半导体器件的制造方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明涉及一种半导体器件的制造方法，涉及半导体集成电路制造技术，包括：提供一半导体衬底；在半导体衬底上形成栅氧化层；对栅氧化层表面采用激光快速退火工艺进行激光处理；以及，对栅氧化层进行氘气退火工艺，以采用氘气退火工艺填补界面层的“悬挂”键，从而改善衬底与栅氧化层之间的界面层的“悬挂”键。

技术研发人员：康俊龙;成鑫华;郝艳霞;尹俊;聂广宇
受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司
技术研发日：2018.09.30
技术公布日：2019.02.01