成电路(Integrated Circuit，IC)都只传输电压信号，故AMOLED的像素驱动电路需要完成将电压信号转变为电流信号的任务。传统的AMOLED像素驱动电路通常为2T1C，即两个薄膜晶体管加一个电容的结构，将电压变换为电流。

现有的AMOLED显示装置一般在TFT阵列基板上的平坦化层上制作多条像素隔离坝(Bank)，由多条像素隔离坝在TFT阵列基板上限定出多个像素区域，之后采用打印的方式在多个像素区域内制作OLED功能层，具体为将溶液态的OLED材料滴到多个像素区域内，之后对OLED材料进行干燥，得到OLED功能层。由于像素隔离坝采用的有机材料一般具有亲水性或疏水性，在采用亲水性材料制作像素隔离坝时，采用打印的方式制作的OLED功能层在像素区域中心的厚度要小于在像素区域边缘的厚度，在采用疏水性材料制作像素隔离坝时，采用打印的方式制作的OLED功能层在像素区域中心的厚度要大于在像素区域边缘的厚度，也即OLED功能层的膜厚不均，在此基础上驱动AMOLED显示装置进行显示时，电流在流过厚度不均的OLED功能层后，同一像素区域发出的光亮度不均，影响显示品质。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种AMOLED显示装置，显示时每一像素区域内的发光亮度均匀，显示品质高。

为实现上述目的，本实用新型提供一种AMOLED显示装置，包括：TFT基板、设于TFT基板上的多条像素隔离坝、设于TFT基板上的多个OLED功能层、及设于多个OLED功能层上的阴极；所述多条像素隔离坝在TFT基板上限定出多个像素区域，多个OLED功能层分别位于多个像素区域内；

所述TFT基板包括衬底基板、设于衬底基板上的TFT阵列层、及设于TFT阵列层上且对应位于多个像素区域内的多个阳极层；

每一阳极层均包括：位于对应的像素区域的中心的第一阳极、及设于第一阳极周围且与第一阳极间隔的第二阳极；第一阳极与其上方的OLED功能层及阴极构成第一子OLED，第二阳极与其上方的OLED功能层及阴极构成第二子OLED；

所述AMOLED显示装置对应每一像素区域设有一像素驱动电路，所述像素驱动电路分别与第一阳极及第二阳极电性连接。

可选地，所述像素隔离坝的材料为亲水性材料，所述OLED功能层与第一阳极对应的部分的厚度小于与第二阳极对应的部分的厚度。

可选地，所述像素隔离坝的材料为疏水性材料，所述OLED功能层与第一阳极对应的部分的厚度大于与第二阳极对应的部分的厚度。

每一像素驱动电路均包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体、第一电容、第二电容；

所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体、第一电容、第二电容均位于TFT阵列层中；所述第一薄膜晶体管的栅极接入扫描信号，源极接入第一数据信号，漏极电性连接第二薄膜晶体管的栅极；所述第二薄膜晶体管的漏极接入电源正电压，源极电性连接对应像素区域中的第一阳极；所述第三薄膜晶体管的栅极电性连接第一薄膜晶体管的栅极，源极接入第二数据信号，漏极电性连接第四薄膜晶体管的栅极；所述第四薄膜晶体管的漏极接入电源正电压，源极电性连接对应像素区域中的第二阳极；所述第一电容的两端分别电性连接第二薄膜晶体管的栅极及漏极；所述第二电容的两端分别电性连接第四薄膜晶体管的栅极及漏极；

所述阴极接入电源负电压。

所述TFT基板还包括设于阳极层与TFT阵列层之间的平坦化层。

所述平坦化层上对应第一阳极的区域的厚度小于对应第二阳极的区域的厚度。

本实用新型的有益效果：本实用新型提供的一种AMOLED显示装置，像素区域内的阳极层包括第一阳极、及设于第一阳极外围且与第一阳极间隔的第二阳极，第一阳极、及第二阳极分别与其上方的OLED功能层及阴极构成第一子OLED及第二子OLED，同时对应每一像素区域设有一像素驱动电路，该像素驱动电路分别与第一阳极及第二阳极连接，工作时，像素驱动电路分别向第一阳极和第二阳极通入不相同的电流，通过控制电流的大小，能够使第一子OLED与第二子OLED发出的光亮度一致，解决了由于采用打印的方式制作OLED功能层时OLED功能层厚度不均匀产生的像素亮度不均的问题，提升了显示的品质。

