半导体晶片修补方法以及半导体晶片修补装置与流程

本发明涉及一种晶片修补方法以及晶片修补装置，特别是涉及一种半导体晶片修补方法以及半导体晶片修补装置。

背景技术：

目前，发光二极管(light-emittingdiode，led)因具备光质佳以及发光效率高等特性而得到广泛的应用。一般来说，为了使采用发光二极管做为发光元件的显示装置具有较佳的色彩表现能力，现有技术是利用红、绿、蓝三种颜色的发光二极管晶片的相互搭配而组成一全彩发光二极管显示装置，此全彩发光二极管显示装置可通过红、绿、蓝三种颜色的发光二极管晶片分别发出的红、绿、蓝三种的颜色光，然后再通过混光后形成一全彩色光，以进行相关信息的显示。然而，在现有技术中，当固定在电路基板上的发光二极管晶片损坏后，损坏的发光二极管晶片就不能再进行修补。

技术实现要素：

本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种半导体晶片修补方法以及半导体晶片修补装置。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是，提供一种半导体晶片修补方法，包括：首先，提供一发光二极管模块，所述发光二极管模块包括一电路基板以及一设置在所述电路基板上且电连接于所述电路基板的发光群组，其中，所述发光群组包括多个发光单元，每一个发光单元包括一发光二极管晶片以及一设置在所述发光二极管晶片的底端与所述电路基板之间的导电物质；接着，利用一信号产生器以提供一预定信号给所述发光二极管模块，以便于驱动多个所述发光单元；然后，利用一特征量测模块以量测出多个发光单元之中的至少一个具有一异常特征，而将其定义为一损坏的发光单元；紧接着，利用一激光产生模块所产生的一激光光源投向所述损坏的发光单元，以降低所述损坏的发光单元与所述电路基板之间的结合力；然后，利用一晶片取放模块将所述损坏的发光单元从所述电路基板上取下，以使得所述发光群组形成一空缺；接下来，利用所述晶片取放模块将一良好的发光单元置入所述发光群组的所述空缺内，其中，所述良好的发光单元包括一良好的发光二极管晶片以及一设置在所述良好的发光二极管晶片的底端的新的导电物质；紧接着，利用所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向所述良好的发光单元，以使得所述良好的发光单元固定在所述电路基板上且电连接于所述电路基板。

优选地，在利用所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向所述损坏的发光单元的步骤中，还进一步包括：利用一位置侦测模块以侦测所述电路基板与所述损坏的发光单元的所述导电物质之间的一接触界面的位置；以及利用所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向位于所述电路基板与所述损坏的发光单元的所述导电物质之间的所述接触界面，以降低所述电路基板与所述损坏的发光单元的所述导电物质之间的结合力。其中，所述位置侦测模块至少包括一用于接收一侦测波的接收元件。其中，所述发光二极管晶片为一氮化镓发光二极管晶片，所述导电物质为一异方性导电膜，且所述新的导电物质为一异方性导电胶。其中，每一个所述发光单元的所述发光二极管晶片接收到所述预定信号而产生一预定热源或者一预定光源，所述信号产生器所提供的所述预定信号为一逆电流，且所述特征量测模块所量测到的所述异常特征为一发热异常特征。

优选地，在利用所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向所述良好的发光单元的步骤中，还进一步包括：利用一位置侦测模块以侦测所述良好的发光单元的所述新的导电物质的位置；以及利用所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向所述良好的发光单元的所述新的导电物质，以固化所述新的导电物质。其中，所述位置侦测模块至少包括一用于接收一侦测波的接收元件。其中，所述发光二极管晶片为一氮化镓发光二极管晶片，所述导电物质为一异方性导电膜，且所述新的导电物质为一异方性导电胶。其中，每一个所述发光单元的所述发光二极管晶片接收到所述预定信号而产生一预定热源或者一预定光源，所述信号产生器所提供的所述预定信号为一逆电流，且所述特征量测模块所量测到的所述异常特征为一发热异常特征。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外一技术方案是，提供一种半导体晶片修补方法，包括：首先，提供一发光二极管模块，所述发光二极管模块包括一电路基板以及多个设置在所述电路基板上且电连接于所述电路基板的发光单元；接着，利用一信号产生器以提供一预定信号给所述发光二极管模块，以便于驱动多个所述发光单元；然后，利用一特征量测模块以量测出多个发光单元之中的至少一个具有一异常特征，而将其定义为一损坏的发光单元；紧接着，利用一激光产生模块所产生的一激光光源投向所述损坏的发光单元，以降低所述损坏的发光单元与所述电路基板之间的结合力；然后，利用一晶片取放模块将所述损坏的发光单元从所述电路基板上取下而形成一空缺；接下来，利用所述晶片取放模块将一良好的发光单元置入所述空缺内；紧接着，将所述良好的发光单元电连接于所述电路基板。

