浅沟槽隔离结构及其形成方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明涉及浅沟槽隔离结构及其形成方法。在一个实施例中，本公开涉及一种浅沟槽隔离结构，包括形成在接地的半导体衬底中的浅沟槽；形成在浅沟槽的侧壁及底部上的氧化层；形成在氧化层上以填满所述浅沟槽的导电填充体，其中导电填充体被施加负电势以使得半导体衬底与浅沟槽的界面处的自由电荷在负电势的驱动下通过半导体衬底流向地。

技术研发人员：林永璨;黄晓橹
受保护的技术使用者：德淮半导体有限公司
技术研发日：2018.12.13
技术公布日：2019.04.16