本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种排气装置。
背景技术：
随着集成电路制造技术的飞速发展，集成电路的特征尺寸也在不断的减小，在一片半导体晶圆上，半导体器件的数量不断增加。为了满足半导体器件数量增多的要求，在一片半导体晶圆上往往包括多层结构的半导体器件，而相邻层的半导体器件通过金属互连结构实现电连接，从而在特定面积的晶圆上增加半导体器件数量，提高半导体器件的集成度。然而，随着集成电路结构的日益复杂，对于晶圆的要求也不断提高。
在半导体集成电路的制造过程中，由于工艺步骤的需要，例如刻蚀过程，经常会使用许多有毒有害的气体，例如Cl2、HBr、SiCl4等。为了确保半导体制造流程正常、稳定的进行，需要周期性的对半导体制造设备进行保养。在周期性维护(Periodical Maintain，PM)的过程中，需要对反应腔室进行清洁。此时，有毒有害物质会以气态的形式从所述反应腔室中挥发出来。这些有毒有害气体味道比较重，其挥发出来后会对无尘室环境造成影响，更为严重的是，会对作业人员的身体健康造成危害。
因此，如何避免周期性维护过程中反应腔室内的有毒有害残气外泄，是目前亟待解决的技术问题。
技术实现要素：
本实用新型提供一种排气装置，用以避免周期性维护过程中反应腔室内的残气易外泄的问题，防止对半导体制造过程中的无尘室环境造成影响，同时确保作业人员的安全。
为了解决上述问题，本实用新型提供了一种排气装置，包括由内层、外层和中间夹层构成的双层罩体以及抽气组件，所述罩体用于容纳反应腔室；所述内层上设置有多个排气孔，所述外层上安装有至少一排气口；所述抽气组件，连接所述排气口，用于使所述反应腔室中的残留气体依次经所述排气孔、所述中间夹层、所述排气口后抽出。
优选的，多个所述排气孔关于所述罩体的轴向对称分布。
优选的，多个所述排气孔在所述内层上呈阵列排布。
优选的，所述排气口的内径大于所述排气孔的内径。
优选的，至少一排气口包括多个排气口。
优选的，多个排气口包括两个排气口，且两个所述排气口之间的夹角大于预设角度。
优选的，所述预设角度为130°。
优选的，所述抽气组件包括抽气泵和管道；所述管道的一端与所述抽气泵连通、另一端与所述排气口连通，所述抽气泵用于将所述反应腔室内的残留气体依次经所述排气孔、所述中间夹层、所述排气口、所述管道后抽出。
优选的，还包括控制器；所述控制器，连接所述抽气泵，用于控制所述抽气泵的抽气速率。
本实用新型提供的排气装置，通过设置由内层、外层和中间夹层构成的双层罩体，在对半导体设备进行周期性维护的过程中，以所述罩体罩住反应腔室，抽气组件对所述罩体内部抽气，从而使得所述罩体内部形成一稳定的负压环境，所述反应腔室内的残留气体依次经内层上的排气孔、中间夹层、外层上的排气口后排出至外界，避免了反应腔室内残留气体的外泄，防止了对半导体制造过程中的无尘室环境造成影响，同时确保了作业人员的安全。
附图说明
附图1是本实用新型具体实施方式中排气装置的结构框图；
附图2是本实用新型具体实施方式中排气装置的俯视结构示意图；
附图3是本实用新型具体实施方式中排气装置的立体结构示意图；
附图4是本实用新型具体实施方式中排气装置的剖面图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型提供的排气装置的具体实施方式做详细说明。
本具体实施方式提供了一种排气装置，附图1是本实用新型具体实施方式中排气装置的结构框图，附图2是本实用新型具体实施方式中排气装置的俯视结构示意图，附图3是本实用新型具体实施方式中排气装置的立体结构示意图，附图4是本实用新型具体实施方式中排气装置的剖面图。
如图1-4所示，本具体实施方式提供的排气装置，包括由内层113、外层111和中间夹层112构成的双层罩体11以及抽气组件12，所述罩体11用于容纳反应腔室；所述内层113上设置有多个排气孔31，所述外层111上安装有至少一排气口21；所述抽气组件12，连接所述排气口21，用于使所述反应腔室中的残留气体依次经所述排气孔31、所述中间夹层112、所述排气口21后抽出。其中，所述反应腔室是指半导体制造过程中对晶圆进行处理的腔室。所述反应腔室内的残留气体是指所述反应腔室在进行半导体工艺处理过程中产生的或者使用的气体残留物，例如Cl2、HBr、SiCl4等。