附图说明

为了能更进一步了解本实用新型的特征以及技术内容，请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本实用新型加以限制。

附图中，

图1为本实用新型的AMOLED显示装置的第一实施例的结构示意图；

图2为本实用新型的AMOLED显示装置的像素驱动电路与第一子OLED及第二子OLED连接的电路图；

图3为本实用新型的AMOLED显示装置的第二实施例的结构示意图；

图4为本实用新型的AMOLED显示装置的第三实施例的结构示意图。

具体实施方式

为更进一步阐述本实用新型所采取的技术手段及其效果，以下结合本实用新型的优选实施例及其附图进行详细描述。

本实用新型提供一种AMOLED显示装置，请参阅图1及图2，为本实用新型的AMOLED显示装置的第一实施例，本实用新型的AMOLED显示装置包括：TFT基板100、设于TFT基板100上的多条像素隔离坝200、设于TFT基板100上的多个OLED功能层300、及设于多个OLED功能层300上的阴极400；所述多条像素隔离坝200在TFT基板100上限定出多个像素区域101，多个OLED功能层300分别位于多个像素区域101内；

所述TFT基板100包括衬底基板110、设于衬底基板110上的TFT阵列层120、及设于TFT阵列层120上且对应位于多个像素区域101内的多个阳极层130；

每一阳极层130均包括：位于对应的像素区域101的中心的第一阳极131、及设于第一阳极131周围且与第一阳极131间隔的第二阳极132；第一阳极131与其上方的OLED功能层300及阴极400构成第一子OLED D1，第二阳极132与其上方的OLED功能层300及阴极400构成第二子OLED D2；

所述AMOLED显示装置对应每一像素区域101设有一像素驱动电路10，所述像素驱动电路10分别与第一阳极131及第二阳极132电性连接，所述像素驱动电路10用于在AMOLED显示装置显示时，分别向第一阳极131及第二阳极132通入第一电流及第二电流，驱动第一子OLED D1及第二OLED D2发光，且使第一子OLED D1与第二OLED D2发光亮度一致。

具体地，所述OLED功能层300包括由下至上依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、及电子注入层。所述OLED功能层300采用打印的方式制作在像素区域101内。

需要说明的是，由于像素隔离坝200具有亲水性或疏水性，使OLED功能层300位于像素区域101的中心的部分的厚度与位于像素区域101的边缘的部分的厚度不同，为此，本实用新型将对应每一像素区域101的阳极层130设置为包括位于像素区域101的中心的第一阳极131、及设于第一阳极131外围且与第一阳极131间隔的第二阳极132，第一阳极131、及第二阳极132分别与其上方的OLED功能层300及阴极400构成第一子OLED D1及第二子OLED D2，同时对应每一像素区域101设有一像素驱动电路10，该像素驱动电路10分别与第一阳极131及第二阳极132连接，工作时，像素驱动电路10分别向第一阳极131和第二阳极132通入不相同的第一电流及第二电流，通过控制第一电流及第二电流的电流大小，能够使第一子OLED D1与第二子OLED D2发出的光亮度一致，也即虽然OLED功能层300在像素区域101中心和边缘厚度不同，AMOLED显示装置在每个像素区域101内的发光亮度也能保持均匀，解决了由于采用打印的方式制作OLED功能层300时OLED功能层300厚度不均匀产生的像素亮度不均的问题，提升了显示的品质。

具体地，所述衬底基板110的材料为玻璃。

具体地，请参阅图1，所述TFT基板100还包括设于阳极层130与TFT阵列层120之间的平坦化层140，所述多个像素隔离坝200均设置在平坦化层140上。具体地，在本实用新型的第一实施例中，该平坦化层140的表面平坦。

具体地，所述阴极400可整面覆盖多个OLED功能层300及多个像素隔离坝200，也可如图1所示的本实用新型的第一实施例，对应设置在多个OLED功能层300上，这均不会影响本实用新型的实现。

