基板处理装置的制作方法

本发明涉及一种具有对基板的周围的气氛进行调节的功能的基板处理装置。

背景技术：

为了制造半导体装置，对半导体晶圆等基板实施各种处理。在进行某一个处理的情况下，基板在收容到foup等基板输送容器内的状态下向基板处理装置输入。接下来，利用基板输送装置将基板从基板输送容器取出而向处理腔室内输入，在该处理腔室内实施处理，之后，利用基板输送装置将基板从处理腔室取出而向原来的基板输送容器输入。

有时因含有比较多的氧的无尘室内的大气气氛而在基板的表面产生达到问题程度的氧化。为了防止该氧化，在从基板输送容器输出来之后直到再次返回基板输送容器为止，将基板所经过的区域的至少一部分设为低氧浓度气体气氛(参照例如专利文献1)。

也存在要求在从基板输送容器输出来之后直到再次返回基板输送容器为止将基板所经过的整个区域设为低氧浓度气体气氛的情况。在该情况下，需要使大量的低氧浓度气体向基板处理装置的内部流通，耗费很大的工厂能源。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2001-102374号公报

技术实现要素：

发明要解决的问题

本发明的目的在于可靠地进行基板处理装置内的空间的气氛调整、同时削减气氛调整用的气体的使用量。

用于解决问题的方案

根据本发明的一实施方式，提供一种基板处理装置，该基板处理装置具备：容器输入输出部，其供收容有基板的基板输送容器载置；处理单元，其对所述基板实施处理；输送空间，其用于在所述容器输入输出部与所述处理单元之间输送基板；基板输送机构，其在所述输送空间内在所述容器输入输出部与所述处理单元之间输送所述基板；第1气体供给路径，其用于向所述处理单元供给气氛调整气体；第1气体排出路径，其用于从所述处理单元排出所述气氛调整气体；循环路径，其与所述输送空间连接，使从所述输送空间流出来的所述气氛调整气体返回所述输送空间；第2气体供给路径，其用于向由所述输送空间和所述循环路径构成的循环系统供给所述气氛调整气体；以及第2气体排出路径，其用于从所述循环系统排出所述气氛调整气体。

发明的效果

根据上述本发明的实施方式，使输送空间的气氛调整用的气氛调整气体循环而被反复利用，因此，能够削减气氛调整气体的使用量，能够降低基板处理装置的运行成本和对工厂能源的负担。

附图说明

图1是第1实施方式的基板处理系统的概略俯视图。

图2是沿着图1的ii-ii线的基板处理系统概略剖视图。

图3是沿着图1的iii-iii线的基板处理系统概略剖视图。

图4是处理单元的概略纵剖视图。

图5是第1实施方式的基板处理系统的概略配管系统图。

图6是第2实施方式的基板处理系统的概略配管系统图。

图7是包括第3实施方式的基板处理系统的概略配管系统图的概略剖视图，且是在与图2同样的位置剖切的基板处理系统概略剖视图。

附图标记说明

w、基板；c、基板输送容器；2、容器输入输出部；60a、60b、处理单元；33、50a、50b、4a、4b、4c、输送空间；33、第1输送区域；50a、50b、50c、第2输送区域；4a、4b、4c、连接区域(交接单元)；32、51a、51b、基板输送机构(基板输送装置)；32、第1基板输送装置；51a、51b、51c、第2基板输送装置；76a、76b、66、第1气体供给路径；67、79a、79b、第1气体排出路径(排气路径)；81、82、80l、811～813、821～824、循环路径；801a、第2气体供给路径；804、第2气体排出路径；37、56a、56b、72、维护门；802a、循环系统通气路径；69、单元通气路径；39、57、74、锁定机构；s1～s4、氧浓度传感器；100、控制部(安全装置)。

具体实施方式

以下，参照附图对作为本发明的基板处理装置的一实施方式的基板处理系统进行说明。图1是表示基板处理系统的概略结构的图。以下，为了明确位置关系，规定相互正交的x轴、y轴以及z轴，将z轴正方向设为铅垂朝上方向。

