基片处理装置的制作方法

本实用新型的实施方式涉及一种基片处理装置。

背景技术：

一直以来，已知例如将使氮气等作为气泡混合而得的处理液供给到处理槽的基片处理装置(参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-69529号公报

技术实现要素：

实用新型想要解决的技术问题

然而，在上述基片处理装置中，在利用混合有气泡的处理液对基片进行均匀的处理这一点上存在改善的余地。

用于解决技术问题的技术方案

实施方式的一个方式的目的在于，提供一种能够均匀地蚀刻基片的基片处理装置。

实施方式的一个方式的基片处理装置包括基片处理槽、处理液供给喷嘴和调压板。处理液供给喷嘴设置在基片处理槽内的下方，从多个排出口排出处理液。调压板设置在处理液供给喷嘴与基片处理槽内的基片之间，具有使处理液流通的多个孔，调节从处理液供给喷嘴排出的处理液的流入压力。另外，调压板具有从处理液供给喷嘴侧的面突出的将处理液供给喷嘴侧的面划分为多个划分区域的棱。

实用新型效果

依照实施方式的一个方式，能够均匀地蚀刻基片。

附图说明

图1是第一实施方式的基片处理装置的概略平面图。

图2是表示第一实施方式的蚀刻用的处理槽的供给系统的结构的概略块图。

图3是第一实施方式的调压板的概略平面图。

图4是图3的IV-IV概略截面图。

图5是表示从处理液供给喷嘴排出的蚀刻液包含的气泡的状态的概略示意图。

图6是第一实施方式的整流板的概略平面图。

图7是变形例的整流板的概略平面图。

图8是第一实施方式的气泡产生部的概略结构图。

图9是第二实施方式的调压板的概略平面图。

图10是第三实施方式的调压板的概略平面图。

图11是表示第四实施方式的蚀刻用的处理槽的结构的概略块图。

图12是表示第四实施方式的气泡产生部的结构的概略结构图。

图13是从蚀刻液的流动方向观察第五实施方式的气泡产生部的概略正面图。

图14是图13的XIV-XIV的概略截面图。

图15是表示从图13所示的状态使混入部旋转90度的气泡产生部的图。

图16是图15的XVI-XVI的概略截面图。

图17是从蚀刻液的流动方向观察变形例的气泡产生部的概略正面图。

图18是图17的XVIII-XVIII的概略截面图。

附图标记说明

1 基片处理装置

6 批量处理部

8 基片

23 蚀刻处理装置

27 蚀刻用的处理槽

44 氮气供给部

45 内槽(基片处理槽)

47 调压板

47A 孔

47B 棱

47C 第一棱

47D 第二棱

47E 倒角部

47F 第三棱

48 整流板

48A 缝隙

49 处理液供给喷嘴

50 循环线路(处理液供给路径)

54 气泡产生部

60 气泡产生部

70 气泡产生部

72 混入部

72B 节流部(调节部)

75 混入部(调节部)。

具体实施方式

以下，参照附图，详细说明本申请公开的基片处理装置的实施方式。此外，本实用新型不限于以下所示的实施方式。

(第一实施方式)

图1如所示，第一实施方式的基片处理装置1包括载体运入运出部2、批量形成部3、批量载置部4、批量运送部5、批量处理部6和控制部100。图1是第一实施方式的基片处理装置1的概略平面图。在此，以与水平方向正交的方向为上下方向进行说明。

载体运入运出部2运入和运出载体9，上述载体9以水平姿态上下排列地收纳有多个(例如25个)基片(硅晶片)8。

在该载体运入运出部2设置有：用于载置多个载体9的载体台10；用于运送载体9的载体运送机构11；用于临时保存载体9的载体栈12、13；和用于载置载体9的载体载置台14。

载体运入运出部2使用载体运送机构11将从外部被运入载体台10的载体9运送到载体栈12或者载体载置台14。即，载体运入运出部2将收纳由批量处理部6进行处理之前的多个基片8的载体9运送到载体栈12或者载体载置台14。