优选地，在利用所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向所述损坏的发光单元的步骤中，还进一步包括：利用一位置侦测模块以侦测所述电路基板与所述损坏的发光单元的一导电物质之间的一接触界面的位置；以及利用所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向位于所述电路基板与所述损坏的发光单元的所述导电物质之间的所述接触界面，以降低所述电路基板与所述损坏的发光单元的所述导电物质之间的结合力。其中，所述位置侦测模块至少包括一用于接收一侦测波的接收元件。其中，所述发光二极管晶片为一氮化镓发光二极管晶片，所述导电物质为一异方性导电膜，且所述新的导电物质为一异方性导电胶。其中，每一个所述发光单元的所述发光二极管晶片接收到所述预定信号而产生一预定热源或者一预定光源，所述信号产生器所提供的所述预定信号为一逆电流，且所述特征量测模块所量测到的所述异常特征为一发热异常特征。

优选地，在将所述良好的发光单元电连接于所述电路基板的步骤中，还进一步包括：利用所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向所述良好的发光单元，以使得所述良好的发光单元固定在所述电路基板上且电连接于所述电路基板。

优选地，在利用所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向所述良好的发光单元的步骤中，还进一步包括：利用一位置侦测模块以侦测所述良好的发光单元的一新的导电物质的位置；以及利用所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向所述良好的发光单元的所述新的导电物质，以固化所述新的导电物质。其中，所述位置侦测模块至少包括一用于接收一侦测波的接收元件。其中，所述发光二极管晶片为一氮化镓发光二极管晶片，所述导电物质为一异方性导电膜，且所述新的导电物质为一异方性导电胶。其中，每一个所述发光单元的所述发光二极管晶片接收到所述预定信号而产生一预定热源或者一预定光源，所述信号产生器所提供的所述预定信号为一逆电流，且所述特征量测模块所量测到的所述异常特征为一发热异常特征。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外再一技术方案是，提供一种半导体晶片修补装置，所述半导体晶片修补装置应用于一发光二极管模块，所述发光二极管模块包括一电路基板以及多个设置在所述电路基板上且电连接于所述电路基板的发光单元，其中，所述半导体晶片修补装置包括：一信号产生器、一特征量测模块、一激光产生模块以及一晶片取放模块。所述信号产生器电连接于所述电路基板，以提供一预定信号给所述发光二极管模块，以便于驱动多个所述发光单元。所述特征量测模块邻近所述电路基板，以量测出多个发光单元之中的至少一个具有一异常特征，而将其定义为一损坏的发光单元。所述激光产生模块邻近所述电路基板，以用于产生一激光光源。所述晶片取放模块邻近所述发光单元且设置在所述发光单元的上方。其中，所述激光产生模块所产生的激光光源投向所述损坏的发光单元，以降低所述损坏的发光单元与所述电路基板之间的结合力。其中，所述晶片取放模块将所述损坏的发光单元从所述电路基板上取下而形成一空缺，且所述晶片取放模块将一良好的发光单元置入所述空缺内。

优选地，半导体晶片修补装置还进一步包括：一位置侦测模块，所述位置侦测模块邻近所述电路基板且设置在所述电路基板的下方，以侦测所述电路基板与所述损坏的发光单元的一导电物质之间的一接触界面的位置，其中，所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向位于所述电路基板与所述损坏的发光单元的所述导电物质之间的所述接触界面，以降低所述电路基板与所述损坏的发光单元的所述导电物质之间的结合力，其中，所述位置侦测模块至少包括一用于接收一侦测波的接收元件，其中，所述发光二极管晶片为一氮化镓发光二极管晶片，所述导电物质为一异方性导电膜，且所述新的导电物质为一异方性导电胶，其中，每一个所述发光单元的所述发光二极管晶片接收到所述预定信号而产生一预定热源或者一预定光源，所述信号产生器所提供的所述预定信号为一逆电流，且所述特征量测模块所量测到的所述异常特征为一发热异常特征。