如图1所示，基板处理系统1具有输入输出部2、第1输送部3、转接部(连接部)4以及处理部5。第1输送部3、转接部4以及处理部5收容于覆盖基板处理系统1的整体的外壳内。

输入输出部2具有容器载置部20，在该容器载置部20上能够载置多个基板输送容器c(以下，简称为“容器c”)。容器c是被称为例如foup(front-openingunifiedpod：前开式晶圆传送盒)式的承载件。在容器c内以水平姿势沿着铅垂方向等间隔地收纳有多张基板w(例如半导体晶圆)。载置到容器载置部20的容器c的外表面暴露于设置有该基板处理系统1的无尘室内的气氛。

在第1输送部3的前表面板31(参照图1和图2)设置有多个门。在各门设置有容器c的盖(未图示)的解锁机构和盖吸附机构，能够用于拆卸载置于容器载置部20的容器c的盖。在容器c的盖被拆卸时，容器c的内部空间与第1输送部3的内部空间(随后论述的第1输送空间33)连通。此时，容器c的开口部的周缘与第1输送部3的前表面板31紧密接触，因此，无尘室内的气氛不进入容器c的内部。在收纳有基板w的容器c输入到该基板处理系统1时，容器c内设为氮气气氛并被密闭。本段落所记载的内容是在半导体制造装置的技术领域中众所周知的，在附图中未示出。

在第1输送部3内设置有第1基板输送装置32。在转接部4设置有两个交接单元4a、4b。各交接单元4a、4b能够以水平姿势沿着铅垂方向隔开间隔地保持多张基板w。第1基板输送装置32从载置于容器载置部20而盖被拆卸掉的容器c取出基板w，向两个交接单元4a、4b中的任一者输入。第1输送部3的内部空间33也被称为第1输送空间33。此外，在本说明书中“输送空间”是指利用基板输送装置输送基板w的空间。

处理部5具有上侧部分5a和下侧部分5b。上侧部分5a和下侧部分5b的结构彼此大致相同，因此，在本说明书中，在很多情况下，仅对上侧部分5a进行说明。在上侧部分5a的左右方向(y方向)中央部形成有沿着前后方向(x方向)延伸的第2输送空间50a。在第2输送空间50a内设置有第2基板输送装置51a。在第2输送空间50a的左右两旁分别设置有多个处理单元60a。第2基板输送装置51a能够在上侧的交接单元4a与位于上侧部分5a的多个处理单元60a之间输送基板。

如图4所示，处理单元60a具有单元壳体(腔室)61和配置到单元壳体61内的处理机构62。在图示的实施方式中，处理机构62具有：旋转卡盘63(基板保持旋转机构)，其以水平姿势保持基板w而使基板w绕铅垂轴线旋转；喷嘴64，其向基板w供给处理流体(化学溶液、冲洗液、二流体等)；以及杯体65，其包围基板w的周围。

处理单元60a具有向单元壳体61的内部空间(处理空间)、特别是基板w的上方的空间供给气氛调整气体、在本例中是氮气的氮气供给部66。氮气供给部66也可以构成为风机过滤单元，在该情况下，在处理空间形成有气氛调整气体的下降流。

在杯体65连接有：排气路径67，其用于对杯体65内部的气氛进行抽吸；以及排液路径68，其用于从杯体65排出自基板w飞散的处理流体。排液路径68与半导体制造工厂的废液管线连接。从排气路径67排出含有充满单元壳体61的内部空间的气体和从喷嘴64供给到基板w的处理流体的混合流体。

在处理单元60设置有空气供给口69(单元通气路径)，该空气供给口69用于向单元壳体61的内部空间供给作为吹扫气体的空气(在此是过滤后的无尘室内的空气、即洁净空气)。

在单元壳体61的面对第2输送空间50a的侧面设置有保持基板w的第2基板输送装置51的臂能够穿过的开口70。在开口70设置有开闭器71。开闭器71在第2基板输送装置51相对于处理单元60a输入输出基板w时打开。开闭器71在处理单元60a内执行基板w的处理时关闭，将处理单元60a的内部空间和输送空间50a隔离。开闭器71也可以具有闸阀那样的结构。

