显示装置的制作方法

实施例涉及一种显示装置、一种显示装置的制造方法和一种电极形成方法。

背景技术：

显示装置因其重量轻和厚度薄而已成为焦点。在显示装置之中，有机发光显示装置是利用发射光的有机发光二极管来显示图像的自发光显示装置，而不需要任何单独的光源。此外，有机发光显示装置具有低功耗、高亮度和高响应速率，因此其已作为下一代显示装置而受到关注。

有机发光显示装置包括多个像素，多个像素中的每个包括有机发光二极管、用于驱动有机发光二极管的多个晶体管以及至少一个电容器。

技术实现要素：

实施例针对一种显示装置，该显示装置包括：基底；第一晶体管和第二晶体管，设置在基底上以彼此间隔开；以及显示单元，电连接到第一晶体管，其中，第一晶体管包括含有晶体硅的第一半导体层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极，其中，第二晶体管包括含有氧化物半导体的第二半导体层、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极，并且其中，第二栅电极包括：第一层，设置在绝缘层上并包括钼；第二层，设置在第一层上并包括钛；以及第三层，设置在第二层上并包括钼。

该显示装置还可以包括：第一绝缘层，设置在第一栅电极与第一半导体层之间；第二绝缘层，设置在第一栅电极上方；以及第三绝缘层，设置在第二栅电极与第二半导体层之间。绝缘层可以是第二绝缘层和第三绝缘层中的一者。

第二栅电极可以设置在第三绝缘层上。

该显示装置还可以包括：电容器电极，设置在第二绝缘层上；以及第四绝缘层，覆盖电容器电极，第四绝缘层设置在第二绝缘层与第二半导体层之间。

从第一栅电极和电容器电极中选择的至少一者可以包括第一层、位于第一层上的第二层以及位于第二层上的第三层。

第二栅电极可以设置在第二绝缘层上，并且第二半导体层可以设置在第三绝缘层上。

该显示装置还可以包括设置在第二绝缘层上的电容器电极，电容器电极与第一栅电极叠置。

从第一栅电极和电容器电极中选择的至少一者可以包括第一层、位于第一层上的第二层以及位于第二层上的第三层。

第三层的厚度可以比第一层的厚度厚。

显示单元可以包括：第一电极，电连接到第一漏电极；第二电极，设置在第一电极上；以及发射层，设置在第一电极与第二电极之间。

实施例也针对一种制造显示装置的方法，该方法包括以下步骤：在基底上设置包括晶体硅的第一半导体层；在第一半导体层上方设置第一绝缘层；在第一绝缘层上设置第一栅电极；在第一栅电极上方设置第二绝缘层；在第二绝缘层上设置与第一栅电极间隔开的第二半导体层，第二半导体层包括氧化物半导体；在第二半导体上方设置第三绝缘层；以及在第三绝缘层上设置第二栅电极，其中，第二栅电极包括：第一层，设置在第三绝缘层上并包括钼；第二层，设置在第一层上并包括钛；以及第三层，设置在第二层上并包括钼，并且其中，设置第二栅电极的步骤包括：蚀刻第二层和第三层的第一蚀刻工艺；以及蚀刻第一层的第二蚀刻工艺。

该方法还可以包括以下步骤：在设置第二绝缘层的步骤与设置第二半导体层的步骤之间，在第二绝缘层上形成与第一栅电极叠置的电容器电极；以及设置提供在电容器电极上方的第四绝缘层。

在第一蚀刻工艺中使用的蚀刻气体相对于第三层的蚀刻速率可以是在第一蚀刻工艺中使用的蚀刻气体相对于第二层的蚀刻速率的0.9倍至1.1倍。

在第一蚀刻工艺中使用的蚀刻气体可以包括六氟化硫(sf6)和氧(o2)，并且在第二蚀刻工艺中使用的蚀刻气体可以包括氯(cl2)和氧(o2)。

实施例也针对一种制造显示装置的方法，该方法包括以下步骤：在基底上设置包括晶体硅的第一半导体层；在第一半导体层上方设置第一绝缘层；在第一绝缘层上设置第一栅电极；在第一栅电极上方设置第二绝缘层；在第二绝缘层上设置与第一栅电极间隔开的第二栅电极；在第二栅电极上方设置第三绝缘层；以及在第三绝缘层上设置包括氧化物半导体的第二半导体层，其中，第二栅电极包括：第一层，设置在第三绝缘层上并包括钼；第二层，设置在第一层上并包括钛；以及第三层，设置在第二层上并包括钼，并且其中，设置第二栅电极的步骤包括：蚀刻第二层和第三层的第一蚀刻工艺；以及蚀刻第一层的第二蚀刻工艺。

该方法还可以包括设置电容器电极的步骤，电容器电极设置在第二绝缘层上，与第一栅电极叠置，并与第二栅电极同时形成。

在第一蚀刻工艺中使用的蚀刻气体相对于第三层的蚀刻速率可以是在第一蚀刻工艺中使用的蚀刻气体相对于第二层的蚀刻速率的0.9倍至1.1倍。

在第一蚀刻工艺中使用的蚀刻气体可以包括六氟化硫(sf6)和氧(o2)，并且在第二蚀刻工艺中使用的蚀刻气体可以包括氯(cl2)和氧(o2)。

实施例也针对一种形成电极的方法，该方法包括以下步骤：顺序地形成包括钼的第一层、设置在第一层上并包括钛的第二层以及设置在第二层上并包括钼的第三层；一次性蚀刻第三层和第二层的第一蚀刻工艺；以及蚀刻第一层的第二蚀刻工艺，其中，在第一蚀刻工艺中使用的蚀刻气体相对于第三层的蚀刻速率是在第一蚀刻工艺中使用的蚀刻气体相对于第二层的蚀刻速率的0.9倍至1.1倍。

