阵列基板及其形成方法、显示面板与流程

本发明涉及显示技术，特别是涉及阵列基板及其形成方法、显示面板。

背景技术：

近年来，oled(organiclight-emittingdiode，有机发光二极管)显示器已经逐步取代lcd(liquidcrystaldisplay，液晶显示器)显示器，成为显示器市场中的主流产品。oled显示器通常包括阵列基板及设于阵列基板上的发光像素。

传统的oled阵列基板，通常由层叠的柔性衬底、tft(thinfilmtransistor，薄膜晶体管)、平坦化层等膜层构成。

申请人在实现传统技术的过程中发现：传统的阵列基板，在受外力弯曲时，随着弯折次数的上升容易出现功能膜层开裂的问题。

技术实现要素：

基于此，有必要针对传统技术中随着弯折次数的上升阵列基板容易出现功能膜层开裂的问题，提供一种阵列基板及其形成方法、显示面板。

一种阵列基板，包括功能膜层及覆盖于所述功能膜层的部分表面的金属材料；所述功能膜层覆盖有金属材料的区域具有对所述功能膜层未覆盖有金属材料的区域的预应力。

在其中一个实施例中，所述功能膜层包括平坦化层，所述平坦化层包括第一区域和与第一区域相邻的第二区域，所述第一区域具有通孔；所述第一区域具有对所述第二区域的预应力，用于对抗所述阵列基板弯折时产生的弯折应力；所述金属材料包括阳极，所述阳极层叠于所述平坦化层的第一区域，且所述阳极填充所述通孔。

在其中一个实施例中，所述功能膜层包括柔性衬底，所述柔性衬底包括第三区域和与第三区域相邻的第四区域；所述第三区域具有对所述第四区域的预应力，用于对抗所述阵列基板弯折时产生的弯折应力；所述金属材料包括tft器件；所述tft器件层叠于所述柔性衬底的第三区域；相邻tft器件之间填充有绝缘材料；所述平坦化层层叠于所述tft器件和所述绝缘材料上，且所述阳极通过所述通孔与所述tft器件连接。

在其中一个实施例中，所述功能膜层包括像素限定层，所述像素限定层包括第五区域和与第五区域相邻的第六区域，所述第五区域层叠于所述阳极上，所述第六区域层叠于所述平坦化层的第二区域上；所述第五区域具有对所述第六区域的预应力，用于对抗所述阵列基板弯折时产生的弯折应力。

一种阵列基板的形成方法，包括如下步骤：在功能膜层的部分表面形成金属材料；对所述功能膜层和所述金属材料进行加热；对所述功能膜层和所述金属材料进行梯次降温，以使所述功能膜层覆盖有金属材料的区域具有对所述功能膜层未覆盖有金属材料的区域的预应力。

在其中一个实施例中，所述方法具体包括如下步骤：形成一作为功能膜层的平坦化层，所述平坦化层包括具有通孔的第一区域和与所述第一区域相邻的第二区域；在所述平坦化层的第一区域上形成阳极，所述阳极填充所述通孔；

对所述平坦化层和所述阳极进行加热；对所述平坦化层和所述阳极进行梯次降温，以使所述平坦化层的第一区域具有对第二区域的预应力。

在其中一个实施例中，所述形成一平坦化层之前，还包括：在作为功能膜层的柔性衬底上形成tft器件和绝缘材料；所述柔性衬底包括第三区域和与所述第三区域相邻的第四区域；所述tft器件层叠于所述第三区域，所述绝缘材料层叠于所述第四区域；对所述柔性衬底、tft器件和绝缘材料进行加热；对所述柔性衬底、tft器件和绝缘材料进行梯次降温，以使所述柔性衬底的第三区域具有对第四区域的预应力。

在其中一个实施例中，所述对所述平坦化层和所述阳极进行梯次降温之后，还包括：在所述平坦化层的第二区域上和所述阳极上形成作为功能膜层的像素限定层，所述像素限定层包括第五区域和第六区域，所述第五区域层叠于所述阳极上，所述第六区域层叠于所述平坦化层的第二区域上；对所述阳极和所述像素限定层进行加热；对所述阳极和所述像素限定层进行梯次降温，以使所述像素限定层的第五区域具有对第六区域的预应力。

在其中一个实施例中，所述第一区域具有对所述第二区域的预拉应力；所述第三区域具有对所述第四区域的预张应力；所述第五区域具有对所述第六区域的预拉应力；或

所述第一区域具有对所述第二区域的预张应力；所述第三区域具有对所述第四区域的预拉应力；所述第五区域具有对所述第六区域的预张应力。

一种显示面板，包括如上述任意一个实施例中所述的阵列基板。

上述阵列基板及其形成方法、显示面板，功能膜层覆盖有金属材料的区域具有对所述功能膜层未覆盖有金属材料的区域的预应力。当阵列基板受外力弯折时，预应力可以抵消阵列基板弯折产生的弯折应力，从而避免阵列基板由于弯折次数过多造成的膜层开裂或褶皱，进而提升使用该阵列基板的显示面板的显示效果。