优选地，半导体晶片修补装置还进一步包括：一位置侦测模块，所述位置侦测模块邻近所述电路基板且设置在所述电路基板的下方，以侦测所述良好的发光单元的一新的导电物质的位置，其中，所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向所述良好的发光单元，以使得所述良好的发光单元固定在所述电路基板上且电连接于所述电路基板，且所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向所述良好的发光单元的所述新的导电物质，以固化所述新的导电物质，其中，所述位置侦测模块至少包括一用于接收一侦测波的接收元件，其中，所述发光二极管晶片为一氮化镓发光二极管晶片，所述导电物质为一异方性导电膜，且所述新的导电物质为一异方性导电胶，其中，每一个所述发光单元的所述发光二极管晶片接收到所述预定信号而产生一预定热源或者一预定光源，所述信号产生器所提供的所述预定信号为一逆电流，且所述特征量测模块所量测到的所述异常特征为一发热异常特征。

本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的半导体晶片修补方法以及半导体晶片修补装置，能通过“利用一信号产生器以提供一预定信号给所述发光二极管模块，以便于驱动多个所述发光单元，且利用一特征量测模块以量测出多个发光单元之中的至少一个具有一异常特征，而将其定义为一损坏的发光单元”或者“所述信号产生器提供一预定信号给所述发光二极管模块，以便于驱动多个所述发光单元，且所述特征量测模块量测出多个发光单元之中的至少一个具有一异常特征，而将其定义为一损坏的发光单元”的技术方案，以便于寻找出所述损坏的发光单元。

本发明的另外一有益效果在于，本发明所提供的半导体晶片修补方法，能通过“利用一激光产生模块所产生的一激光光源投向所述损坏的发光单元，以降低所述损坏的发光单元与所述电路基板之间的结合力”、“利用一晶片取放模块将所述损坏的发光单元从所述电路基板上取下而形成一空缺”、“利用所述晶片取放模块将一良好的发光单元置入所述空缺内”以及“将所述良好的发光单元电连接于所述电路基板”的技术方案，以使得所述损坏的发光单元能够被所述良好的发光单元所取代而达到修补的效果。

本发明的另外再一有益效果在于，本发明所提供的半导体晶片修补装置，能通过“所述激光产生模块邻近所述电路基板且设置在所述电路基板的下方，以用于产生一激光光源”以及“所述晶片取放模块邻近所述发光单元且设置在所述发光单元的上方”的技术方案，以使得所述激光产生模块所产生的激光光源投向所述损坏的发光单元而降低所述损坏的发光单元与所述电路基板之间的结合力，并且使得所述晶片取放模块将所述损坏的发光单元从所述电路基板上取下而形成一空缺。借此，由于所述晶片取放模块将一良好的发光单元置入所述空缺内，所以使得所述损坏的发光单元能够被所述良好的发光单元所取代而达到修补的效果。

为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。

附图说明

图1为本发明所提供的半导体晶片修补方法的流程图。

图2为本发明所提供的半导体晶片修补方法的步骤s100的示意图。

图3为本发明所提供的半导体晶片修补方法的步骤s102与s104的示意图。

图4为本发明所提供的半导体晶片修补方法的步骤s106与步骤s106(b)的示意图。

图5为本发明所提供的半导体晶片修补方法的步骤s108的示意图。

图6为本发明所提供的半导体晶片修补方法的步骤s110的示意图。

图7为本发明所提供的半导体晶片修补方法的步骤s112、步骤s114以及步骤s114(b)的示意图。

图8为本发明所提供的半导体晶片修补方法的步骤s106(a)的示意图。

图9为本发明所提供的半导体晶片修补方法的步骤s114(a)的示意图。

具体实施方式

以下是通过特定的具体实施例来说明本发明所公开有关“半导体晶片修补方法以及半导体晶片修补装置”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。本发明可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不脱离本发明的构思下进行各种修改与变更。另外，本发明的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本发明的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本发明的保护范围。

应理解，虽然本文中可能使用术语第一、第二、第三等来描述各种元件或者信号，但这些元件或者信号不应受这些术语的限制。这些术语主要是用以区分一元件与另一元件，或者一信号与另一信号。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。

请参阅图1至图7所示，本发明提供一种半导体晶片修补方法，包括下列步骤：

首先，配合图1与图2所示，提供一发光二极管模块1，发光二极管模块1包括一电路基板10以及多个设置在电路基板10上且电连接于电路基板10的发光单元11(步骤s100)。换句话说，发光二极管模块1包括一电路基板10以及一设置在电路基板10上且电连接于电路基板10的发光群组g，并且发光群组g包括多个发光单元11。

举例来说，每一个发光单元11包括一发光二极管晶片111以及一设置在发光二极管晶片111的底端与电路基板10之间的导电物质112。另外，发光二极管晶片111可为一氮化镓发光二极管晶片(ganled)。另外，导电物质112可为一异方性导电膜(anisotropicconductivefilm，acf)、一异方性导电胶(anisotropicconductivepaste，acp)或者任何种类的导电材料。值得注意的是，损坏的发光单元11b有可能是发光二极管晶片111是损坏而无法提供光源的情况，或者是导电物质112是无法导电而产生电性失效的情况。

