1.一种低温多晶硅阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
步骤S1、提供一基板，在所述基板上依次制备缓冲层、多晶硅层，经第一道光罩制程后形成多晶硅图案；
步骤S2、在所述基板上依次制备栅绝缘层、栅极金属层以及一层第一光刻胶，对所述栅极金属层蚀刻形成栅极，并对所述多晶硅图案进行掺杂，形成所述多晶硅图案中的重掺杂部与轻掺杂部；
步骤S3、在所述基板上依次制备间绝缘层、像素电极层以及一层第二光刻胶，采用第三道光罩在不同区域以不同的光透过量进行曝光，显影后对应所述重掺杂部预设位置的所述第二光刻胶完全蚀刻，形成不同厚度的第二光刻胶图案；
步骤S4、经蚀刻去除对应所述重掺杂部的所述预设位置的所述像素电极层、所述间绝缘层以及所述栅绝缘层的相应部分，形成源极过孔与漏极过孔；
步骤S5、去除部分所述第二光刻胶，保留所述像素电极层上用于制备像素电极的相应区域上方的所述第二光刻胶，对所述像素电极层进行蚀刻，形成图案化的所述像素电极。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：
步骤S6、在所述基板上制备一层源漏极金属层并进行第四道光罩制程，图案化后在对应所述源极过孔与所述漏极过孔处分别形成源极与漏极，以及在对应相邻两所述多晶硅图案之间形成触控信号线；其中，所述漏极与所述像素电极接触；
步骤S7、在所述基板上制备一层钝化层，通过第五道光罩在对应所述触控信号线的相应位置形成第一过孔；
步骤S8、在所述基板上制备一层触控电极层，通过第六道光罩形成图案化的触控电极，且所述触控电极通过所述第一过孔与所述触控信号线接触。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括：在所述基板上依次制备栅绝缘层、栅极金属层以及一层第二光刻胶，并进行第二道光罩制程，对所述栅极金属层进行第一次蚀刻后形成所述多晶硅图案中的重掺杂部，再对所述栅极金属层进行第二次蚀刻后形成栅极以及所述多晶硅图案中的轻掺杂部；
其中，所述重掺杂部是以所述栅极金属层第一次蚀刻后形成的图案为掩模，对所述多晶硅图案进行N+离子掺杂形成的；所述轻掺杂部是以所述栅极为掩模，对所述多晶硅图案进行N-离子掺杂形成的。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述重掺杂部包括形成于所述栅极金属层第一次蚀刻后的所述图案两侧的第一重掺杂部与第二重掺杂部，所述轻掺杂部包括形成于所述栅极对应区域两侧的第一轻掺杂部与第二轻掺杂部，所述第一重掺杂部与所述第二重掺杂部宽度相等，所述第一轻掺杂部与所述第二轻掺杂部的宽度相等。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中对应所述像素电极上方的所述第二光刻胶图案的厚度最厚。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S4具体包括以下步骤：
步骤S41、进行第一次蚀刻制程，将所述像素电极层对应所述重掺杂部的所述预设位置的相应部分蚀刻掉；
步骤S42、再进行第二次蚀刻制程，将所述间绝缘层及所述栅绝缘层对应所述重掺杂部的所述预设位置的相应部分蚀刻掉，形成对应源极的所述源极过孔与对应漏极的所述漏极过孔。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S5具体包括以下步骤：
步骤S51、对所述第二光刻胶图案进行蚀刻，保留所述像素电极上方的所述第二光刻胶；
步骤S52、对所述像素电极层进行蚀刻，形成图案化的所述像素电极；
步骤S53、去除所述像素电极上的所述第二光刻胶。
8.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述漏极的一部分制备于所述像素电极上。
9.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述像素电极层与所述触控电极层的材料均为铟锡金属氧化物。
10.一种如权利要求1～9任一权利要求所述的制备方法制备的低温多晶硅阵列基板。