在第一蚀刻工艺中使用的蚀刻气体可以包括六氟化硫(sf6)和氧(o2)，并且在第二蚀刻工艺中使用的蚀刻气体可以包括氯(cl2)和氧(o2)。

附图说明

通过参照附图对示例实施例进行详细描述，特征对于本领域技术人员而言将变得明显，在附图中：

图1示出了根据实施例的显示装置的剖视图；

图2示出了说明图1的区域a1的放大的剖视图；

图3示出了根据另一实施例的显示装置的剖视图；

图4a至图4s示出了说明图1中示出的显示装置的制造方法的工艺剖视图；

图5a至图5g示出了说明图3中示出的显示装置的制造方法的工艺剖视图；以及

图6a至图6f示出了说明根据实施例的电极形成方法的工艺剖视图。

具体实施方式

现在，将在下文中参照附图更充分地描述示例实施例；然而，示例实施例可以以不同地形式实施，并且不应被解释为局限于这里所阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达示例实施方式。在附图中，为了示出的清楚，可以夸大层和区域的尺寸。同样的附图标记始终表示同样的元件。

本公开可以应用各种变化和不同形状，因此仅对特定示例进行详细地说明。然而，示例不局限于某些形状，而是适用于所有变化以及等同材料和替换。

将理解的是，虽然在这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离教导的情况下，下面讨论的“第一”元件也可以被命名为“第二”元件。如这里所使用的，单数形式也意图包括复数形式，除非上下文另外清楚地指出。

还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”和/或其变形时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在和/或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。此外，诸如层、区域、基底或板的元件放置“在”另一元件“上”或“上方”的表达不仅表示该元件“直接”放置“在”所述另一元件“上”或“恰好”放置“在”所述另一元件“上方”的情况，而且还表示在该元件与所述另一元件之间插置有又一元件的情况。相反，诸如层、区域、基底或板的元件放置“在”另一元件“下”或“下方”的表达不仅表示该元件“直接”放置“在”所述另一元件“下”或“恰好”放置“在”所述另一元件“下方”的情况，而且还表示在该元件与所述另一元件之间插置有又一元件的情况。

在下文中，将参照附图详细描述示例实施例。

图1是根据实施例的显示装置的剖视图。图2是示出图1的区域a1的放大的剖视图。

参照图1，显示装置包括：基底sub；第一晶体管tr1和第二晶体管tr2，设置在基底sub上以彼此间隔开；以及显示单元，电连接到第一晶体管tr1。

在下文中，将更详细地描述包括在显示装置中的每个组件。

其上设置有第一晶体管tr1和第二晶体管tr2的基底sub可以包括透明绝缘材料，以使光能够通过基底sub被透射。基底sub可以是刚性基底。例如，基底sub可以是玻璃基底、石英基底、玻璃陶瓷基底和结晶玻璃基底中的任何一种。

此外，基底sub可以是柔性基底。这里，基底sub可以是包括聚合物有机材料的膜基底和塑料基底中的一种。例如，基底sub可以包括从聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素和乙酸丙酸纤维素的组中选择的至少一种。然而，构成基底sub的材料可以各种改变，并且可以包括纤维增强塑料(frp)等。

应用于基底sub的材料可以在显示装置的制造过程中具有抗高处理温度性能(或耐热性)。

第一晶体管tr1和第二晶体管tr2设置在基底sub上。

还可以在基底sub与第一晶体管tr1之间设置有缓冲层。缓冲层可以具有单层结构或多层结构。此外，缓冲层可以包括无机绝缘材料和有机绝缘材料中的至少一种。例如，当缓冲层具有无机绝缘材料的单层结构时，缓冲层可以包括氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层中的一种。当缓冲层具有无机绝缘材料的多层结构时，缓冲层可以具有其中氧化硅层和氮化硅层交替堆叠的多层结构。当缓冲层具有有机绝缘材料的单层结构时，缓冲层可以包括丙烯酸酯、聚酰亚胺、聚酰胺和苯并环丁烯中的至少一种。当缓冲层具有有机绝缘材料的多层结构时，缓冲层可以具有其中堆叠有包括丙烯酸酯、聚酰亚胺、聚酰胺和苯并环丁烯中的至少一种的多个有机绝缘层的结构。此外，缓冲层可以具有其中无机绝缘层和有机绝缘层交替堆叠的结构。

缓冲层可以防止杂质被扩散到晶体管中，并防止湿气和氧渗透到晶体管中。此外，缓冲层可以使基底sub的表面平坦化。在一些情况下，可以省略缓冲层。

第一晶体管tr1设置在基底sub上，并包括：第一半导体层act1，含有晶体硅；第一栅电极ge1，设置在第一半导体层act1上；第一绝缘层il1，设置在第一栅电极ge1与第一半导体层act1之间；第二绝缘层il2，设置在第一栅电极ge1上方；以及第一源电极se1和第一漏电极de1，设置为彼此间隔开并连接到第一半导体层act1。

设置在基底sub上的第一半导体层act1包括晶体硅。晶体硅可以是单晶硅和/或多晶硅。与包括非晶硅的半导体层相比，包括晶体硅的第一半导体层act1具有高电子迁移率。在非晶硅的情况下，由于硅原子的不规则排列，会相对地降低电子迁移率。

此外，第一半导体层act1可以包括分别与第一源电极se1和第一漏电极de1接触的源区和漏区。源区和漏区可以是掺杂区。源区与漏区之间的区域可以是沟道区。

包括晶体硅的第一半导体层act1可以通过使非晶硅结晶来形成。可以在高温或低温下执行使非晶硅结晶的工艺。当非晶硅在高温下结晶时，基底sub可以由能够承受高温工艺的耐热材料制成。

在低温下使非晶硅结晶的方法可以包括固相结晶(spc)方法、金属诱导结晶(mic)方法、金属诱导横向结晶(milc)方法、准分子激光结晶(elc)方法等。

spc方法是在相对高的温度下对非晶硅进行长时间退火的方法。spc方法通常可以通过在大约600℃至大约700℃下使非晶硅退火大约1小时至24小时来执行。

根据mic方法，可以通过使非晶硅与特定金属接触来降低非晶硅的结晶温度。这里使用的金属的示例可以是镍(ni)、钯(pd)、钛(ti)、铝(al)、金(au)、银(ag)、铜(cu)、钴(co)、铁(fe)、锰(mn)等。这些金属通过与非晶硅进行反应而形成共晶相或硅化物相，从而加速非晶硅的结晶。

elc方法是通过将准分子激光照射到非晶硅上来使非晶硅结晶的方法。非晶硅在准分子激光的波长所属的紫外区域中具有非常高的吸收系数。因此，非晶硅吸收准分子激光的能量而没有损失，因此可以容易地熔化。在使熔化的非晶硅固化的工艺中，熔化的非晶硅可以相变为晶体硅。

elc方法具有短的工艺时间，并且可以局部地执行。因此，elc方法不损坏基底sub。此外，通过elc方法形成的晶体硅呈现出热力学稳定的晶粒结构。

第一栅电极ge1可以设置在第一半导体层act1上。第一栅电极ge1可以将电场施加到第一半导体层act1上。电流根据施加到第一半导体层act1上的电场而在第一半导体层act1的沟道区中流动或不流动。