载体栈12临时保存用于收纳由批量处理部6进行处理之前的多个基片8的载体9。

利用后述的基片运送机构15，将多个基片8从被运送到载体载置台14且收纳由处理部6进行处理之前的多个基片8的载体9中运出。

另外，从基片运送机构15，向载置在载体载置台14且未收纳基片8的载体9运入由批量处理部6进行了处理后的多个基片8。

载体运入运出部2使用载体运送机构11将载置在载体载置台14且收纳由批量处理部6进行了处理后的多个基片8的载体9运送到载体栈13或者载置台10。

载体栈13临时保存由批量处理部6进行了处理后的多个基片8。运送到载置台10的载体9被运送到外部。

在批量形成部3设置有运送多个(例如25个)基片8的基片运送机构15。批量形成部3中，执行2次由基片运送机构15进行的多个(例如25个)基片8的运送，形成由多个(例如50个)基片8构成的批量。

批量形成部3使用基片运送机构15将多个基片8从载置于载体载置台14的载体9运送到基片批量载置部4，将多个基片8载置在批量载置部4，以形成批量。

形成批量的多个基片8由批量处理部6同时进行处理。在形成批量时，可以以使在多个基片8的表面形成有图案的面彼此相对的方式形成批量，或者也可以以在多个基片8的表面形成有图案面全部朝向一个方向的方式形成批量。

另外，批量形成部3使用基片运送机构15，从由批量处理部6处理并载置在批量载置部4的批量中，将多个基片8运送到载体9。

基片运送机构15作为用于支承多个基片8的基片支承部，包括支承处理前的多个基片8的处理前基片支承部(未图示)和支承处理后的多个基片8的处理后基片支承部(未图示)这2种。由此，能够防止附着于处理前的多个基片8等的颗粒等转移到处理后的多个基片8等。

基片运送机构15能够在多个基片8的运送中途使多个基片8的姿态从水平姿态改变为垂直姿态和从垂直姿态改变为水平姿态。

批量载置部4将由批量运送部5在批量形成部3与批量处理部6之间运送的批量临时载置(待机)在批量载置台16。

在批量载置部4设置有运入侧批量载置台17与运出侧批量载置台18。

在运入侧批量载置台17载置处理前的批量。在运出侧批量载置台18载置处理后的批量。

在运入侧批量载置台17和运出侧批量载置台18，将一个批量的量的多个基片8以垂直姿态前后排列地载置。

批量运送部5在批量载置部4与批量处理部6之间或者批量处理部6的内部之间运送批量。

在批量运送部5设置有运送批量的批量运送机构19。批量运送机构19包括：沿着批量载置部4和批量处理部6配置的导轨20；和一边保持批量一边沿着导轨20移动的移动体21。

在移动体21设置有基片保持体22，上述基片保持体22保持由以垂直姿态前后排列的多个基片8形成的批量。

批量运送部5通过批量运送机构19的基片保持体22接收载置于运入侧批量载置台17的批量，将接收的批量交接到批量处理部6。

并且，批量运送部5通过批量运送机构19的基片保持体22接收由批量处理部6处理的批量，将接收的批量交接到运出侧批量载置台18。

另外，批量运送部5使用批量运送机构19在批量处理部6的内部进行批量的运送。

批量处理部6对由以垂直姿态前后排列的多个基片8形成的批量进行蚀刻、清洗和干燥等处理。

批量处理部6并排地设置有：用于对批量进行蚀刻处理的2台蚀刻处理装置23；用于对批量进行清洗处理的清洗处理装置24；用于对基片保持体22进行清洗处理的基片保持体清洗处理装置25；和用于对批量进行干燥处理的干燥处理装置26。此外，蚀刻处理装置23的台数不限于2台，可以为1台，也可以为3台以上。

蚀刻处理装置23包括蚀刻用的处理槽27、冲洗用的处理槽28和基片升降机构29、30。

蚀刻用的处理槽27存储蚀刻用的处理液(以下称为“蚀刻液”。)。冲洗用的处理槽28存储冲洗用的处理液(纯水等)。此外，蚀刻用的处理槽27的详细情况在后文述说。

在基片升降机构29、30以垂直姿态前后排列地保持形成批量的多个基片8。

蚀刻处理装置23通过基片升降机构29从批量运送机构19的基片保持体22接收批量，通过基片升降机构29使接收的批量下降，由此将批量浸渍在处理槽27的蚀刻液中以进行蚀刻处理。

之后，蚀刻处理装置23使基片升降机构29上升以从处理槽27取出批量，并将批量从基片升降机构29交接到批量运送机构19的基片保持体22。

然后，通过基片升降机构30从批量运送机构19的基片保持体22接收批量，通过基片升降机构30使接收的批量下降，由此将批量浸渍在处理槽28的冲洗用的处理液中以进行冲洗处理。