接着，配合图1与图3所示，利用一信号产生器pg以提供一预定信号s1给发光二极管模块1以便于驱动或者开启多个发光单元1(步骤s102)；然后，利用一特征量测模块emmi以量测出多个发光单元11之中的至少一个具有一异常特征s2，而将其定义为一损坏的发光单元11b(步骤s104)。举例来说，每一个发光单元11的发光二极管晶片111接收到预定信号s1后，能够产生一预定热源或者一预定光源。另外，信号产生器pg可为一图案产生器(patterngenerator)，并且信号产生器pg所提供的预定信号s1可为一逆电流或者顺电流。此外，特征量测模块emmi所量测到的异常特征s2可为一发热异常特征或者亮度异常特征。然而，本发明不以上述所举的例子为限。

紧接着，配合图1与图4所示，利用一激光产生模块2所产生的一激光光源l投向损坏的发光单元11b，以降低损坏的发光单元11b与电路基板10之间的结合力(步骤s106)。举例来说，当激光产生模块2所产生的激光光源l投向损坏的发光单元11b时，损坏的发光单元11b与电路基板10之间的结合力会被降低，以使得损坏的发光单元11b与电路基板10两者会彼此分离。

然后，配合图1与图5所示，利用一晶片取放模块3将损坏的发光单元11b从电路基板10上取下而形成一空缺g10(步骤s108)，或者是，利用一晶片取放模块3将损坏的发光单元11b从电路基板10上取下，以使得发光群组g形成一空缺g10。举例来说，晶片取放模块3可以是真空吸嘴或者任何种类的取放机器(pickandplacemachine)。

接下来，配合图1与图6所示，利用晶片取放模块3将一良好的发光单元11n置入空缺g10内(步骤s110)，或者是，利用晶片取放模块3将一良好的发光单元11n置入发光群组g的空缺g10内。举例来说，良好的发光单元11n包括一良好的发光二极管晶片111n以及一设置在良好的发光二极管晶片111n的底端的新的导电物质112n，并且新的导电物质112n可为一异方性导电胶或者任何种类的导电材料。

紧接着，配合图1与图7所示，将良好的发光单元11n电连接于电路基板10(步骤s112)。举例来说，在将良好的发光单元11n电连接于电路基板10的步骤(步骤s112)中，还进一步包括：利用激光产生模块2所产生的激光光源l投向良好的发光单元11n，以使得良好的发光单元11n固定在电路基板10上且电连接于电路基板10(步骤s114)。

更进一步地，举例来说，配合图1、图4以及图8所示，在利用激光产生模块2所产生的激光光源l投向损坏的发光单元11b的步骤(步骤s106)中，还进一步包括：配合图1与图8所示，利用一位置侦测模块4以侦测电路基板10与损坏的发光单元11b的一导电物质112之间的一接触界面的位置(步骤s106(a))；然后，配合图1与图4所示，利用激光产生模块2所产生的激光光源l投向位于电路基板10与损坏的发光单元11b的导电物质112之间的接触界面，以降低电路基板10与损坏的发光单元11b的导电物质112之间的结合力(步骤s106(b))。举例来说，如图8所示，位置侦测模块4至少包括一用于接收一侦测波l’的接收元件40，并且侦测波l’可由激光产生模块2所提供。

更进一步地，举例来说，配合图1、图7以及图9所示，在利用激光产生模块2所产生的激光光源l投向良好的发光单元11n的步骤(步骤s114)中，还进一步包括：配合图1与图9所示，利用一位置侦测模块4以侦测良好的发光单元11n的一新的导电物质112n的位置(步骤s114(a))；然后，配合图1与图7所示，利用激光产生模块2所产生的激光光源l投向良好的发光单元11n的新的导电物质112n，以固化新的导电物质112n(步骤s114(b))。举例来说，如图9所示，位置侦测模块4至少包括一用于接收一侦测波l’的接收元件40，并且侦测波l’可由激光产生模块2所提供。

值得一提的是，配合图1至图9所示，本发明还提供一种半导体晶片修补装置z，并且半导体晶片修补装置z包括一信号产生器pg、一特征量测模块emmi、一激光产生模块2以及一晶片取放模块3。举例来说，半导体晶片修补装置z能应用于一发光二极管模块1。发光二极管模块1包括一电路基板10以及多个设置在电路基板10上且电连接于电路基板10的发光单元11。