第一栅电极ge1可以包括导电材料。例如，第一栅电极ge1可以包括铝(al)、银(ag)、钨(w)、铜(cu)、镍(ni)、铬(cr)、钼(mo)、钛(ti)、铂(pt)、钽(ta)、钕(nd)、钪(sc)以及它们的合金中的至少一种。

第一绝缘层il1可以设置在第一栅电极ge1与第一半导体层act1之间。第一绝缘层il1使第一栅电极ge1和第一半导体层act1彼此绝缘。

第一绝缘层il1可以具有单层结构或多层结构。此外，第一绝缘层il1可以包括无机绝缘材料和有机绝缘材料中的至少一种。例如，当第一绝缘层il1具有无机绝缘材料的单层结构时，第一绝缘层il1可以包括氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层中的一种。当第一绝缘层il1具有无机绝缘材料的多层结构时，第一绝缘层il1可以具有其中氧化硅层和氮化硅层交替地堆叠的结构。当第一绝缘层il1具有有机绝缘材料的单层结构时，第一绝缘层il1可以包括丙烯酸酯、聚酰亚胺、聚酰胺和苯并环丁烯中的至少一种。当第一绝缘层il1具有有机绝缘材料的多层结构时，第一绝缘层il1可以具有其中上述材料以多层堆叠的结构。此外，第一绝缘层il1还可以具有其中无机绝缘层和有机绝缘层交替地堆叠的结构。

此外，可以使第一绝缘层il1的电容最小化，以使会在第一栅电极ge1与第一源电极se1和/或第一漏电极de1之间产生的寄生电容最小化。

第二绝缘层il2设置在第一栅电极ge1上方。像第一绝缘层il1一样，第二绝缘层il2可以包括无机绝缘材料和有机绝缘材料中的至少一种。可以包括在第二绝缘层il2中的无机机绝缘材料和有机绝缘材料的描述与第一绝缘层il1的描述相同。

根据实施例，电容器电极ce可以设置在第二绝缘层il2上。电容器电极ce被设置为与第一栅电极ge1间隔开，并且第二绝缘层il2置于其间。电容器电极ce与第一栅电极ge1叠置并形成电容。调节电容器电极ce的尺寸和第二绝缘层il2的厚度，从而可以控制电容。

电容器电极ce可以包括导电材料。例如，电容器电极ce可以包括铝(al)、银(ag)、钨(w)、铜(cu)、镍(ni)、铬(cr)、钼(mo)、钛(ti)、铂(pt)、钽(ta)、钕(nd)、钪(sc)以及它们的合金中的至少一种。

第四绝缘层il4可以设置在电容器电极ce上方。像第一绝缘层il1一样，第四绝缘层il4可以包括无机绝缘材料和有机绝缘层中的至少一种。在第四绝缘层il4中可以包括的无机绝缘材料和有机绝缘材料的描述与第一绝缘层il1的描述相同。

第五绝缘层il5设置在第四绝缘层il4上。第五绝缘层il5可以包括由无机材料制成的无机绝缘层和由有机材料制成的有机绝缘层中的至少一种。

第一源电极se1和第一漏电极de1可以设置在第五绝缘层il5上。

第一源电极se1和第一漏电极de1可以分别通过穿过第五绝缘层il5、第四绝缘层il4、第二绝缘层il2和第一绝缘层il1的接触孔而与第一半导体层act1的源区和漏区接触。源区和漏区可以是在其中对第一半导体层act1执行掺杂的区域。

第二晶体管tr2可以设置在第二绝缘层il2上。

第二晶体管tr2包括：第二半导体层act2，设置在第二绝缘层il2上并包括氧化物半导体；第二栅电极ge2，设置在第二半导体层act2的顶部或底部上；第二源电极se2和第二漏电极de2，设置为彼此间隔开并连接到第二半导体层act2；第三绝缘层il3，设置在第二栅电极ge2与第二半导体层act2之间。

第二半导体层act2设置在第二绝缘层il2上。第二半导体层act2可以与第二绝缘层il2接触。然而，在一些实施例中，还可以在第二半导体层act2与第二绝缘层il2之间设置有第三绝缘层il3或第四绝缘层il4。

第二半导体层act2可以包括氧化物半导体。包括在第二半导体层act2中的氧化物半导体可以包括单组分金属氧化物(诸如，氧化铟(in)、氧化锡(sn)或氧化锌(zn))、双组分金属氧化物(诸如，in-zn基氧化物、sn-zn基氧化物、al-zn基氧化物、zn-mg基氧化物、sn-mg基氧化物、in-mg基氧化物或in-ga基氧化物)、三组分金属氧化物(诸如，in-ga-zn基氧化物、in-al-zn基氧化物、in-sn-zn基氧化物、sn-ga-zn基氧化物、al-ga-zn基氧化物、sn-al-zn基氧化物、in-hf-zn基氧化物、in-la-zn基氧化物、in-ce-zn基氧化物、in-pr-zn基氧化物、in-nd-zn基氧化物、in-sm-zn基氧化物、in-eu-zn基氧化物、in-gd-zn基氧化物、in-tb-zn基氧化物、in-dy-zn基氧化物、in-ho-zn基氧化物、in-er-zn基氧化物、in-tm-zn基氧化物、in-yb-zn基氧化物或in-lu-zn基氧化物)和四组分金属氧化物(诸如，in-sn-ga-zn基氧化物、in-hf-ga-zn基氧化物、in-al-ga-zn基氧化物、in-sn-al-zn基氧化物、in-sn-hf-zn基氧化物或in-hf-al-zn基氧化物)中的至少一种。