之后，蚀刻处理装置23使基片升降机构30上升以将批量从处理槽28取出，并将批量从基片升降机构30交接到批量运送机构19的基片保持体22。

清洗处理装置24包括清洗用的处理槽31、冲洗用的处理槽32和基片升降机构33、34。

在清洗用的处理槽31存储清洗用的处理液(SC-1等)。在冲洗用的处理槽32存储冲洗用的处理液(纯水等)。基片升降机构33、34以垂直姿态前后并排地保持一个批量的量的多个基片8。

干燥处理装置26包括处理槽35和相对于处理槽35升降的基片升降机构36。

向处理槽35供给干燥用的处理气体(IPA(异丙醇)等)。基片升降机构36以垂直姿态前后并排地保持一个批量的量的多个基片8。

干燥处理装置26通过基片升降机构36从批量运送机构19的基片保持体22接收批量，通过基片升降机构36使接收的批量下降以运入处理槽35，利用供给到处理槽35的干燥用的处理气体进行批量的干燥处理。然后，干燥处理装置26通过基片升降机构36使批量上升，将进行了干燥处理的批量从基片升降机构36交接到批量运送机构19的基片保持体22。

基片保持体清洗处理装置25具有处理槽37，能够向处理槽37供给清洗用的处理液和干燥气体，在向批量运送机构19的基片保持体22供给清洗用的处理液后，通过供给干燥气体来进行基片保持体22的清洗处理。

控制部100控制基片处理装置1的各部(载体运入运出部2、批量形成部3、批量载置部4、批量运送部5、批量处理部6)的动作。控制部100基于来自开关等的信号，控制基片处理装置1的各部的动作。

该控制部100例如由计算机构成，具有计算机可读取的存储介质38。在存储介质38中存储有对基片液处理装置1中执行的各种处理进行控制的程序。

控制部100通过读取并执行存储于存储介质38的程序，来控制基片液处理装置1的动作。此外，程序存储于计算机可读取的存储介质38中，也可以从其他存储介质安装到控制部100的存储介质38中。

作为计算机可读取的存储介质38，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。

接着，参照图2说明蚀刻用的处理槽27。图2是表示第一实施方式的蚀刻用的处理槽27的结构的概略块图。在此，将在水平方向之中在处理槽27中配置多个基片8的方向，即与基片8垂直的方向设为前后方向，将水平方向之中与前后方向正交的方向设为左右方向，来进行说明。

在本实施方式中，作为蚀刻液，使用在规定浓度的药剂(磷酸(H3PO4))的水溶液(以下称为“磷酸水溶液”。)中混合了硅溶液的液体。此外，蚀刻液不限于磷酸处理液。

蚀刻用的处理槽27包括磷酸水溶液供给部40、磷酸水溶液排出部41、纯水供给部42、硅供给部43、氮气供给部44、内槽45、外槽46、调压板47和整流板48。

磷酸水溶液供给部40包括磷酸水溶液供给源40A、磷酸水溶液供给线路40B和第一流量调节器40C。

磷酸水溶液供给源40A是存储磷酸水溶液的罐。磷酸水溶液供给线路40B连接磷酸水溶液供给源40A与外槽46，从磷酸水溶液供给源40A向外槽46供给磷酸水溶液。

第一流量调节器40C设置在磷酸水溶液供给线路40B，调节向外槽46供给的磷酸水溶液的流量。第一流量调节器40C由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成。

纯水供给部42包括纯水供给源42A、纯水供给线路42B和第二流量调节器42C。纯水供给部42为了补充因加热蚀刻液而蒸发的水分，向外槽46供给纯水(DIW)。

纯水供给线路42B连接纯水供给源42A与外槽46，从纯水供给源42A向外槽46供给规定温度的纯水。

第二流量调节器42C设置在纯水供给线路42B，用于调节向外槽46供给的纯水的流量。第二流量调节器42C由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成。

硅供给部43包括硅供给源43A、硅供给线路43B和第三流量调节器43C。

硅供给源43A是存储硅溶液，例如分散有硅胶(colloidal silicon)的溶液的罐。硅供给线路43B连接硅供给源43A与外槽46，从硅供给源43A向外槽46供给硅溶液。

