1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
在真空气氛下处理基片的基片处理部；
与所述基片处理部连接的、在大气气氛下运送所述基片的基片运送部；和
配置在所述基片处理部与所述基片运送部之间的、能够在大气气氛与真空气氛切换的负载锁定部，
所述负载锁定部的至少一部分被配置在所述基片运送部的内部。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述负载锁定部包括水平地排列的多个负载锁定腔室，
各所述负载锁定腔室的至少一部分被配置在所述基片运送部内。
3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述负载锁定腔室包括：可开闭地与所述基片运送部连通的第1开口部；和可开闭地与所述基片处理部连通的可开闭的第2开口部，
所述第1开口部在所述基片运送部的内部在所述负载锁定腔室的上方开口。
4.如权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于：
所述第1开口部为直径大于300mm的圆形。
5.如权利要求3或4所述的基片处理装置，其特征在于：
所述第2开口部在所述负载锁定腔室的侧方开口。
6.如权利要求3至5中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述负载锁定部具有能够在所述负载锁定腔室内在垂直方向上升降从而能够在所述第1开口部的上方支承所述基片的升降机构。
7.如权利要求6所述的基片处理装置，其特征在于，包括：
在所述基片运送部的内部，在载置体与所述负载锁定部之间运送基片的第1运送机构；和
在所述负载锁定部与所述基片处理部之间运送基片的第2运送机构，
所述升降机构在所述负载锁定部的内部能够在所述第1运送机构与所述第2运送机构之间交接基片。