附图说明

图1为本申请一个实施例中阵列基板的剖面结构示意图。

图2为本申请一个实施例中阵列基板的剖面结构简化示意图。

图3为本申请另一个实施例中阵列基板的剖面结构简化示意图。

图4为本申请又一个实施例中阵列基板的剖面结构简化示意图。

图5为本申请一个实施例中阵列基板的形成方法的流程示意图。

图6为本申请另一个实施例中阵列基板的形成方法的流程示意图。

图7为本申请又一个实施例中阵列基板的形成方法的流程示意图。

其中，各附图标号所代表的含义分别为：

100、柔性衬底；

110、第三区域；

120、第四区域；

200、tft器件；

20、绝缘材料；

300、平坦化层；

302、通孔；

310、第一区域；

320、第二区域；

400、阳极；

500、像素限定层；

502、凹坑；

510、第五区域；

520、第六区域。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

本申请中，预拉应力与预张应力的含义是：当第一区域具有对第二区域的预拉应力时，第二区域即具有对第一区域的预张应力。换言之，如同压力及支持力的关系，对于同一组施力受力物而言，预拉应力与预张应力是一对反作用力。

本申请提供一种阵列基板，包括功能膜层及覆盖于功能膜层的部分表面的金属材料。具体来说，如图1所示，功能膜层指阵列基板的平坦化层300、柔性衬底100及像素限定层500。金属材料指阵列基板中使用金属材料制作的阳极400及tft器件200。

该实施例中，功能膜层覆盖有金属材料的区域具有对功能膜层未覆盖有金属材料的区域的预应力。例如，平坦化层300覆盖有阳极400的区域具有对平坦化层300未覆盖有阳极400的区域的预应力；柔性衬底100覆盖有tft器件200的区域具有对柔性衬底100未覆盖有tft器件200的区域的预应力；像素限定层500覆盖有阳极400的区域具有对像素限定层500未覆盖有阳极400的区域的预应力，这些会在以下的实施例中具体阐述。当阵列基板受外力弯折时，该预应力可以抵消阵列基板弯折产生的弯折应力，从而避免阵列基板由于弯折次数过多造成的膜层开裂或褶皱，进而提升使用该阵列基板的显示面板的显示效果。

图1示例性的示出了本申请的阵列基板的剖面结构图，包括柔性衬底100、层叠于柔性衬底100上的tft器件200、tft器件200之间具有用于间隔的绝缘材料20、tft器件200和绝缘材料20上层叠有平坦化层300、阳极400和像素限定层500。平坦化层300具有暴露tft器件200的通孔302。阳极400层叠于平坦化层300上，并填充该通孔302，以通过该通孔302与tft器件200连接。像素限定层500部分层叠于阳极400上，部分层叠于平坦化层300上，形成一个暴露阳极400的、用于容纳发光像素的凹坑502。这些是本领域的惯用技术手段，不再赘述。

图2到图4对图1中的阵列基板的剖面结构进行了简化。下面以简化后的阵列基板的剖面结构示意图对本申请的各实施例进行描述。

在一个实施例中，如图2所示，平坦化层300包括第一区域310和与第一区域310相邻的第二区域320。通孔302设于平坦化层300的第一区域310。阳极400层叠于平坦化层300的第一区域310上，并填充该通孔302，从而与平坦化层300下的tft器件200连接。平坦化层300的第一区域310具有对第二区域320的预应力。该预应力用于对抗阵列基板弯折时产生的弯折应力，可以是预拉应力或预张应力的一种。该预应力的类型是预拉应力或是预张应力取决于阵列基板的产品设计需求。

在另一个实施例中，如图3所示，柔性衬底100包括第三区域110和与第三区域110相邻的第四区域120。tft器件200层叠于柔性衬底100的第三区域110上。一个tft器件200包括若干个tft及电容。任意的tft或电容之间具有绝缘材料20，用以隔绝不同的tft和电容。平坦化层300层叠于tft器件200和绝缘材料20上，以构成一个远离柔性衬底100的平坦的表面。其中，柔性衬底100的第三区域110具有对第四区域120的预应力。该预应力用于对抗阵列基板的弯折时产生的弯折应力，可以是预拉应力或预张应力的一种。该预应力的类型是预拉应力或是预张应力同样取决于阵列基板的产品设计需求。