具体地，请参阅图1，在本实用新型的第一实施例中，所述像素隔离坝200的材料为亲水性材料，因此在采用打印的方式制作完成OLED功能层300之后，所述OLED功能层300与第一阳极131对应的部分的厚度小于与第二阳极132对应的部分的厚度；对应地，在AMOLED显示装置显示时，所述像素驱动电路10向第一阳极131通入的所述第一电流小于向第二阳极132通入的第二电流，以使第一子OLED D1与第二子OLED D2发光的亮度相同。

具体地，请参阅图2，每一像素驱动电路10均包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体T4、第一电容C1、第二电容C2；

其中，所述第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体T4、第一电容C1、第二电容C2均位于TFT阵列层120中；所述第一薄膜晶体管T1的栅极接入扫描信号scan，源极接入第一数据信号data1，漏极电性连接第二薄膜晶体管T2的栅极；所述第二薄膜晶体管T2的漏极接入电源正电压OVDD，源极电性连接对应像素区域101中的第一阳极131；所述第三薄膜晶体管T3的栅极电性连接第一薄膜晶体管T1的栅极，源极接入第二数据信号data2，漏极电性连接第四薄膜晶体管T4的栅极；所述第四薄膜晶体管T4的漏极接入电源正电压OVDD，源极电性连接对应像素区域101中的第二阳极132；所述第一电容C1的两端分别电性连接第二薄膜晶体管T2的栅极及漏极；所述第二电容C2的两端分别电性连接第四薄膜晶体管T4的栅极及漏极；所述阴极400接入电源负电压OVSS；在AMOLED显示装置进行显示时，扫描信号Scan控制第一薄膜晶体管T1及第三薄膜晶体管T3导通，所述第一数据信号data1、及第二数据信号data2分别写入第二薄膜晶体管T2及第四薄膜晶体管T4的栅极，通过控制第一数据信号data1及第二数据信号data2的电压值，便能调整像素驱动电路10产生第一电流及第二电流的电流值，进而将第一电流与第二电流分别通入第一阳极131及第二阳极132，驱动第一子OLED D1及第二子OLED D2发出亮度一致的光。

具体地，请参阅图3，为本实用新型的AMOLED显示装置的第二实施例，该实施例与上述第一实施例的区别在于，所述平坦化层140上对应第一阳极131的区域的厚度小于对应第二阳极132的区域的厚度，因而OLED功能层300在像素区域101的中心的部分与在像素区域101边缘部分的厚度差由于平坦化层140的段差而减小，因此，能够减轻由于采用打印的方式制作OLED功能层300时OLED功能层300厚度不均匀的程度，因而能够降低第一电流与第二电流之间的电流差，便于实际应用。其余特征均与第一实施例相同，在此不再赘述。

具体地，请参阅图4，为本实用新型的AMOLED显示装置的第三实施例，该实施例与上述第一实施例的区别在于，所述像素隔离坝200的材料为疏水性材料，因此在采用打印的方式制作完成OLED功能层300之后，所述OLED功能层300与第一阳极131对应的部分的厚度大于与第二阳极132对应的部分的厚度；对应地，在AMOLED显示装置显示时，所述像素驱动电路10向第一阳极131通入的所述第一电流大于向第二阳极132通入的第二电流，以使第一子OLED D1与第二子OLED D2发光的亮度相同。其余均与第一实施例相同，在此不再赘述。

值得一提的是，在本实用新型的第三实施例的基础上，可将平坦化140上对应第一阳极131的区域的厚度设置为大于对应第二阳极132的区域的厚度，以减轻由于采用打印的方式制作OLED功能层300时OLED功能层300厚度不均匀的程度，因而能够降低第一电流与第二电流之间的电流差，便于实际应用。

综上所述，本实用新型的AMOLED显示装置，像素区域内的阳极层包括第一阳极、及设于第一阳极外围且与第一阳极间隔的第二阳极，第一阳极、及第二阳极分别与其上方的OLED功能层及阴极构成第一子OLED及第二子OLED，同时对应每一像素区域设有一像素驱动电路，该像素驱动电路分别与第一阳极及第二阳极连接，工作时，像素驱动电路分别向第一阳极和第二阳极通入不相同的电流，通过控制电流的大小，能够使第一子OLED与第二子OLED发出的光亮度一致，解决了由于采用打印的方式制作OLED功能层时OLED功能层厚度不均匀产生的像素亮度不均的问题，提升了显示的品质。

以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本实用新型的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本实用新型权利要求的保护范围。