例如，第二半导体层act2可以包括in-ga-zn基氧化物中的氧化铟嫁锌(igzo)。

包括在第二半导体层act2中的氧化物半导体是通过金属的阳离子与氧的阴离子的离子键合而形成的化合物半导体。因此，氧化物半导体的导带最小值(cbm)的主要组分是构成氧化物半导体的金属的s轨道，并且价带最大值(vbm)的主要组分是p轨道。

氧化物半导体的主要载流子是电子，氧化物半导体是n型的。氧化物半导体的电特性依赖于工艺期间的氧的空位以及掺杂到氧化物半导体中的氢浓度。具体地，氢对氧化物半导体的载流子浓度产生影响。

第二半导体层act2可以包括分别与第二源电极se2和第二漏电极de2接触的源区和漏区。源区和漏区之间的区域可以是沟道区。

还可以在第二半导体层act2上设置有蚀刻停止层。蚀刻停止层可以设置在第二半导体层act2上，以防止第二半导体层act2在显示装置的制造工艺中被劣化。

根据本示例实施例的显示装置包括彼此间隔开的第一晶体管tr1和第二晶体管tr2。第一晶体管tr1包括含有晶体硅的第一半导体层act1，第二晶体管tr2包括含有氧化物半导体的第二半导体层act2。

根据本示例实施例，分别包括由不同材料形成的第一半导体层act1和第二半导体层act2的第一晶体管tr1和第二晶体管tr2设置在基底sub上以彼此间隔开，使得能够同时获得包括氧化物半导体的晶体管的优点和包括晶体硅的晶体管的优点。

例如，包括晶体硅的晶体管可以设置在要求快速传输信号的区域中，该晶体管在半导体层中具有非常高的电子迁移速率但具有高处理成本。此外，包括氧化物半导体的晶体管可以设置在其中会产生漏电流的区域中，该晶体管具有比包括晶体硅的晶体管的电子迁移速率相对低的电子迁移速率，但具有低处理成本并防止漏电流。

例如，根据实施例，包括含有晶体硅的第一半导体层act1的第一晶体管tr1可以用作驱动晶体管。此外，包括含有氧化物半导体的第二半导体层act2的第二晶体管tr2可以用作开关晶体管。然而，第一晶体管tr1和第二晶体管tr2的上述功能仅是说明性的。

此外，虽然在图1中仅示出了显示装置的第一晶体管tr1和第二晶体管tr2，但如果需要，显示装置中可以包括更多数量的晶体管和电容器。例如，显示装置可以包括七个晶体管和一个电容器。然而，即使当显示装置包括两个或更多个晶体管时，至少一个晶体管包括含有氧化物半导体的半导体层，并且至少一个晶体管包括含有晶体硅的半导体层。

第二栅电极ge2设置在第二半导体层act2的顶部或底部上。

如图2中可以看出，第二栅电极ge2包括至少三个层l1、l2和l3。此时，第一层l1包括钼(mo)，第二层l2包括钛(ti)，第三层l3包括钼(mo)。因此，根据本示例实施例的第二栅电极ge2可以具有其中钼/钛/钼顺序堆叠的形式。然而，除了上述第一层l1至第三层l3之外，在第二栅电极ge2中还可以包括另外的层。例如，包括另外的金属的层可以设置在第一层l1与第二层l2之间或者第二层l2与第三层l3之间。

如上所述，第一层l1和第三层l3包括钼。这里，包括钼的第一层l1和第三层l3不仅可以包括第一层l1和第三层l3完全由钼制成的情况，还可以包括第一层l1和第三层l3由包括钼的合金制成的情况。然而，包括钼的合金中的钼的含量高于其它金属的含量。

类似地，包括钛的第二层l2不仅可以包括第二层l2完全由钛制成的情况，还可以包括第二层l2由包括钛的合金制成的情况。然而，包括钛的合金中钛的含量高于其它金属的含量。

根据实施例，第一层l1可以与设置在第二半导体层act2与第二栅电极ge2之间的第三绝缘层il3接触。包括钼的第一层l1可以防止第三绝缘层il3和第二层l2彼此反应。当第三绝缘层il3包括氧化物或氮氧化物时，第二层l2的钛会通过与第三绝缘层il3进行反应而变成氧化钛(tiox)。在这种情况下，第一层l1防止这种反应的发生。

当第二层l2中包括氧化钛(tiox)时，会使第二层l2的蚀刻均匀性劣化。这是因为钛相对于用于蚀刻的流体的反应性与氧化钛(tiox)针对用于蚀刻的流体的反应性不同。此外，氧化钛以残留形式存在于第三绝缘层il3中，因此会导致缺陷。

包括钛的第二层l2防止氢扩散到包括氧化物半导体的第二半导体层act2中。由于氢对包括氧化物半导体的第二半导体层act2的载流子浓度有影响，因此优选在工艺期间防止氢被不必要地注入到第二半导体层act2中。

第一层l1至第三层l3可以具有彼此不同的厚度。例如，第三层l3的厚度最厚，第一层l1可以比第二层l2厚。

第三绝缘层il3设置在第二栅电极ge2与第二半导体层act2之间。第三绝缘层il3可以具有单层结构或多层结构。此外，第三绝缘层il3可以包括无机绝缘材料和有机绝缘材料中的至少一种。例如，当第三绝缘层il3具有无机绝缘材料的单层结构时，第三绝缘层il3可以包括氧化硅层、氮化硅层和氧氮化硅层中的一种。当第三绝缘层il3具有无机绝缘材料的多层结构时，第三绝缘层il3可以具有其中氧化硅层和氮化硅层交替地堆叠的结构。

当第三绝缘层il3包括无机绝缘材料时，氧化硅层可以设置在第三绝缘层il3的与第二半导体层act2接触的表面处。在氮化硅层的情况下，在使用等离子体增强化学气相沉积(pecvd)来形成氮化硅层的工艺中，氧会渗透到第二半导体层act2中。渗透的氧会改变第二半导体层act2的电特性，因此，氧化硅层可以设置在第三绝缘层il3的与第二半导体层act2接触的表面处。

此外，第三绝缘层il3可以包括有机层。当第三绝缘层il3具有有机绝缘材料的单层结构时，第三绝缘层il3可以包括丙烯酸酯、聚酰亚胺、聚酰胺和苯并环丁烯中的至少一种。当第三绝缘层il3具有有机绝缘材料的多层结构时，第三绝缘层il3可以具有其中上述材料以多层堆叠的结构。