第三流量调节器43C设置在硅供给线路43B，用于调节向外槽46供给的硅溶液的流量。第三流量调节器43C由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成。

氮气供给部44包括氮气供给源44A、氮气供给线路44B和第四流量调节器44C。氮气供给部44对蚀刻液供给作为不活泼气体的氮气。

氮气供给源44A是存储氮气(N2)的罐。氮气供给线路44B连接氮气供给源44A和后述的循环线路50，从氮气供给源44A对在循环线路50中流的蚀刻液供给氮气。

第四流量调节器44C设置在氮气供给线路44B，调节向循环线路50供给的氮气的流量。第四流量调节器44C由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成。

内槽45的上部开放，蚀刻液被供给至上部附近。在内槽45中，通过基片升降机构29将批量(多个基片8)浸渍在蚀刻液，对基片8进行蚀刻处理。内槽45构成基片处理槽。

在内槽45的下方沿前后方向设置有处理液供给喷嘴49。在左右方向设置有2个处理液供给喷嘴49。此外，处理液供给喷嘴49的数量不限于此，可以为1个，也可以为3个以上。

在处理液供给喷嘴49形成有多个向左方和右方排出含有气泡的蚀刻液的排出口49A。排出口49A沿前后方向形成多个。此外，也可以为排出口49A例如向左斜上方和右斜上方排出蚀刻液。

另外，在内槽45中，在处理液供给喷嘴49与基片8之间设置有调压板47和整流板48。调压板47设置在比整流板48更靠下方侧的位置。即，调压板47设置在整流板48与处理液供给喷嘴49之间。

调压板47和整流板48由石英或者无定形碳等的耐化学性的材料形成。

在此，参照图3和图4说明调压板47。图3是第一实施方式的调压板47的概略平面图。图4是沿图3的IV-IV线的概略截面图。

在调压板47，沿上下方向形成有孔47A。孔47A在左右方向和前后方向形成多个，用于使蚀刻液流通。调压板47调节从处理液供给喷嘴49(参照图2)排出的蚀刻液的流入压力，调节水平方向(前后方向和左右方向)的蚀刻液的流入压力。即，调压板47能够使从孔47A向上方流出的蚀刻液的流入压力均匀化。此外，孔47A的形状为圆形，但是不限于此，也可以为例如椭圆形或者矩形。

调压板47具有从处理液供给喷嘴49侧的面(以下称为“背面”。)向处理液供给喷嘴49突出的棱47B。

棱47B包括沿调压板47的背面的周缘形成的第一棱47C和沿前后方向形成的第二棱47D。第一棱47C形成在调压板47的背面的整周。

第二棱47D在左右方向排列地形成多个，并将调压板47的背面划分为多个区域。即，调压板47的背面由棱47B划分为多个区域(以下称为“划分区域”。)。多个划分区域在左右方向排列形成。

利用棱47B(第一棱47C和第二棱47D)将调压板47的背面划分为多个划分区域，由此如图5所示，能够抑制进入划分区域的气泡(图5中以“B”表示。)向其他划分区域移动。图5是表示从处理液供给喷嘴49排出的蚀刻液包含的气泡B的状态的概略示意图。

各划分区域形成为包含多个孔47A。孔47A在处理液供给喷嘴49侧的开口部形成有倒角部47E。倒角部47E形成在处理液供给喷嘴49侧的开口部的整周。由此，能够抑制蚀刻液含有的气泡留在调压板47的背面侧的开口部附近，能够提高孔47A中的蚀刻液的流通性。

接着，参照图6说明整流板48。图6是第一实施方式的整流板48的概略平面图。

在整流板48，沿左右方向形成缝隙48A。缝隙48A形成为与调压板47的孔47A不同的形状。缝隙48A在前后方向排列地形成多个。缝隙48A相对于内槽45内的基片8产生均匀的蚀刻液的平行流。即，整流板48对蚀刻液的液流进行整流。

在处理液供给喷嘴49侧的缝隙48A的开口部，与调压板47同样地形成有倒角部(未图示)。倒角部形成在处理液供给喷嘴49侧的开口部的整周。由此，能够抑制蚀刻液含有的气泡留在处理液供给喷嘴49侧的缝隙48A的开口部附近，能够提高缝隙48A中的蚀刻液的流通性。

此外，也可以如图7所示，在整流板48中，为了抑制将相邻的缝隙48A分隔开的分隔部48B因蚀刻液的液流而翘曲，而设置沿前后方向形成的增强部48C。图7是变形例的整流板48的概略平面图。

