形成半导体结构的方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明实施例公开一种形成半导体结构的方法。在衬底之上形成多层式结构。在所述多层式结构上形成具有台阶式侧壁的光刻胶堆叠。将所述光刻胶堆叠的图案转移到所述多层式结构。

技术研发人员：林炳豪;张复诚
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2018.11.12
技术公布日：2019.05.21