此外，第三绝缘层il3可以以能够使会在第二栅电极ge2与第二源电极se2和/或第二漏电极de2之间产生的寄生电容最小化的形状进行设置。为此，第三绝缘层il3可以以具有与第二栅电极ge2的面积近似的面积的岛形状来设置。然而，第三绝缘层il3的形状不限于此，并且第三绝缘层il3可以像第一绝缘层il1一样完全地形成在基底sub上。

第二源电极se2和第二漏电极de2可以设置在第五绝缘层il5上。第二源电极se2和第二漏电极de2可以分别通过穿过第五绝缘层il5的接触孔而与第二半导体层act2的源区和漏区接触。包括氧化物半导体的第二半导体层act2的源区与漏区之间的区域可以是沟道区。

保护层psv设置在第一源电极se1、第一漏电极de1、第二源电极se2和第二漏电极de2上方。保护层psv覆盖第一晶体管tr1和第二晶体管tr2。保护层psv可以包括由无机材料制成的无机绝缘层和由有机材料制成的有机绝缘层中的至少一个。

第一电极el1、发射层eml和第二电极el2设置在保护层psv上。第一电极el1、发射层eml和第二电极el2可以构成发光器件(即，显示单元)，该发光器件执行接收施加到第一晶体管tr1的信号以发光的功能。

第一电极el1和第二电极el2中的任何一个可以是阳极电极，第一电极el1和第二电极el2中的另一个可以是阴极电极。例如，当第一电极el1可以是阳极电极时，第二电极el2可以是阴极电极。当发光器件是顶发射型有机发光器件时，第一电极el1可以是反射电极，第二电极el2可以是透射电极。在实施例中，将作为示例来描述其中发光器件是顶发射型有机发光器件且第一电极el1是阳极电极的情况。

第一电极el1可以通过穿过保护层psv的接触孔电连接到第一晶体管tr1的第一漏电极de1。第一电极el1可以包括能够反射光的反射层和设置在反射层的顶部或底部上的透明导电层。透明导电层和反射层中的至少一个可以电连接到第一漏电极de1。

还可以在保护层psv上设置有具有开口的像素限定层pdl，该开口使第一电极el1的一部分(例如，第一电极el1的顶表面)通过其被暴露。

像素限定层pdl可以包括有机绝缘材料。例如，像素限定层pdl可以包括聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)、聚丙烯腈(pan)、聚酰胺(pa)、聚酰亚胺(pi)、聚芳醚(pae)、杂环聚合物、聚对二甲苯、环氧树脂、苯并环丁烯(bcb)、硅氧烷基树脂和硅烷基树脂中的至少一种。

发射层eml可以设置在第一电极el1的暴露表面上。

发射层eml可以包括低分子或高分子材料。在实施例中，低分子材料可以包括铜酞菁(cupc)、n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基联苯胺(npb)或三-8-羟基喹啉铝(alq3)等。高分子材料可以包括聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(pedot)类材料、聚(苯撑-乙烯撑)(ppv)类材料和/或聚(氟)类材料。

发射层eml不仅可以设置为单层，还可以设置为包括各种功能层的多层。当发射层eml设置为多层时，发射层eml可以具有其中空穴注入层、空穴传输层、发射层、电子传输层、电子注入层等以单个结构或复杂结构堆叠的结构。发射层eml的形式不限于此。除了上述结构之外，发射层elm还可以具有各种结构。此外，发射层elm的至少一部分可以一体地形成为遍及多个第一电极el1，或者可以被单独地设置为与多个第一电极el1中的每个对应。在发射层eml中产生的光的颜色可以是红色、绿色、蓝色和白色中的一种，但是本示例实施例不限于此。例如，在发射层eml的光产生层中产生的光的颜色可以是品红色、青色和黄色中的一种。

第二电极el2可以设置在发射层eml上。第二电极el2可以是半透射反射层。例如，第二电极el2可以是具有一定厚度的薄金属层，通过发射层eml发射的光可以通过该薄金属层而被透射。第二电极el2可以使从发射层eml发射的光的一部分通过其被透射，并使从发射层eml发射的其余的光从其被反射。

封装层tfe可以设置在发光器件上。

封装层tfe不仅可以形成为单层，还可以形成为多层。封装层tfe可以包括覆盖发光器件的多个绝缘层。例如，封装层tfe可以包括多个无机层和多个有机层。例如，封装层tfe可以具有其中无机层和有机层交替堆叠的结构。在一些情况下，封装层tfe可以是设置在发光器件上并通过密封剂与基底sub结合的封装基底。

输入感测单元可以设置在封装层tfe上。输入感测单元包括多个感测电极，并感测诸如用户的触摸的输入。封装层tfe可以用作输入感测单元的基体层。

图3是根据另一实施例的显示装置的剖视图。

在图3中示出的显示装置中，将主要描述与图1中示出的显示装置的部分不同的部分。

参照图3，在第二晶体管tr2中，第二栅电极ge2设置在第二半导体层act2下方。因此，第二栅电极ge2设置在第二绝缘层il2上。

在图3中示出的显示装置中，第二栅电极ge2也包括顺序堆叠的第一层至第三层。第一层和第三层包括钼，第二层包括钛。因此，第二栅电极ge2的第一层与第二绝缘层il2接触。

第一层可以防止由于第二绝缘层il2与包括钛的第二层彼此反应而生成氧化钛。此外，第二层可以防止氢和/或氧被扩散到第二半导体层act2中。

根据图3中示出的实施例，电容器电极ce可以设置在第二绝缘层il2上。因此，电容器电极ce可以与第二栅电极ge2设置在同一层中。当电容器电极ce与第二栅电极ge2设置在同一层中时，电容器电极ce可以像第二栅电极ge2一样包括顺序堆叠的第一层至第三层。此外，包括在电容器电极ce中的第一层和第三层可以包括钼，包括在电容器电极ce中的第二层可以包括钛。

第三绝缘层il3设置在第二栅电极ge2与第二半导体层act2之间。第三绝缘层il3完全覆盖第二栅电极ge2。此外，第三绝缘层il3也覆盖与第二栅电极ge2设置在同一层中的电容器电极ce。