具体来说，所述内层113套设于所述外层111围绕而成的腔体内，所述内层113围绕而成的腔体用于容纳所述反应腔室，所述内层113与所述外层111之间的空隙构成中空的所述中间夹层112。在对所述反应腔室进行周期性维护的过程中，采用所述罩体11将所述反应腔室罩住，使得所述反应腔室位于由所述罩体11围绕而成的空间内，并通过所述抽气组件12对所述罩体11内部进行抽气，使得所述罩体11内部形成一稳定的负压状态，此时，所述反应腔室内的残留气体次经内层113上的排气孔31、中间夹层112、外层111上的排出口21后排出至外界，有效避免了在对反应腔室内部进行清洁时残留气体的外泄问题。
所述罩体11的具体形状，本领域技术人员可以根据实际需要进行设置，例如可以是两端开口的环状结构，也可以是一端开口的盖状结构，只要能将所述反应腔室的开口部位遮罩住即可。为了更加有效的防止反应腔体内的残留气体外泄，优选的，所述罩体11为一端开口的盖状结构。
为了将所述反应腔室内的残留气体快速、均匀的抽出，优选的，多个所述排气孔31关于所述罩体11的轴向对称分布。为了进一步简化所述排气装置的制造工艺，更优选的，如图3所示，多个所述排气孔31在所述内层113上呈阵列排布。其中，所述排气孔31的内径本领域技术人员可以根据实际需要进行设置，例如根据所述反应腔室内进行的反应类型或残留的气体类型等。
为了快速的将所述反应腔室内的残留气体排出，优选的，所述排气口21的内径大于所述排气孔31的内径。其中，所述排气口21与所述排气孔31的相对尺寸关系，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，例如根据所述排气孔31与所述排气口21的数量等。更优选的，至少一排气口21包括多个排气口21。
为了不影响工作人员对所述反应腔室进行正常的周期性维护工作，且又能确保反应腔室中的残留气体快速、有效的排出，优选的，多个排气口21包括两个排气口21，且两个所述排气口21之间的夹角α大于预设角度。更优选的，所述预设角度为130°。
为了简化排气装置的整体结构，降低所述排气装置的成本，优选的，所述抽气组件12包括抽气泵121和管道122；所述管道122的一端与所述抽气泵121连通、另一端与所述排气口21连通，所述抽气泵121用于将所述反应腔室内的残留气体依次经所述排气孔31、所述中间夹层112、所述排气口21、所述管道122后抽出。所述抽气泵121更优选为真空抽气泵。为了便于对排出的残留气体进行后续处理，所述排气装置还包括收集腔；所述收集腔，连接所述抽气组件12，用于收集所述抽气组件12从所述罩体11内抽出的气体。
为了提高所述排气组件的操作灵活性，优选的，本具体实施方式提供的排气装置还包括控制器；所述控制器，连接所述抽气泵121，用于控制所述抽气泵121的抽气速率。例如，当所述反应腔室内残留的气体浓度较大时，可以通过所述控制器控制所述抽气泵121增大抽气速率，以加快所述反应腔室内残留气体的排出；当所述反应腔室内残留的气体浓度较小时，可以通过所述控制器控制所述抽气泵121减小抽气速率，以减少所述排气装置的能耗、节约成本。
本具体实施方式提供的排气装置，通过设置由内层、外层和中间夹层构成的双层罩体，在对半导体设备进行周期性维护的过程中，以所述罩体罩住反应腔室，抽气组件对所述罩体内部抽气，从而使得所述罩体内部形成一稳定的负压环境，所述反应腔室内的残留气体依次经内层上的排气孔、中间夹层、外层上的排气口后排出至外界，避免了反应腔室内残留气体的外泄，防止了对半导体制造过程中的无尘室环境造成影响，同时确保了作业人员的安全。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。