在处理单元60a的与开闭器71相反的一侧的侧面设置有在维护处理单元60a的各种构成零部件时被打开的维护门72。在维护门72设置有锁芯73和电磁锁74。作业者通过将操作钥匙插入锁芯73并使该锁芯73旋转，能够将处理单元60a的状态在维护模式与处理模式之间切换。

在各处理单元60a设置有用于对单元壳体61的内部空间的氧浓度进行检测的氧浓度传感器s4(参照图5)。

位于处理部5的下侧部分5b的处理单元60b也具有与处理单元60a同样的结构。

如图3和图4所示，在处理部5的上侧部分5a的上部设置有用于向位于上侧部分5a的各处理单元60a的氮气供给部66供给作为气氛调整气体的氮气的氮气供给管道76a。在各处理单元60a的氮气供给部66与氮气供给管道76a之间设置有开闭阀66v。另外，在处理部5的上侧部分5a的上部设置有用于向位于上侧部分5a的各处理单元60a的空气供给口(通气路)69供给作为吹扫气体的空气的空气供给管道78a。在各处理单元60a的空气供给口69与空气供给管道78a之间设置有开闭阀69v。在处理部5的上侧部分5a设置有供从处理单元60a的排气路径67排出的气体或混合流体流入的排气管道79a。

在处理部5的下侧部分5b，也以与上侧部分5a同样的形态设置有氮气供给管道76b、空气供给管道78b和排气管道79b。

排气管道79a和排气管道79b延伸到处理部5的外壳的底板(日文：床パネル)的高度位置。

在包围第1输送部3的内部空间、也就是说第1输送空间33的板中的顶板设置有在第1输送空间33内形成气氛调整气体的下降流(向z负方向流动)的风机过滤单元34。在包围第1输送空间33的板中的底板设置有用于从第1输送空间33排出气氛调整气体的排气口35。如图2所示，也可以在排气口35设置用于促进来自第1输送空间33的排气的抽吸风扇35a。

在包围第1输送空间33的板中的底板设置有用于排出从第1输送空间33向第1基板输送装置32内引进的气氛调整气体的排气口36，以便排出第1基板输送装置32的表面和内部的灰尘、微粒等。如图2所示，也可以在排气口36设置用于促进排气的抽吸风扇36a。

如图1所示，在包围第1输送空间33的板中的左侧或右侧的侧面板设置有维护门37。通过打开维护门37，作业者进入第1输送空间33而能够进行第1基板输送装置32的维护等作业。

在维护门37设置有锁芯38和电磁锁39。作业者通过将操作钥匙插入锁芯38而使该锁芯38旋转，能够将第1输送空间33和第2输送空间50a、50b的状态在维护模式与处理模式之间切换。

如图2所示，在转接部4的交接单元4a的上方设置有风机过滤单元41a。风机过滤单元41a经由在包围第2输送空间50a的板中的转接部4侧的侧面板形成的开口将气氛调整气体沿着大致水平方向向第2输送空间50a内吹出。由此，形成在第2输送空间50a内向x正方向流动的气氛调整气体的侧流。

在包围第2输送空间50a的板的与转接部4相反的一侧的侧面板设置有用于从第2输送空间50a排出气氛调整气体的排气口53a。也可以在排气口53a的附近设置用于促进气氛调整气体从第2输送空间50a排出的风扇54a。上侧的第2输送空间50a的排气口53a和下侧的第2输送空间50b的排气口53与一个排气管道55连接。

如图1和图2所示，在第2输送空间50a、50b的与转接部4相反的一侧的端部分别设置有维护门56a、56b。通过打开维护门56a，作业者能够进入第2输送空间50a而进行第2基板输送装置51a的维护等。在维护门56a设置有电磁锁57。维护门56b具有与维护门56a同样的结构和功能。