第一晶体管tr1的第一源电极se1和第一漏电极de1分别通过穿过第三绝缘层il3、第二绝缘层il2和第一绝缘层il1的接触孔而连接到第一半导体层act1的源区和漏区。

然而，第二晶体管tr2的第二源电极se2和第二漏电极de2设置在第二半导体层act2上以与第二半导体层act2接触，而不需要任何接触孔。

保护层psv设置在第三绝缘层il3上。保护层psv覆盖第一晶体管tr1和第二晶体管tr2，并且可以包括由无机材料制成的无机绝缘层和由有机材料制成的有机绝缘层中的至少一个。

图4a至图4s是示出图1中示出的显示装置的制造方法的工艺剖视图。

首先，参照图4a，在制造根据本示例实施例的显示装置中，提供基底sub。可以将基底sub设置在用于执行显示装置的制造工艺的处理设备(诸如，沉积室)中。

参照图4b，在基底sub上设置包括晶体硅的第一半导体层act1。如上所述，可以通过使非晶硅结晶来形成第一半导体层act1。为了使非晶硅结晶，可以使用固相结晶(spc)方法、金属诱导结晶(mic)方法、金属诱导横向结晶(milc)方法、准分子激光结晶(elc)方法等。

可以通过将非晶硅完全地堆叠在基底sub上，使非晶硅结晶，然后使非晶硅图案化来形成第一半导体层act1。然而，在一些情况下，首先使非晶硅图案化然后使非晶硅结晶。

可以使用溅射方法、等离子体增强化学气相沉积(pecvd)方法、脉冲激光沉积(pld)方法、原子层沉积(ald)方法、金属有机化学气相沉积(mocvd)方法、通过旋涂可溶性前驱体然后对可溶性前驱体进行热处理来形成薄膜的溶液工艺、通过以雾形式喷洒可溶性前驱体来形成薄膜的雾化cvd方法等将非晶硅堆叠在基底sub上。

可以使用光刻法来执行晶体硅的图案化。例如，可以通过在晶体硅上形成包括含有光敏材料的光致抗蚀剂的光致抗蚀剂掩模，使用光致抗蚀剂掩模蚀刻晶体硅，然后去除光致抗蚀剂掩模来形成第一半导体层act1。

参照图4c，在第一半导体层act1上方设置第一绝缘层il1。第一绝缘层il1可以包括如上所述的有机绝缘材料或无机绝缘材料。例如，当第一绝缘层il1包括无机绝缘材料时，可以使用溅射方法或等离子体增强化学气相沉积(pecvd)方法来设置第一绝缘层il1。另一方面，当第一绝缘层il1包括有机绝缘材料时，可以使用诸如印刷或涂覆的方法来设置第一绝缘层il1。

参照图4d，在第一绝缘层il1上设置第一栅电极ge1。第一栅电极ge1包括导电材料。可以通过将导电材料完全地堆叠在第一绝缘层il1上然后使导电材料图案化来形成第一栅电极ge1。可以使用光刻方法来使第一栅电极ge1图案化。为了形成第一栅电极ge1，可以使用溅射方法、等离子体增强化学气相沉积(pecvd)方法等将导电材料堆叠在第一绝缘层il1上。

参照图4e，可以在设置第一栅电极ge1之后对第一半导体层act1进行掺杂。例如，可以对第一半导体层act1的源区act1_s和漏区act1_d进行掺杂。在这种情况下，第一栅电极ge1可以用作掺杂第一半导体层act1的屏障(barrier)。如果在形成第一栅电极ge1之后对第一半导体层act1进行掺杂，则不对与第一栅电极ge1叠置的区域act1_c进行掺杂。因此，与第一栅电极ge1叠置且未掺杂的区域可以用作第一半导体层act1的沟道区act1_c。

参照图4f，在第一栅电极ge1上设置第二绝缘层il2。像第一绝缘层il1一样，第二绝缘层il2可以包括从有机绝缘材料和无机绝缘材料中选择的至少一种。可以根据第二绝缘层il2的种类使用形成第二绝缘层il2的适当方法。

然后，在第二绝缘层il2上设置电容器电极ce。像第一栅电极ge1一样，可以通过在第二绝缘层il2上堆叠导电层然后使导电层图案化来设置电容器电极ce。

参照图4g，在电容器电极ce上方设置第四绝缘层il4。像第一绝缘层il1一样，第四绝缘层il4可以包括从有机绝缘材料和无机绝缘材料中选择的至少一种。可以根据第四绝缘层il4的种类使用形成第四绝缘层il4的适当方法。

参照图4h，在第四绝缘层il4上设置第二半导体层act2。将第二半导体层act2设置为与第一半导体层act1间隔开，并且第一半导体层act1和第二半导体层act2在平面上彼此不叠置。第二半导体层act2包括氧化物半导体。可以使用溅射方法、等离子体增强化学气相沉积(pecvd)方法、脉冲激光沉积(pld)方法、原子层沉积(ald)方法、金属有机化学气相沉积(mocvd)方法、通过旋涂可溶性前驱体然后对可溶性前驱体进行热处理来形成薄膜的溶液工艺、通过以雾形式喷洒可溶性前驱体来形成薄膜的雾化cvd方法等在第四绝缘层il4上设置氧化物半导体。

参照图4i，在第二半导体层act2上设置第三绝缘层il3。像第一绝缘层il1一样，第三绝缘层il3可以包括从有机绝缘材料和无机绝缘材料中选择的至少一种。可以根据第三绝缘层il3的种类使用形成第三绝缘层il3的适当方法。

参照图4j，在第三绝缘层il3上设置第二栅电极ge2。如上所述，第二栅电极ge2包括顺序堆叠的第一层、第二层和第三层。由于第一层和第三层包括钼且第二层包括钛，因此可以使用溅射方法、等离子体增强化学气相沉积(pecvd)方法等来设置第一层至第三层。

在第三绝缘层il3上顺序地设置第一层至第三层。因此，使用同一种方法来设置第一层至第三层。例如，可以使用pecvd方法来设置所有的第一层至第三层。在这种情况下，在同一沉积室中，待沉积的材料从钼变为钛并从钛变为钼，从而可以顺序地形成第一层至第三层。由于使用一个处理设备来设置第一层至第三层，因此可以降低处理成本，并且可以改善处理效率。