在又一个实施例中，如图4所示，像素限定层500包括第五区域510和与第五区域510相邻的第六区域520。像素限定层500的第五区域510层叠于阳极400上，第六区域520层叠于平坦化层300的第二区域320上。像素限定层500的第五区域510形成有暴露阳极400的、用于容纳发光像素凹坑502。其中，像素限定层500的第五区域510具有对第六区域520的预应力。该预应力用于对抗阵列基板的弯折时产生的弯折应力，可以是预拉应力或预张应力的一种。该预应力的类型是预拉应力或是预张应力同样取决于阵列基板的产品设计需求。

上述阵列基板，将平坦化层300分为第一区域310和第二区域320，柔性衬底100分为第三区域110和第四区域120，像素限定层500分为第五区域510和第六区域520，且同一膜层的不同区域具有预应力。当阵列基板受外力弯折时，预应力可以抵消阵列基板弯折产生的弯折应力，从而避免阵列基板由于弯折次数过多造成的膜层开裂或褶皱，进而提升使用该阵列基板的显示面板的显示效果。

在一个具体的实施例中，当阵列基板的产品设计需求为阵列基板向像素限定层500一侧弯折时，第一区域310具有对第二区域320的预拉应力，第三区域110具有对第四区域120的预张应力，第五区域510具有对六区域的预拉应力。

阵列基板向像素限定层500一侧弯折是指在本申请的各附图中，阵列基板的中间部分向上突出，从中间向两侧延伸方向为向下方向。此时，由于阵列基板的弯折形变，平坦化层300内部产生张力，可能导致平坦化层300产生裂纹；柔性衬底100内部产生挤压力，可能导致柔性衬底100产生褶皱；像素限定层500内部产生张力，可能导致像素限定层500产生裂纹。为抵消阵列基板弯折形变时产生的弯折应力，平坦化层300的第一区域310对第二区域320具有预拉应力；柔性衬底100的第三区域110对第四区域120具有预张应力；像素限定层500的第五区域510对第六区域520具有预拉应力。

在另一个具体的实施例中，当阵列基板的产品设计需求为阵列基板向柔性衬底100一侧弯折时，第一区域310具有对第二区域320的预张应力，第三区域110具有对第四区域120的预拉应力，第五区域510具有对六区域的预张应力。

阵列基板向柔性衬底100一侧弯折是指在本申请的各附图中，阵列基板的中间部分向下凹陷，从中间向两侧延伸方向为向上方向。此时，由于阵列基板的弯折形变，平坦化层300内部产生挤压力，可能导致平坦化层300产生褶皱；柔性衬底100内部产生张力，可能导致柔性衬底100产生裂纹；像素限定层500内部产生挤压力，可能导致像素限定层500产生皱纹。为抵消阵列基板弯折形变时产生的弯折应力，平坦化层300的第一区域310对第二区域320具有预张应力；柔性衬底100的第三区域110对第四区域120具有预拉应力；像素限定层500的第五区域510对第六区域520具有预张应力。

在以上两个具体的实施例中，阵列基板内部的预应力可以抵消阵列基板弯折时产生的弯折应力，从而避免阵列基板由于弯折造成的膜层开裂或褶皱，进而提升使用该阵列基板的显示面板的显示效果。

下面从该阵列基板的形成方法对本申请进行描述。

本申请提供一种阵列基板的形成方法，包括：在功能膜层的部分表面形成金属材料；对所述功能膜层和所述金属材料进行加热；对所述功能膜层和所述金属材料进行梯次降温，以使所述功能膜层覆盖有金属材料的区域具有对所述功能膜层未覆盖有金属材料的区域的预应力。同样的，这里的功能膜层也包括阵列基板的平坦化层300、柔性衬底100及像素限定层500。金属材料包括阵列基板中使用金属材料制作的阳极400及tft器件200。

以下结合上述实施例中的阵列基板，对该阵列基板的形成方法进行具体描述。

如图5所示，一种阵列基板的形成方法，用于在柔性衬底100上形成预应力，包括如下步骤：

s110，在柔性衬底100上形成tft器件200和绝缘材料20，柔性衬底100包括第三区域110和与第三区域110相邻的第四区域120；tft器件200层叠于第三区域110，绝缘材料20层叠于第四区域120。

s120，对柔性衬底100、tft器件200和绝缘材料20进行加热。

s130，对柔性衬底100、tft器件200和绝缘材料20进行梯次降温，以使柔性衬底100的第三区域110具有对第四区域120的预应力。

具体来说，当需要第三区域110对第四区域120具有预拉应力时，可以是：在柔性衬底100上形成tft器件200及设于tft器件200之间的绝缘材料20后，对柔性衬底100、tft器件200和绝缘材料20进行加热。为使柔性衬底100、tft器件200和绝缘材料20可以实现梯次降温，加热过程中，可以使用主热源对柔性衬底100、tft器件200和绝缘材料20进行加热，同时使用辅热源仅对tft器件200的栅极、源极和漏极进行加热。该主热源对材料不具有选择性，可以同时加热平坦化层300和阳极400；该辅热源可以是对金属具有选择性的交变电磁场。该交变电磁场的频率可以是工频、中频和交频的任意一种。

