技术特征：
技术总结
本公开提供一种晶体管元件和一种半导体布局结构。该晶体管元件包含一主动区，设置在一基底中；一栅极结构，设置在该主动区的上方；以及一源极区及一漏极区，设置在该栅极结构的相对两侧。该主动区包含一第一区域，是包含一第一长度；一第二区域，是包含一小于该第一长度的一第二长度；以及在该第一区域和该第二区域之间的一第三区域。该栅极结构包含在一第一方向延伸的一第一部分和在与该第一方向垂直的一第二方向延伸的一第二部分。该第一部分设置在该主动区的至少该第三区域的上方，该第二部分设置在该第三区域的至少一部分和该第二区域的一部分的上方。
技术研发人员：蔡镇宇;吕增富;廖伟明
受保护的技术使用者：南亚科技股份有限公司
技术研发日：2018.05.10
技术公布日：2019.06.11