气氛调整气体也从第2输送空间50a内向第2基板输送装置51a引进，以便排出该第2基板输送装置51a的表面和内部的灰尘、微粒等。用于将该气氛调整气体从第2基板输送装置51a排出的排气管道58a穿过转接部4的内部而延伸到该基板处理系统1的外壳的底板的下方。

关于上述的点，第2基板输送装置51b和第2输送空间50b与第2基板输送装置51a和第2输送空间50a相同，具有同样的排气管道58b。也可以在排气管道58a、58b的下游端设置用于促进排气的抽吸风扇56。

第1输送空间33经由转接部4的上侧的交接单元4a的内部空间与上侧的第2输送空间50a始终连通，且经由转接部4的下侧的交接单元4b的内部空间与下侧的第2输送空间50b始终连通。也就是说，能够视作第1输送空间33、第2输送空间50a以及第2输送空间50b形成连续的一个输送空间。该连续的一个输送空间在基板处理系统1的通常运转时与设置有基板处理系统1的无尘室内的气氛始终隔离。此外，在第1输送部3的前表面板31的开口部打开时，也在开口部安装有容器c，因此，无尘室内的气氛不会进入上述输送空间(30、50a、50b)。上侧的第2输送空间50a与下侧的第2输送空间50b不直接连通，而是经由第1输送空间33连通。

在基板处理系统1的通常运转时，各处理单元60a的内部空间相对于第2输送空间50a隔离，另外，各处理单元60b的内部空间相对于第2输送空间50b隔离(除了为了基板的输入输出而使开闭器71打开着时之外)。另外，在基板处理系统1的通常运转时，各处理单元60a、60b的内部空间相对于设置有基板处理系统1的无尘室内的气氛隔离。

接着，对向第1输送空间33、第2输送空间50a、50b以及处理单元60供给气氛调整气体的气体供给/循环系统进行说明。

在本说明书中，气氛调整气体是指利用向空间供给该气氛调整气体而使该空间的气氛能够有别于无尘室内的清洁空气气氛(洁净空气气氛)的任意的气体。气氛调整气体是例如非活性气体、具体而言是氮气。通过向输送空间30、50a、50b或处理单元60的内部空间供给氮气，能够将这些内部空间设为氧浓度比无尘室内的清洁空气氧浓度低、且湿度比无尘室内的清洁空气的湿度低的气氛。气氛调整气体既可以是除了氮气以外的非活性气体，也可以是湿度比无尘室内的洁净空气的湿度低的干燥空气、或者二氧化碳气体等。

如图5所示，基板处理系统1的气体供给/循环系统具有气体供给排出机构80。在设置到气体供给排出机构80内的内部管路80l的下游端连接有气体供给管路81。气体供给管路81分支成第1分支供给管路811、第2分支供给管路812以及第3分支供给管路813。第1分支供给管路811与风机过滤单元34连接。第2分支供给管路812与风机过滤单元41a连接。第3分支供给管路813与风机过滤单元41b连接。

在第1输送空间33的排气口35连接有第1分支排气管路821。在第1基板输送装置32的排气口36连接有第2分支排气管路822。在与上侧的第2输送空间50a的排气口53a和下侧的第2输送空间50b的排气口53b相连的排气管道55连接有第3分支排气管路823。在第2基板输送装置51a、51b的排气管道58a、58b连接有第4分支排气管路824。第1分支排气管路821～第4分支排气管路824汇合而成为排气管路82，与气体供给排出机构80内的内部管路80l的上游端连接。

循环路径由内部管路80l、气体供给管路81、第1分支供给管路811～第3分支供给管路813、第1分支排气管路821～第4分支排气管路824、排气管路82形成，气氛调整气体循环的循环系统由该循环路径和输送空间33、50a、50b形成。