返回图2，外槽46设置在内槽45的上部周围并且上部开放。从内槽45溢出的蚀刻液流入外槽46。另外，从纯水供给部42向外槽46供给纯水。另外，从硅供给部43向外槽46供给硅溶液。

在外槽46设置有保温板46A。保温板46A可拆卸地设置在外槽46的外侧的侧壁。保温板46A由PTFE(polytetrafluoroethylene，聚四氟乙烯)等的耐化学性的材料形成。保温板46A对外槽46内的蚀刻液进行保温。

另外，保温板46A也作为改变外槽46的容积的调节板发挥作用。例如通过安装保温板46A，与不安装保温板46A的情况相比，能够外槽46的容积减小，减少在蚀刻处理中使用的蚀刻液。另外，通过在外槽46安装/拆卸厚度不同的保温板46A，能够调节外槽46的容积，能够调节蚀刻处理中使用的蚀刻液的量。

外槽46与内槽45通过循环线路50连接。循环线路50的一端与外槽46连接，循环线路50的另一端与设置在内槽45内的处理液供给喷嘴49连接。循环线路50构成处理液供给路径。

在循环线路50从外槽46侧依次设置有泵51、加热器52、过滤器53、气泡产生部54。外槽46内的蚀刻液被加热器52加热并从处理液供给喷嘴49流入内槽45内。加热器52将供给到内槽45的蚀刻液家人至适合蚀刻处理的规定温度。

通过驱动泵51，蚀刻液从外槽46经由循环线路50被送到内槽45内。另外，蚀刻液从内槽45溢出，从而再次流出到外槽46。如此，形成蚀刻液的循环路径55。即，循环路径55由外槽46、循环线路50、内槽45形成。在循环路径55中，以内槽45为基准，外槽46设置在比加热器52更靠上流侧的位置。

另外，过滤器53与气泡产生部54之间的循环线路50与氮气供给线路44B连接，在循环线路50中流动的蚀刻液中混入氮气。

如图8所示，气泡产生部54为静态混合器(static mixer)，通过使多个部件54A旋转来将从氮气供给线路44B混入蚀刻液的氮气微小化，在循环线路50内产生直径减小的气泡。图8是第一实施方式的气泡产生部54的概略结构图。

返回图2，磷酸水溶液排出部41在更换蚀刻处理中使用的全部蚀刻液或者一部分蚀刻液时，排出蚀刻液。磷酸水溶液排出部41包括排出线路41A、第五流量调节器41B和冷却罐41C。

排出线路41A与循环线路50连接。第五流量调节器41B设置在排出线路41A，调节排出的蚀刻液的排出量。第五流量调节器41B由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成。冷却罐41C临时存储流过排出线路41A的蚀刻液并将其冷却。

此外，通过根据来自控制部100的信号而致动器(未图示)运作，来改变构成第一流量调节器40C～第五流量调节器41B的开闭阀的开闭或者流量控制阀的开度。即，构成第一流量调节器40C～第五流量调节器41B的开闭阀或者流量控制阀由控制部100控制。

在基片处理装置1中，调压板47的背面被棱47B划分为多个划分区域。由此，能够抑制气泡在划分区域之间的移动，能够抑制通过调压板47的孔47A向上方流动的气泡发生不均。例如，在调压板47以在左右方向倾斜的方式安装的情况下，气泡在划分区域之间的移动被棱47B抑制，能够使从各划分区域包含的孔47A流出的蚀刻液的液流均匀。因此，基片处理装置1能够均匀地蚀刻基片8的表面。

另外，在基片处理装置1中，通过气泡产生部54将氮气的气泡微小化，含有微小化的气泡的蚀刻液从处理液供给喷嘴49被排出到内槽45。由此，基片处理装置1能够利用含有微小化的气泡的蚀刻液进行蚀刻处理，能够均匀地蚀刻形成于基片8的图案。

另外，在基片处理装置1中，在形成于调压板47的孔47A的背面侧的开口部形成倒角部47E。由此，能够抑制蚀刻液含有的气泡留在调压板47的背面侧的开口部附近。因此，基片处理装置1能够提高孔47A中的蚀刻液的流通性。

