本实用新型涉及电容器领域，特别是涉及一种金锡焊盘单层陶瓷电容器。
背景技术：
随着微波通讯技术的发展，通讯频率不断向高频化的方向发展，民移动通讯的频率从900MHz发展到1800MHz，再发展到2400MHz，军用雷达信号频率从18GHz逐渐发展到40GHz，电子元件如电容器也不断的朝高频化的方向发展。
片式单层陶瓷电容器(Single Layer Capacitors；SLC)无内电极，等效串联电感(Equivalent Series Inductance；ESL)ESL和等效串联电阻(Equivalent Series Resistance；ESR)较小，故高频性能好，在微波通讯领域的应用越来越广泛。由于SLC表面一般使用Au、Cu、Al等金属作为电极，底电极通过导电胶或PbSn、AuSn等焊料粘接于集成电路或陶瓷薄膜电路相应的焊盘上，上电极通过引线键合(Wire Bonding)技术与其他电路元件实现电气互连，满足微组装封装工艺，因此SLC大量应用于微波混合集成电路，起滤波、隔直、耦合、去耦等作用，在现代民用及军用通讯设备中的用量越来越大。
传统的金锡合金封装工艺一般先将金锡合金预成型片放置于需要封装的区域，然后在金锡预成型片上放置元件，最后加热到280～320℃之间使金锡合金预成型片熔化，当温度降到熔点以下(如室温)便完成封装过程。使用金锡预成型片进行封装，有三个显著的缺点：第一，金锡预成型片放置于待封装区域，无法精确定位，从而导致封装精度差；第二，放置金锡预成型片的过程消耗时间，影响封装效率；第三，金锡合金预成型片最薄为25微米，而金锡焊盘封装金锡层厚度只需要3-5μm即可，因此，使用金锡合金预成型片成本高。
技术实现要素：
本实用新型的目的是提供一种金锡焊盘单层陶瓷电容器，用来提高单层瓷介电容器封装的效率以及降低封装所用金锡焊料的成本。
为实现上述目的，本实用新型提供了如下方案：
一种金锡焊盘单层陶瓷电容器，包括：第一电极层、介质层、第二电极层和金锡焊层，所述第一电极层通过所述介质层与所述第二介质层连接，所述金锡焊层设置在所述第一电极层或所述第二电极层上。
可选的，所述金锡焊层的厚度为0.1～100μm，所述金锡焊层的熔点为280～320℃。
可选的，所述介质层的材料为陶瓷。
可选的，所述第一电极层的材料为单层金属或多层金属；所述第二电极层的材料为单层金属或多层金属。
可选的，所述单层金属的材料为银、铜、镍、锡或金。
可选的，所述多层金属的材料为钛钨/金、钛钨/镍/金/或钛/铜/金。
根据本实用新型提供的具体实施例，本实用新型公开了以下技术效果：
本实用新型的金锡焊盘单层陶瓷电容器，在电路表面需要金锡焊接的地方，电镀上了一层金锡焊料，形成金锡焊层。本实用新型的有益效果是：第一，金锡焊层实现了精确定位；第二，不用放置金锡预成型片，提高了封装效率；第三，大大降低了金锡合金的用量，降低了封装所使用的金锡的成本。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型金锡焊盘单层陶瓷电容器的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型的目的是提供一种金锡焊盘单层陶瓷电容器，用来提高单层瓷介电容器封装的效率以及降低封装所用金锡焊料的成本。
为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。
图1为本实用新型金锡焊盘单层陶瓷电容器的结构示意图。如图1所示，所述金锡焊盘单层陶瓷电容器包括：第一电极层1、介质层2、第二电极层3和金锡焊层4，第一电极层1通过介质层2与第二介质层3连接，金锡焊层4设置在第一电极层1上。
金锡焊层4的厚度为0.1～100μm，金锡焊层4的熔点为280～320℃。
介质层2的材料为陶瓷。
第一电极层1的材料为单层金属或多层金属；第二电极层3的材料为单层金属或多层金属。单层金属的材料为银、铜、镍、锡或金。多层金属的材料为钛钨/金、钛钨/镍/金/或钛/铜/金。
本实用新型的金锡焊盘单层陶瓷电容器可以采取以下方法进行制备：先在陶瓷基片的表面被覆上金属电极，金属电极可以是单层金属，如银，铜，镍，锡或金等，也可以是多层金属，如钛钨/金，钛钨/镍/金/，钛/铜/金等，被覆金属电极的方法可以是印刷法，溅射法，蒸发法，化学镀或电镀法等。接着通过匀胶、光刻、刻蚀的方法制备出电路图形，然后通过匀胶、光刻的方法制备出需要电镀金锡共晶焊盘的窗口。然后将陶瓷基片置于金锡电镀药水进行电镀，窗口表面即可沉积形成金锡合金层，最后通过划切、清洗得到如图1所示的一种带金锡共晶焊盘的单层瓷介电容器。
本实用新型的带金锡焊层的金锡焊盘单层陶瓷电容器，在电路表面需要金锡焊接的地方，电镀上了一层金锡焊料。
本实用新型的有益效果是：
第一，金锡预成型片放置于待封装区域，无法精确定位，从而导致封装精度差。本实用新型通过匀胶光刻制备出需要金锡封装的窗口，然后通过电镀的方法在窗口上镀上金锡合金层，形成金锡焊层，实现了精确定位。
第二，不用放置金锡预成型片，提高了封装效率。
第三，金锡合金预成型片最薄为25微米，本实用新型的金锡焊层的厚度为0.1～100μm，大大降低了金锡合金的用量，降低了封装所使用的金锡的成本。
本文中应用了具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本实用新型的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上所述，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。