由于柔性衬底100的第三区域110被金属的tft器件200覆盖，第四区域120离tft器件200较远。因此，降温时，可以先撤去主热源，使柔性衬底100和绝缘材料20失去热源，从而使柔性衬底100远离tft器件200的第四区域120先降温。待第四区域120温度恒定后，再撤去辅热源。此时，tft器件200和被tft器件200覆盖的柔性衬底100的第三区域110逐渐冷却。由于第三区域110冷却收缩时，第四区域120已趋于稳定，因此，第三区域110会对第四区域120产生拉应力。

当需要第三区域110对第四区域120具有张应力时，可以是：在柔性衬底100上形成tft器件200及设于tft器件200之间的绝缘材料20后，对柔性衬底100、tft器件200和绝缘材料20进行加热。

降温时，可以对tft器件200进行物理降温。由于tft器件200为金属，其降温速度较快，因此，被tft器件200覆盖的第三区域110的降温速度会快于远离tft器件200的第四区域120。由于第四区域120冷却收缩时，第三区域110已趋于稳定，因此，第三区域110会对第四区域120产生张应力。

在一个实施例中，如图6所示，用于在平坦化层300上形成预应力的阵列基板形成方法，在步骤s130后还包括：

s210，形成一平坦化层300，平坦化层300包括具有通孔302的第一区域310和与第一区域310相邻的第二区域320。

s220，在平坦化层300的第一区域310上形成阳极400，阳极400填充通孔302。

s230，对平坦化层300和阳极400进行加热。

s240，对平坦化层300和阳极400进行梯次降温，以使平坦化层300的第一区域310具有对第二区域320的预应力。

具体来说，当需要第一区域310对第二区域320具有拉应力时，可以是：在tft器件200及绝缘材料20上形成一平坦化层300，平坦化层300具有暴露阳极400通孔302。先对平坦化层300进行第一次加热固化，再在固化后的平坦化层300上形成一层叠的阳极400，且阳极400填充通孔302。对平坦化层300和阳极400进行第二次加热。为使平坦化层300和阳极400进行梯次降温，加热过程中，可以使用主热源对平坦化层300和阳极400进行加热，同时使用辅热源对阳极400进行加热。同样的，该主热源对材料不具有选择性，可以同时加热平坦化层300和阳极400；该辅热源可以是对金属具有选择性的交变电磁场。

降温时，可以先撤去主热源，使平坦化层300失去热源，从而使平坦化层300远离阳极400的第二区域320先降温。待第二区域320温度恒定后，再撤去辅热源。此时，阳极400和被阳极400覆盖的第一区域310逐渐冷却。由于第一区域310冷却收缩时，第二区域320已区域稳定，因此，第一区域310会对第二区域320产生拉应力。

当需要第一区域310对第二区域320具有张应力时，可以是：在平坦化层300上形成阳极400后，对平坦化层300和阳极400进行加热。

降温时，可以对阳极400进行物理降温。用于阳极400为金属，其降温速度较快，因此，被阳极400覆盖的第一区域310的降温速度会快于远离阳极400的第二区域320。由于第二区域320冷区收缩时，第一区域310已区域稳定，因此，第一区域310会对第二区域320产生张应力。

在一个实施例中，如图7所示，用于在像素限定层500上形成预应力的阵列基板的形成方法，在步骤s240后还包括：

s310，在平坦化层300的第二区域320上和阳极400上形成像素限定层500，像素限定层500包括第五区域510和第六区域520，第五区域510层叠于阳极400上，第六区域520层叠于平坦化层300的第二区域320上。

s320，对阳极400和像素限定层500进行加热。

s330，对阳极400和像素限定层500进行梯次降温，以使像素限定层500的第五区域510具有对第六区域520的预应力。

其中，步骤s320、s330的具体步骤分别和步骤s230、s240相似，不再赘述。

本申请还提供一种显示面板，包括阵列基板、发光像素及封装层。

具体来说，该显示面板的发光像素设于阵列基板的像素限定层形成的凹坑内。其包括蒸镀形成的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子产生层等。封装层与阵列基板结合，将发光像素封装于内。这些是本领域的惯用技术手段，不再赘述。

本申请还提供一种显示装置，包括上述显示面板。

该显示面板及显示装置，其阵列基板的膜层具有用于抵抗阵列基板弯折时产生的弯折应力的预应力，可以避免阵列基板由于弯折次数过多造成的膜层开裂或褶皱，进而提升显示面板或显示装置的显示质量。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。