另外，在基片处理装置1中，在基片8与调压板47之间设置整流板48，通过形成于整流板48的缝隙48A对蚀刻液的液流进行整流。由此，基片处理装置1能够利用整流后的蚀刻液进行蚀刻处理。

(第二实施方式)

接着，参照图9说明第二实施方式的基片处理装置1。图9是第二实施方式的调压板47的概略平面图。在此，以与第一实施方式不同之处为主进行说明，对与第一实施方式相同的结构，标注相同的附图标记，并省略详细的说明。

在调压板47中，随着从左右方向的中心侧向左右方向的两端侧去，划分区域的面积变小。即，形成于左右方向的两端的划分区域的面积小于其他划分区域的面积。

具体而言，左右方向上的棱47B(第一棱47C和第二棱47D)之间的距离并不均匀，形成左右方向的两端的划分区域的第一棱47C和第二棱47D的长度L1，短于形成其他划分区域的第二棱47D之间的长度L2、L3。

对于形成于左右方向的两端的划分区域，除了从处理液供给喷嘴49的排出口49A(参照图2)排出的蚀刻液直接流入其中之外，碰撞到内槽45的左右方向的侧壁的蚀刻液也流入其中。

因此，例如当使形成于左右方向的两端的划分区域与其他划分区域为相同的面积时，流入形成于左右方向的两端的划分区域的气泡变多，流入各划分区域的气泡发生不均。

在基片处理装置1中，在调压板47中，使形成于左右方向的两端的划分区域的面积小于其他划分区域的面积小。由此，能够抑制流入各划分区域的气泡发生不均，能够抑制通过调压板47的孔47A流向上方的气泡发生不均。因此，基片处理装置1能够均匀地蚀刻基片8的表面。此外，气泡不均的情况根据处理液供给喷嘴49的配置或者内槽45的形状而不同。因此，上述面积的大小为一个例子，能够通过分别设定划分区域的面积，来抑制气泡不均。例如，能够设定为各划分区域的面积不同，还能够设定为一部分划分区域与其他划分区域的面积不同。

(第三实施方式)

接着，参照图10说明第三实施方式的基片处理装置1。图10是第三实施方式的调压板47的概略平面图。在此，以与第一实施方式不同之处为主进行说明，对与第一实施方式相同的结构，标注相同的附图标记，并省略详细的说明。

调压板47设有作为棱47B的第一棱47C、沿前后方向形成的第二棱47D和沿左右方向形成的第三棱47F。第二棱47D和第三棱47F以彼此交叉的方式形成。即，棱47B形成为格子状。

由此，在调压板47的背面形成由棱47B在左右方向和前后方向划分出的划分区域。

此外，棱47B中，例如也可以为沿从左右方向倾斜的方向形成第三棱47F。即，形成格子状的划分区域即可，不限定划分区域的形状。例如划分区域的形状可以为正方形、长方形、平行四边形等，也可以不同的形状进行组合。

在基片处理装置1中，在调压板47的背面形成格子状的棱47B。由此，在各划分区域中，能够抑制气泡在左右方向和前后方向的移动。由此，能够进一步抑制通过调压板47的孔47A流向上方的气泡发生不均。因此，基片处理装置1能够更均匀地蚀刻基片8的表面。

(第四实施方式)

接着，参照图11说明第四实施方式的基片处理装置1。图11是表示第四实施方式的蚀刻用的处理槽27的结构的概略块图。在此，以与第一实施方式不同点为中心进行说明，对与第一实施方式相同的结构，标注相同的附图标记，省略详细的说明。

在第四实施方式的基片处理装置1中，作为气泡产生部60使用文丘里管。氮气供给线路44B连接氮气供给源44A与气泡产生部60。

如图12所示，气泡产生部60包括缩径部61、混入部62、扩径部63。图12是表示第四实施方式的气泡产生部60的结构的概略结构图。在气泡产生部60中，沿蚀刻液的流动方向依次设置有缩径部61、混入部62、扩径部63。

缩径部61与循环线路50连接，以随着向下流侧去而管内的直径变小的方式形成。混入部62设置在缩径部61与扩径部63之间，与氮气供给线路44B(参照图11)连接。混入部62形成有供从氮气供给线路44B供给的氮气流动的孔62A。由混入部62供给的氮气混入蚀刻液。扩径部63以随着向下流侧去而管内的直径变大的方式形成。

