技术总结
本发明提供一种低温多晶硅阵列基板及其制备方法，所述方法包括以下步骤：在基板上制备多晶硅层，经第一道光罩制程形成多晶硅图案；然后接着依次制备栅绝缘层、栅极金属层以及第一光刻胶，经过第二道光罩制程形成所述多晶硅图案中的重掺杂部、轻掺杂部以及形成栅极；在所述基板上依次制备间绝缘层、像素电极层以及第二光刻胶，经第三道光罩形成源极过孔、漏极过孔以及像素电极；接着制备一层源漏极金属层，经第四道光罩制程形成源极与漏极，以及触控信号线；在所述基板上制备一层钝化层，经第五道光罩形成第一过孔；在所述基板上制备一层触控电极层，经第六道光罩形成图案化的触控电极。
技术研发人员：田超;肖军城
受保护的技术使用者：武汉华星光电技术有限公司
技术研发日：2018.05.04
技术公布日：2018.09.18