也可以在第1分支供给管路811、第2分支供给管路812、第3分支供给管路813以及第1分支排气管路821～第4分支排气管路824的一部分设置调节阀(未图示)。由此，能够对在各输送空间33、50a、50b内流动的气体流量的平衡、各输送空间33、50a、50b的内压的平衡等进行调节。气体流量和内压的平衡也能够通过对附设于各输送空间33、50a、50b的风机过滤单元34、41a、41b的风扇的转速进行调整来进行调整。也就是说，上述的未图示的调节阀和风扇作为压力调整设备发挥功能。

优选第2输送空间50a(50b)的压力比面对该第2输送空间50a(50b)的处理单元60a(60b)的压力稍高。通过这样设置，能够防止由于化学品从处理单元60a(60b)向第2输送空间50a(50b)流入而使第2输送空间50a(50b)被污染。

在气体供给排出机构80的内部管路80l连接有与氮气供给源801(n2)连接起来的氮气供给管801a和与洁净空气供给源802(air)连接起来的空气供给管(循环系统通气路径)802a。氮气供给源801是作为设置到半导体制造工厂的工厂能源而提供的。洁净空气供给源802既可以是作为设置到半导体制造工厂的工厂能源而提供的，也可以是在无尘室内开口的洁净空气的吸入口。在氮气供给管801a和空气供给管802a分别连接有开闭阀801b、802b。

气体供给排出机构80具有夹设到内部管路80l的鼓风机803，能够将流入到鼓风机803的气体提高压力而向下游侧送出。在气体供给排出机构80的内部管路80l连接有与工厂排气系统连接起来的排气管804。在排气管804设置有调节阀804a。

由上述的内部管路80l、气体供给管路81、排气管路82(包括从这些管路81、82分支的分支管路)以及、气体供给排出机构80和上述的输送空间33、50a、50b构成气氛调整气体(或者作为吹扫气体的洁净空气)循环的循环系统。

利用与上述循环系统独立的系统向处理单元60a、60b供给气氛调整气体(或者作为吹扫气体的洁净空气)。在氮气供给管道76a、76b连接有氮气供给源801，在空气供给管道78a、78b连接有洁净空气供给源802，能够将氮气和洁净空气向各处理单元60a、60b分配。

如图4和图5所示，能够利用附设到各处理单元60a、60b的开闭阀66v、69v向各处理单元60a、60b择一地供给气氛调整气体或洁净空气。各处理单元60a、60b的排气路径67与排气管道79a、79b连接，能够将位于各处理单元60a、60b内的气体经由排气路径67和排气管道79a、79b向工厂排气系统排出。

基板处理系统1具备控制装置100。控制装置100是例如计算机，具备控制部101和存储部102。在存储部102储存有对要在基板处理系统1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部101通过将存储到存储部102的程序读出而执行，来对基板处理系统1的动作进行控制。

此外，该程序可以是记录于能够由计算机读取的存储介质，也可以是从该存储介质安装到控制装置100的存储部102。作为能够由计算机读取的存储介质，存在例如硬盘(hd)、软盘(fd)、光盘(cd)、磁光盘(mo)以及存储卡等。

以下，对基板处理系统1的动作进行说明。

在基板处理系统1中，首先，第1基板输送装置32从载置到容器载置部20上的容器c取出基板w，将基板w载置于交接单元4a(或4b)。第2基板输送装置51a(或51b)将基板w向处理单元60a(或60b)输入，在处理单元60a(或60b)内对基板w实施预定的液处理。处理完毕的基板w被第2基板输送装置51a(或51b)从处理单元60a(或60b)输出，并载置于交接单元4a(或4b)。之后，第1基板输送装置32使载置到交接单元4a(或4b)的基板w返回原来的容器c。

在基板处理系统1的开机(日语：立ち上げ)之际，打开开闭阀801b使氮气从氮气供给源801向气体供给排出机构80供给，气体供给排出机构80利用鼓风机803将氮气向气体供给管路81送出。由此，利用风机过滤单元34在第1输送空间33形成氮气的下降流，并且，利用风机过滤单元41a、41b在第2输送空间50a、50b形成氮气的侧流。在氮气供给前存在于输送空间33、50a、50b的空气被氮气迫出，经由第1分支排气管路821～第4分支排气管路824和排气管路82向气体供给排出机构80流入。流入到气体供给排出机构80的空气经由排气管804向工厂排气系统排出。由此，使存在于由输送空间33、50a、50b以及气体供给管路81和排气管路82等构成的循环系统内的空气置换成氮气。此外，为了效率良好地进行该置换，也可以在气体供给排出机构80的内部管路80l的部分805(参照图5)设置防止从氮气供给源801供给的氮气向排气管路82侧倒流的止回阀或者开闭阀(未图示)。

