一种连接器电气端子的制作方法

本实用新型涉及一种连接器电气端子。

背景技术：

现有的连接器电气端子，包括公端插针组件和与之相配合的母端插针组件，公端插针组件包括公端插针以及依次包裹该公端插针的公端内半导体层和公端绝缘层，母端插针组件包括母端插针以及依次包裹该母端插针的母端内半导体层和母端绝缘层。但这样结构的连接器电气端子，在大功率或接触导电的状态下，不但存在交流感应所产生的大应力问题，而且还会引起端子本体发热或本体寄生电抗现象，大大地影响了电力的接触与输送性能。

技术实现要素：

为了克服现有技术的不足，本实用新型所解决的技术问题是提供一种连接器电气端子，其不但可以降低交流感应所产生的应力问题，而且能够有效避免端子本体发热或出现本体寄生电阻，大大地改进了有效导电率。

为解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案内容具体如下：

一种连接器电气端子，包括公端插针组件和与之相配合的母端插针组件；所述公端插针组件包括公端插针以及依次包裹所述公端插针的公端内半导体层和公端绝缘层；所述母端插针组件包括母端插针以及依次包裹所述母端插针的母端内半导体层和母端绝缘层；所述公端插针组件还包括用于与公端端子座耦合接地的公端外半导体层，所述公端外半导体层包裹所述公端绝缘层；所述母端插针组件还包括用于与母端端子座耦合接地的母端外半导体层，所述母端外半导体层包裹所述母端绝缘层；所述公端插针包括公端插针部和用于连接公端电缆的公端插腔部；所述母端插针包括母端插槽部和用于连接母端电缆的母端插腔部；所述公端插针部插入所述母端插槽部之中。

优选地，所述公端内半导体层和母端内半导体层的硬度为90度。

优选地，所述公端内半导体层的壁厚均匀，并且所述公端内半导体层的最小厚度不小于2mm；所述母端内半导体层的壁厚均匀，并且所述母端内半导体层的最小厚度不小于2mm。

优选地，所述公端绝缘层和母端绝缘层的耐压强度为20wv。

优选地，所述公端外半导体层的壁厚均匀，并且所述公端外半导体层的最小厚度不小于2mm；所述母端外半导体层的壁厚均匀，并且所述母端外半导体层的最小厚度不小于2mm。

优选地，所述公端插针组件和母端插针组件的配合处还设有端子密封圈。

优选地，所述端子密封圈设置于所述公端绝缘层与母端绝缘层的配合处。

与现有技术相比，本实用新型的有益技术效果如下：

本实用新型的连接器电气端子，由于其公端插针组件设置有用于与公端端子座耦合接地的公端外半导体层，而母端插针组件设置有用于与母端端子座耦合接地的母端外半导体层，从而可以用于交叉耦合，充分地降低了交流高压电所产生的感应，有效消除端子的本体对源或漏极的寄生应力，消除结构上的本体寄生电阻，导电效率更高，而且导电性能更好。

上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本实用新型的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。

附图说明

图1为本实用新型的连接器电气端子较优选实施例的结构示意图；

图2为本实用新型的公端插针组件的结构示意图；

图3为本实用新型的母端插针组件的结构示意图。

其中，各附图标记为：1、公端插针；2、公端内半导体层；3、公端绝缘层；4、公端外半导体层；5、公端端子座；6、端子密封圈；7、母端端子座；8、母端外半导体层；9、母端绝缘层；10、母端内半导体层；11、母端插针。

具体实施方式

为更进一步阐述本实用新型为达成预定实用新型目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本实用新型的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如下：

如图1至图3所示，本实用新型的连接器电气端子，包括公端插针组件和与之相配合的母端插针组件；所述公端插针组件包括公端插针1以及依次包裹所述公端插针1的公端内半导体层2和公端绝缘层3；所述母端插针组件包括母端插针11以及依次包裹所述母端插针11的母端内半导体层10和母端绝缘层9；所述公端插针组件还包括用于与公端端子座5耦合接地的公端外半导体层4，所述公端外半导体层4包裹所述公端绝缘层3；所述母端插针组件还包括用于与母端端子座7耦合接地的母端外半导体层8，所述母端外半导体层8包裹所述母端绝缘层9。

本实用新型的连接器电气端子，由于其公端插针组件设置有用于与公端端子座5耦合接地的公端外半导体层4，而母端插针组件设置有用于与母端端子座7耦合接地的母端外半导体层8，从而可以用于交叉耦合，充分地降低了交流高压电所产生的感应，有效消除端子的本体对源或漏极的寄生应力，消除结构上的本体寄生电阻，导电效率更高，而且导电性能更好。

其中，为了方便公端电缆、公端插针组件、母端插针组件以及母端电缆四者的电连接，所述公端插针1包括公端插针部和用于连接公端电缆的公端插腔部；所述母端插针11包括母端插槽部和用于连接母端电缆的母端插腔部；所述公端插针部插入所述母端插槽部之中。

为了确保良好的导电性能并且使端子获得适当的硬度，所述公端内半导体层2和母端内半导体层10的硬度为90度。

所述公端内半导体层2的壁厚均匀，并且所述公端内半导体层2的最小厚度不小于2mm；所述母端内半导体层10的壁厚均匀，并且所述母端内半导体层10的最小厚度不小于2mm。

所述公端绝缘层3和母端绝缘层9的耐压强度为20wv。

所述公端外半导体层4的壁厚均匀，并且所述公端外半导体层4的最小厚度不小于2mm；所述母端外半导体层8的壁厚均匀，并且所述母端外半导体层8的最小厚度不小于2mm。

为了防水，所述公端插针组件和母端插针组件的配合处还设有端子密封圈6。

具体地，所述端子密封圈6设置于所述公端绝缘层3与母端绝缘层9的配合处。

上述实施方式仅为本实用新型的优选实施方式，不能以此来限定本实用新型保护的范围，本领域的技术人员在本实用新型的基础上所做的任何非实质性的变化及替换均属于本实用新型所要求保护的范围。