更进一步来说，信号产生器pg电连接于电路基板10，以提供一预定信号s1给发光二极管模块1以便于驱动或者开启多个发光单元11。另外，特征量测模块emmi邻近电路基板10，以量测出多个发光单元11之中的至少一个具有一异常特征s2，而将其定义为一损坏的发光单元11b。举例来说，每一个发光单元11的发光二极管晶片111接收到预定信号s1后，能够产生一预定热源或者一预定光源。另外，信号产生器pg可为一图案产生器(patterngenerator)，并且信号产生器pg所提供的预定信号s1可为一逆电流或者顺电流。此外，特征量测模块emmi所量测到的异常特征s2可为一发热异常特征或者亮度异常特征。然而，本发明不以上述所举的例子为限。

更进一步来说，配合图4与图7所示，激光产生模块2邻近电路基板10且设置在电路基板10的下方，以用于产生一激光光源l。

举例来说，如图4所示，激光产生模块2所产生的激光光源l能投向损坏的发光单元11b，以降低损坏的发光单元11b与电路基板10之间的结合力。也就是说，激光产生模块2所产生的激光光源l能投向位于电路基板10与损坏的发光单元11b的导电物质112之间的接触界面，以降低电路基板10与损坏的发光单元11b的导电物质112之间的结合力。

举例来说，如图7所示，激光产生模块2所产生的激光光源l能投向良好的发光单元11n，以使得良好的发光单元11n能固定在电路基板10上且电连接于电路基板10。也就是说，激光产生模块2所产生的激光光源l能投向良好的发光单元11n的新的导电物质112n，以固化新的导电物质112n，借此以使得良好的发光单元11n能固定在电路基板10上且电连接于电路基板10。

更进一步来说，配合图6与图7所示，晶片取放模块3邻近发光单元11且设置在发光单元11的上方。举例来说，晶片取放模块3能将损坏的发光单元11b从电路基板10上取下而形成一空缺g10(如图6所示)，并且晶片取放模块3将一良好的发光单元11n置入空缺g10内(如图7所示)。

更进一步来说，配合图8与图9所示，半导体晶片修补装置z还进一步包括一位置侦测模块4。位置侦测模块4邻近电路基板10且设置在电路基板10的下方，用以侦测电路基板10与损坏的发光单元11b的一导电物质112之间的一接触界面的位置，或者用以侦测良好的发光单元11n的一新的导电物质112n的位置。

[实施例的有益效果]

本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的半导体晶片修补方法以及半导体晶片修补装置z，能通过“利用一信号产生器pg以提供一预定信号s1给发光二极管模块1，以便于驱动多个发光单元11，且利用一特征量测模块emmi以量测出多个发光单元11之中的至少一个具有一异常特征s2，而将其定义为一损坏的发光单元11b”或者“信号产生器pg提供一预定信号s1给发光二极管模块1，以便于驱动多个发光单元11，且特征量测模块emmi量测出多个发光单元11之中的至少一个具有一异常特征s2，而将其定义为一损坏的发光单元11b”的技术方案，以便于寻找出损坏的发光单元11b。

本发明的另外一有益效果在于，本发明所提供的半导体晶片修补方法，能通过“利用一激光产生模块2所产生的一激光光源l投向损坏的发光单元11b，以降低损坏的发光单元11b与电路基板10之间的结合力”、“利用一晶片取放模块3将损坏的发光单元11b从电路基板10上取下而形成一空缺g10”、“利用晶片取放模块3将一良好的发光单元11n置入空缺g10内”以及“将良好的发光单元11n电连接于电路基板10”的技术方案，以使得损坏的发光单元11b能够被良好的发光单元11n所取代而达到修补的效果。

本发明的另外再一有益效果在于，本发明所提供的半导体晶片修补装置z，能通过“激光产生模块2邻近电路基板10且设置在电路基板10的下方，以用于产生一激光光源l”以及“晶片取放模块3邻近发光单元11且设置在发光单元11的上方”的技术方案，以使得激光产生模块2所产生的激光光源l能投向损坏的发光单元11b而降低损坏的发光单元11b与电路基板10之间的结合力，并且使得晶片取放模块3将损坏的发光单元11b从电路基板10上取下而形成一空缺g10。借此，由于晶片取放模块3将一良好的发光单元11n置入空缺g10内，所以使得损坏的发光单元11b能够被良好的发光单元11n所取代而达到修补的效果。

以上所公开的内容仅为本发明的优选可行实施例，并非因此局限本发明的权利要求书的保护范围，所以凡是运用本发明说明书及附图内容所做的等效技术变化，均包含于本发明的权利要求书的保护范围内。