在循环系统内的气氛被置换成氮气之后，鼓风机803还继续被驱动，氮气在上述的循环系统内流动。在如此使氮气循环的情况下，与将向输送空间33、50a、50b供给的氮气设为一次性的情况相比较，能够大幅度地削减氮气的使用量。

此外，若大量的氮气向基板处理系统1的周围泄漏，则危险有可能波及人体，因此，也可以在基板处理系统1的周围设置氧浓度传感器而对基板处理系统1的周围的氧浓度进行监视。

另一方面，在各处理单元60a、60b中，也在开闭阀69v关闭的状态下，使开闭阀66v打开，由此，使氮气从氮气供给源801向各处理单元60a、60b供给，各处理单元60a、60b内的空气被置换成氮气。

循环系统和各处理单元60a、60b内一被置换成氮气气氛，就能够进行上述的来自容器c的基板w的输送和处理。向氮气气氛的置换的完成能够利用设置到第1输送空间33内的氧浓度传感器s1、设置到第2输送空间50a内的氧浓度传感器s2、设置到第2输送空间50a内的氧浓度传感器s3、设置到各处理单元60a、60b内的氧浓度传感器s4进行确认。

此外，为了对氮气在循环系统内可靠地循环的情况进行确认，也可以在第1分支供给管路811～第3分支供给管路813和第1分支排气管路821～第4分支排气管路824中的至少几个上设置压力计。

在作业者或操作者为了维护而进入输送空间33、50a、50b内的情况下，输送空间33、50a、50b内的氧浓度必须成为恰当的值，以便不由于吸入低氧浓度的气体而对人体产生伤害。

若通过作业者利用操作钥匙(未图示)对锁芯38进行操作，使第1输送空间33和第2输送空间50a、50b的状态转向维护模式，则全部的基板输送装置(第1基板输送装置32、第2基板输送装置51a、51b)的动作停止。另外，使开闭阀801b关闭，并且使开闭阀802b打开，由此，从作为吹扫气体的洁净空气的供给源802向气体供给排出机构80的内部管路80l供给洁净空气，并且使气体从排气管804排出。由此，存在于循环系统的氮气被置换成洁净空气。若由氧浓度传感器s1～s3检测到的氧浓度成为对人体安全的氧浓度、例如检测出19.5％以上的情况，则作为各维护门37、56a、56b的锁定机构的电磁锁39、57的锁定被解除。由此，作业者打开维护门37、56a、56b而能够进入输送空间33、50a、50b内。该电磁锁39、57的上锁/解锁控制既可以由独立的安全装置进行，也可以由设置到控制部100的安全装置功能进行。

此外，在该情况下，处理单元60a、60b内也可以维持氮气气氛的原样。

在要对具有多个的处理单元60a、60b的一部分、例如一个处理单元60a进行维护时，对设置到该处理单元60a的维护门72的锁芯73进行操作，将该处理单元60a的状态设为维护模式。于是，该处理单元60a在保持此时的状态下直接停止。使开闭阀66v关闭，并且使开闭阀69v打开，由此，另外，使氮气向处理单元60a内的供给停止，且使洁净空气的供给开始。在利用氧浓度传感器s4检测出该处理单元60a内的氧浓度成为对人体安全的氧浓度的情况时，该处理单元60a的电磁锁74的锁定被解除，能够打开维护门72。该电磁锁74的上锁/解锁控制既可以由独立的安全装置进行，也可以由设置到控制部100的安全装置功能进行。