为了形成第一层至第三层，可以将导电材料完全地设置在第三绝缘层il3上，然后使导电材料图案化。例如，可以通过蚀刻第三层和第二层的第一蚀刻工艺以及蚀刻第一层的第二蚀刻工艺来使包括第一层至第三层的第二栅电极ge2图案化。下面将详细描述第一层至第三层的图案化。

可以通过单独的蚀刻工艺或蚀刻第一层的第二蚀刻工艺来使第三绝缘层il3图案化。因此，可以以具有与第二栅电极ge2的面积近似的面积的岛形状来设置第三绝缘层il3。在该实施例中，作为示例描述了其中使第三绝缘层il3与第二栅电极ge一起图案化的情况，但本公开不限于此。例如，可以不使第三绝缘层il3与第二栅电极ge2一起图案化。

参照图4k，可以设置第五绝缘层il5以覆盖第二栅电极ge2。第五绝缘层il5可以具有足够厚的厚度以使基底sub的其上形成有第二栅电极ge2的表面平坦化。

参照图4l，在第五绝缘层il5形成之后形成接触孔。接触孔可以分别使第一半导体层act1和第二半导体层act2的源区和漏区通过其而被暴露。

参照图4m，在第五绝缘层il5上设置第一源电极se1和第二源电极se2以及第一漏电极de1和第二漏电极de2。第一源电极se1和第二源电极se2以及第一漏电极de1和第二漏电极de2可以分别通过接触孔而与第一半导体层act1的源区和漏区以及第二半导体层act2的源区和漏区接触。

可以通过在第五绝缘层il5上形成导电材料层并使导电材料层图案化来形成第一源电极se1和第二源电极se2以及第一漏电极de1和第二漏电极de2。

参照图4n，设置保护层psv以覆盖第一源电极se1和第二源电极se2以及第一漏电极de1和第二漏电极de2。保护层psv可以包括使第一漏电极de1的一部分通过其被暴露的开口。

参照图4o，在保护层psv上设置第一电极el1。第一电极el1可以通过开口与第一漏电极de1接触。第一电极el1包括导电材料。可以通过将导电材料完全涂覆在保护层psv上然后使导电材料图案化来形成第一电极el1。

参照图4p，在第一电极el1上方设置像素限定层pdl。可以以使第一电极el1的至少一部分通过像素限定层pdl被暴露的形状来设置像素限定层pdl。

参照图4q，可以在第一电极el1的暴露的部分上设置发射层eml。可以使用诸如沉积的方法在第一电极el1上设置发射层eml。当发射层eml包括各种功能层(包括空穴注入层、电子注入层等)时，可以在第一电极el1上顺序地沉积多个功能层。

参照图4r，在像素限定层pdl和发射层eml上形成第二电极el2。可以完全地形成第二电极el2以与发射层eml叠置，或者可以使第二电极el2图案化以与发射层eml叠置。

参照图4s，可以在第二电极el2上设置封装层tfe。封装层tfe可以包括无机层和/或有机层。因此，可以根据封装层tfe的种类使用形成封装层tfe的适当方法。例如，当封装层tfe具有其中无机层和有机层以无机层/有机层/无机层的顺序交替堆叠的形式时，可以以沉积无机层、印刷或涂覆有机层以及沉积无机层的顺序执行形成封装层tfe的工艺。

图5a至图5g是示出图3中示出的显示装置的制造方法的工艺剖视图。

首先，直至形成第二绝缘层il2为止所执行的工艺与上述工艺相同。

参照图5a和图5b，在第二绝缘层il2上完全地设置导电层ml。可以通过使导电层ml图案化来形成电容器电极ce和第二栅电极ge2。

可以通过在第二绝缘层il2上形成包括钼的下层、在下层上形成包括钛的中间层以及在中间层上形成包括钼的上层来形成导电层ml。可以使用同一种方法(例如，沉积方法或溅射方法)在同一腔室中形成下层、中间层和上层。

可以使用光刻方法来执行导电层ml的图案化。因此，在其中将要在导电层ml上形成电容器电极ce和第二栅电极ge2的区域中设置光致抗蚀剂pr。图5a中示出的状态示出了在涂覆包括光敏材料的光致抗蚀剂然后将包括光敏材料的光致抗蚀剂显影之后的状态。

根据该实施例，通过同一工艺在同一层中设置电容器电极ce和第二栅电极ge2。因此，电容器电极ce和第二栅电极ge2包括相同的材料。根据本示例实施例，像第二栅电极ge2一样，电容器电极ce可以包括顺序堆叠的含有钼的第一层、含有钛的第二层和含有钼的第三层。

可以通过蚀刻第三层和第二层的第一蚀刻工艺以及蚀刻第一层的第二蚀刻工艺来使均包括第一层至第三层的第二栅电极ge2和电容器电极ce图案化。下面将详细描述第一层至第三层的图案化。

参照图5c，在第二栅电极ge2和电容器电极ce上方形成第三绝缘层il3。

参照图5d，在第三绝缘层il3上设置第二半导体层act2。可以使用溅射方法、等离子体增强化学气相沉积(pecvd)方法、脉冲激光沉积(pld)方法、原子层沉积(ald)方法、金属有机化学气相沉积(mocvd)方法、通过旋涂可溶性前驱体然后对可溶性前驱体进行热处理来形成薄膜的溶液工艺、通过以雾形式喷洒可溶性前驱体来形成薄膜的雾化cvd方法等在第三绝缘层il3上设置第二半导体层act2。

参照图5e，设置第一源电极se1和第二源电极se2以及第一漏电极de1和第二漏电极de2。通过穿过第三绝缘层il3、第二绝缘层il2和第一绝缘层il1而形成使第一半导体层act1的第一源电极se1和第一漏电极de1通过其被暴露的接触孔的工艺可以在设置第一源电极se1和第一漏电极de1之前。可以在第二半导体层act2上直接设置第二源电极se2和第二漏电极de2，而不需要任何接触孔。