气泡产生部60中，在扩径部63中压力增加时，使通过混入部62混入蚀刻液的氮气的气泡破裂而使气泡微小化。

在基片处理装置1中，作为气泡产生部60使用文丘里管，由此能够使混入蚀刻液的氮气的气泡微小化。由此，基片处理装置1能够均匀地蚀刻形成在基片8的图案。

(第五实施方式)

接着，参照图13和图14说明第五实施方式的基片处理装置1。图13是从蚀刻液的流动方向观察第五实施方式的气泡产生部70的概略正面图。图14是图13的XIV-XIV的概略截面图。在此，以与第四实施方式不同之处为主进行说明，对与第四实施方式相同的结构，标注相同的附图标记，并省略详细的说明。

在第五实施方式的基片处理装置1中，作为气泡产生部70使用能够改变流路面积的文丘里管。流路面积是与蚀刻液的流动方向垂直的面的面积。

气泡产生部70包括支承部71和混入部72。支承部71形成为管状，与循环线路50连接。在支承部71形成有供混入部72的一部分插入的插入孔71A。支承部71可转动地支承混入部72。支承部71形成供蚀刻液流动的流路，并且可转动地支承混入部72。

混入部72与氮气供给线路44B(参照图11)连接。混入部72形成有供从氮气供给线路44B供给的氮气流动的孔72A。混入部72设有板状的节流部72B，上述节流部72B在形成供蚀刻液流动的流路的支承部71内突出。节流部72B构成调节部。

节流部72B在混入部72转动时，与混入部72一起转动，并如图13～图16所示，随着转动而流路面积改变。图13和图14的气泡产生部70处于利用节流部72B减小了流路面积的状态。图15是表示使混入部72从图13所示的状态旋转90度后的气泡产生部70的图。图16是图15的XVI-XVI的概略截面图。

通过使节流部72B从图13所示的状态旋转90度，如图15所示，流路面积变大。

气泡产生部70通过利用节流部72B改变流路面积，能够改变产生的气泡的直径。例如在图13和图14所示的流路面积较小的状态下，与图15和图16所示的流路面积较大的状态相比，能够进一步将气泡微小化，气泡的直径变小。

混入部72可以通过电动机等的致动器来转动，也可以通过手动来转动。此外，能够根据产生的气泡的直径来适当设定混入部72的转动位置，即节流部72B的流路面积。

在基片处理装置1中，通过使节流部72B转动来改变流路面积，能够改变由气泡产生部70产生的气泡的直径。由此，能够根据蚀刻处理的内容(在基片8形成的图案或者蚀刻液的种类等)，来改变蚀刻液含有的气泡的直径。所以，基片处理装置1能够利用含有适合蚀刻处理的直径的气泡的蚀刻液，来进行蚀刻处理。另外，通过使混入部72转动，能够改变气泡的直径，因此，基片处理装置1能够容易地调节气泡的直径。

此外，也可以如图17和图18所示，气泡产生部70使形成有供氮气流动的孔75A的棒状的混入部75突出到流路内，通过改变突出到流路内的混入部75的突出量，来改变流路面积。图17是从蚀刻液的流动方向观察变形例的气泡产生部70的概略正面图。图18是图17的XVIII-XVIII的概略截面图。例如，气泡产生部70通过使混入部75在上下方向移动，来改变流路面积。由此，基片处理装置1能够改变蚀刻液含有的气泡的直径。混入部75可以通过电动机等的致动器来转动，也可以通过手动来转动。混入部75构成调节部。

此外，也可以在变形例的气泡产生部70中，通过更换长度不同的混入部75，改变突出量，改变流路面积。

此外，也可以将上述实施方式适当组合来使用。例如基片处理装置1可以包括图9所示的调压板47与图13和图14所示的气泡产生部70。

另外，在上述实施方式中，在循环线路50设置气泡产生部54、60、70，使包含气泡的蚀刻液从处理液供给喷嘴49排出，但是不限于此。例如，可以在内槽45设置与处理液供给喷嘴49不同的气泡产生喷嘴，从氮气供给部44经由气泡产生喷嘴向内槽45供给氮气，在内槽45内产生气泡。

其他的效果和变形例，能够由本领域技术人员容易地导出。因此，本实用新型的更广泛的方式，并不限于如上所述表示和记载的特定的详细内容，以及代表性的实施方式。因此，不超出由所附的权利要求的范围及其等效范围定义的、总括性的发明创造概念的精神或者范围，能够进行各种改变。