打开具有多个的处理单元60a、60b的仅一部分的维护门72的操作能够在继续进行输送空间33、50a、50b内的基板w的输送的状态下直接进行。

根据上述实施方式，通过再利用为了气氛调整而供给到输送空间33、50a、50b的氮气，能够削减氮气的耗费量，降低基板处理系统的维护成本。

另外，根据上述实施方式，基于所检测的氧浓度进行维护门的开闭许可，因此，能够确保作业者的安全。

此外，在上述实施方式中，经由风机过滤单元34、41a、41b向第1输送空间33、上侧的第2输送空间50a以及下侧的第2输送空间50b供给气氛调整气体，但并不限定于此。例如，气体供给排出机构80只要具有足够形成输送空间33、50a、50b内所需要的气氛调整气体的流动的驱动力(风量、风压)，就也可以使用不具有风扇的过滤器单元来替代风机过滤单元34、41a、41b。

另外，在上述实施方式(以下，为了区别，也称为“第1实施方式”)中，设置到基板处理系统1的全部的输送空间(33、50a、50b)和与这些输送空间连接起来的管路(81、82、80l、811、812、821、822、823，824)形成了单一循环系统，但并不限定于此。例如，也可以如图6所示的第2实施方式那样使由第1输送空间33和与第1输送空间33连接起来的管路81n、82n、811构成的循环系统(以下，称为“第1循环系统”)与上述的单一循环系统分离。在该情况下，设置有第1循环系统专用的气体供给排出机构80n。气体供给排出机构80n的结构与图6的右侧所示的气体供给排出机构80的结构相同为佳。在该情况下，基板处理系统1的第2循环系统由第2输送空间50a、50b和与第2输送空间50a、50b连接起来的管路(81、82、80l、812、823、824)以及气体供给排出机构80构成。在图6所示的第2实施方式中，与设置到第1实施方式的构成要素相同的构成要素标注同一附图标记而省略重复说明。

图6所示的第2实施方式存在下述的优点。通过将基板处理系统1的循环系统分割成第1循环系统和第2循环系统而使每一个循环系统的气体流量减少，能够缩小气体流路(管道、管等)的最大截面积。由此，能够防止或抑制基板处理系统1的整体的尺寸的增大。在使用了图5所示这样的单一循环系统的情况下，为了将单位时间的气体循环流量(单位是例如m³/min)维持得足够大，同时减少压力损失，需要使例如气体供给管路81的截面积相当大。

另外，在处理单元60a(60b)的开闭器71打开后，第2输送空间50a(50b)与处理单元60a(60b)的内部空间连通。因此，处理单元60a(60b)内部的气氛(例如化学品气氛)有可能向第2输送空间50a(50b)内流出，污染第2输送空间50a(50b)。在存在将第2输送空间50a(50b)的气氛中的化学品浓度抑制到预定的阈值以下的要求的情况下，必须提高现有的气氛的经由排气管804的排出量和来自氮气供给源801的新的气氛调整气体的供给量。另一方面，第1输送空间33被从外部进入来的物质污染的可能性低。因此，能够将来自第1循环系统的气体的排出量和新的氮气向第1循环系统的的供给量抑制得低。也就是说，根据要求条件，与基板处理系统1具有单一循环系统的情况相比较，能够将氮气的供给量抑制得低。另外，根据要求条件，与基板处理系统1具有单一循环系统的情况相比较，也能够削减风扇、鼓风机类(34、35a、36a、54a、54b、56)的电能耗费。

另外，通过使用单独的循环系统(第1循环系统、第2循环系统)来对第1输送空间33和第2输送空间50a、50b进行气氛调整，能够将两输送空间调整成单独的气氛。也能够灵活地应对要仅使例如第2输送空间50a、50b特别设为低氧浓度等要求。

参照图7说明与第2实施方式同样地使用单独的循环系统(第1循环系统、第2循环系统)来对第1输送空间和第2输送空间进行气氛调整的另一实施方式(第3实施方式)。在图7所示的第3实施方式中，对与设置到第1实施方式和第2实施方式的构成要素相同的构成要素标注同一附图标记而省略重复说明。