参照图5f，在第一源电极se1和第二源电极se2以及第一漏电极de1和第二漏电极de2上方设置保护层psv。将保护层psv设置为覆盖第一晶体管tr1和第二晶体管tr2。此外，保护层psv可以使第一漏电极de1的一部分通过其被暴露。

在保护层psv上设置第一电极el1。第一电极el1可以连接到第一漏电极de1。

参照图5g，在第一电极el1上设置使第一电极el1通过其被暴露的像素限定层pdl、位于第一电极el1上的发射层eml、位于发射层eml上的第二电极el2和位于第二电极el2上的封装层tfe。

图6a至图6f是示出根据实施例的电极形成方法的工艺剖视图。

参照图6a和图6b，在绝缘层il上顺序地堆叠第一层l1、第二层l2和第三层l3。为了在绝缘层il上设置第一层l1、第二层l2和第三层l3，可以针对每层使用不同的方法来设置第一层l1至第三层l3。例如，可以使用溅射方法形成第一层l1，并且可以使用等离子体增强化学气相沉积(pecvd)方法形成第二层l2和第三层l3。然而，当使用不同方法形成层时，需要若干处理室。因此，会降低处理效率，并且会提高处理成本。因此，可以使用同一种方法在同一室中形成第一层l1至第三层l3。例如，可以使用等离子体增强化学气相沉积(pecvd)方法在一个沉积室中形成第一层l1至第三层l3。

第一层l1至第三层l3可以具有彼此不同的厚度。例如，第三层l3的厚度可以最厚。可以通过工艺时间来调节每层的厚度。例如，可以通过将沉积工艺时间增加为相对长而形成比其它层厚的第三层l3。

参照图6c，在第三层l3上设置光致抗蚀剂pr。可以通过将光致抗蚀剂pr完全涂覆在第三层l3上然后经受曝光工艺和显影工艺来使光致抗蚀剂pr保留在部分区域中。

参照图6d，在设置光致抗蚀剂pr之后执行第一蚀刻工艺。在第一蚀刻工艺中去除位于其中未设置有光致抗蚀剂pr的区域中的第三层l3和第二层l2。然而，在第一蚀刻工艺中，第一层l1的一部分可以与第三层l3和第二层l2一起被去除。

可以使用干蚀刻方法来执行第一蚀刻工艺。可以在干蚀刻工艺中使用用于在气态下蚀刻的流体。可以在真空室中执行干蚀刻工艺。例如，可以通过将第一层l1至第三层l3和用于蚀刻的流体提供到真空室并向用于蚀刻的流体施加电压来将用于蚀刻的流体的状态转变为等离子体状态。

在等离子体状态下的用于蚀刻的流体可以通过与第二层l2和第三层l3进行反应而产生处于气态的反应产物。随着包括在用于蚀刻的流体中的离子或自由基与金属原子反应，获得反应产物，并且反应产物的状态是气态。因此，容易地将反应产物从绝缘层il去除。

在第一蚀刻工艺中，用于蚀刻的流体可以包括六氟化硫(sf6)和氧(o2)。随着向真空室中的六氟化硫(sf6)施加电压，六氟化硫(sf6)的状态可以如下转变为等离子体状态。

化学式1

sf6→sf5+e^–+f自由基

f自由基可以通过与钛或钼进行反应而生成氟化钛或氟化钼。由于氟化钛或氟化钼处于气态，因此在绝缘层il上容易地去除氟化钛或氟化钼。

与六氟化硫(sf6)一起注入真空室中的氧可以用作有助于六氟化硫(sf6)的等离子体转化的催化剂。

在第一蚀刻工艺中使用的用于蚀刻的流体相对于第三层l3的蚀刻速率可以是在第一蚀刻工艺中使用的用于蚀刻的流体相对于第二层l2的蚀刻速率的大约0.9倍至大约1.1倍。因此，在第一蚀刻工艺中使用的用于蚀刻的流体以近似的速率对第三层l3和第二层l2进行蚀刻，因此，第三层l3和第二层l2的蚀刻表面可以平滑地连续而没有任何台阶差。当两层的蚀刻速率相差了在上述范围外的程度时，与以慢蚀刻速率蚀刻的层相比，会进一步蚀刻以快蚀刻速率蚀刻的层。因此，在两层的蚀刻表面之间会发生台阶差。

参照图6e和图6f，也可以使用干蚀刻方法执行第二蚀刻工艺。在第二蚀刻工艺中去除第一层l1。在第二蚀刻工艺中，用于蚀刻的流体可以包括氯(cl2)和氧(o2)。随着向真空室中的氯(cl2)施加电压时，氯(cl2)的状态可以转变为等离子体状态。

在等离子体状态下的氯(cl2)可以通过与第一层l1的钼进行反应而生成氯化钼。由于氯化钼处于气态，因此在绝缘层il上容易地去除氯化钼。

由于在第一蚀刻工艺中将第三层l3和第二层l2一起去除，所以第一蚀刻工艺的处理时间可以比仅去除第一层l1的第二蚀刻工艺的处理时间长。

根据本示例性实施例，可以通过使用两种蚀刻工艺来使多层电极图案化。因此，可以简化工艺并且可以改善处理效率。

第一层l1至第三层l3的蚀刻表面可以平滑地连续，而没有任何台阶差。具体地，如图6f中所示，第一层l1至第三层l3的蚀刻表面可以在其端部处具有锥形形状。在这种情况下，第一层l1至第三层l3的蚀刻表面具有基本相同的倾斜度，因此，电极的端部可以具有倾斜形状，该倾斜形状具有一个倾斜度。

包括第一层l1至第三层l3的电极可以应用于附图中示出的第二栅电极ge2。此外，第一层l1至第三层l3也可以应用于附图中示出的第一栅电极ge1或电容器电极ce。此外，第一层l1至第三层l3可以应用于未在图1至图5g中示出的另外的电极或线。

如上所述，实施例可以防止电极在电极与绝缘层之间的界面处被氧化。

此外，实施例可以简化显示装置的制造方法，从而改善处理效率。

这里已经公开了示例实施例，尽管采用了特定术语，但是它们仅以一般性和描述性的含义来被使用和将被解释，而不是出于限制的目的。在一些情况下，自本申请提交起对于本领域普通技术人员而言将明显的是，除非另有明确指示，否则结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或者与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求中阐述的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。