在第3实施方式中，在第1实施方式和第2实施方式中被分割成上下分隔开的两个空间(第2输送空间50a、50b)的输送空间由单一空间50c(第2输送空间50c)构成。第2输送空间50c面对全部的处理单元16。在第2输送空间50c内设置有能够与全部的处理单元16之间进行基板w的交接的单一的第2基板输送装置51c。在第3实施方式中，第1输送空间33和其中的第1基板输送装置32的结构与之前先进行了说明的第1实施方式和第2实施方式相同为佳。在第3实施方式中，在第1输送空间33与第2输送空间50c之间设置有一个交接单元4c。也可以在第1输送空间33与第2输送空间50c之间设置有未处理基板专用的交接单元和处理完毕基板专用的交接单元。

相对于图6所示的第2实施方式的第1循环系统，图7所示的第3实施方式的第1循环系统的以下的点不同。分支路径811b从循环管线(管路81n、811、821、82n)分支而再次返回循环管线，该循环管线(管路81n、811、821、82n)从气体供给排出机构80n出发而返回气体供给排出机构80。在分支路径811b夹设有交接单元4c。在交接单元4c的顶部设置有风机过滤单元34b1。在交接单元4c的底床部设置有抽吸风扇34b2。风机过滤单元34b1在对从分支路径811b流入来的气氛调整气体进行了过滤之后，朝下向交接单元4c的内部空间吹出。抽吸风扇34b2对交接单元4c的内部空间的气氛进行抽吸，向分支路径811b送出。也就是说，在分支路径811b流动的气体被风机过滤单元34b1和抽吸风扇34b2驱动。

相对于图6所示的第2实施方式的第2循环系统，图7所示的第3实施方式的第2循环系统的以下的点不同。在第2输送空间50c内不是形成侧流，而是形成下降流。也就是说，在基板处理系统1的外壳中的划分形成第2输送空间50c的部分(由多个板构成的)的顶部设置有风机过滤单元41c，在底床部设置有抽吸风扇54c。风机过滤单元41c在对从第2循环系统的循环管线(管路812)流入来的气氛调整气体进行了过滤之后，朝下向第2输送空间50c吹出。抽吸风扇54c对第2输送空间50c的气氛进行抽吸，向第2循环系统的循环管线(管路823)送出。也就是说，在构成第2循环系统的管路(81、812、823，82等)流动的气体被风机过滤单元41c和抽吸风扇54c驱动。

根据上述的第3实施方式，获得与第2实施方式大致同样的优点。

此外，通过对向各空间压入气体的力(由于例如风机过滤单元34、34b1、41c的转速而变化)和从各空间抽吸气体的力(由于例如抽吸风扇35a、34b2、54c的转速而变化)的平衡进行调节，能够控制第1输送空间33、第2输送空间50c以及交接单元4c的内部空间各自的内压。优选将交接单元4c的内部空间内的压力设定得比第1输送空间33内的压力高、且设定得比第2输送空间50c内的压力高。交接单元4c是在从容器c取出到返回容器c的期间内基板w最长时间滞留的可能性高的场所。通过使第2输送空间50c内的压力最高，能够大幅度地降低灰尘等漂浮物向被置于交接单元4c的基板w附着的可能性。

此外，在全部第1实施方式～第3实施方式中，只要风机过滤单元、抽吸风扇等能够使足够在循环系统内形成循环流的气体的驱动力产生，就也可以省略气体供给排出机构80内的鼓风机803。

在本说明书所公开的全部的实施方式中，相互连接起来的第1输送空间(33)、第2输送空间(50a、50b、50c)以及交接单元(4a、4b、4c)的内部空间能够视作一个输送空间。另外，在该情况下，能够将第1输送空间视作上述输送空间中的第1输送区域(33)，将第2输送空间视作上述输送空间中的第2输送区域(50a、50b、50c)，将交接单元(4a、4b、4c)的内部空间视作上述输送空间中的连接区域、也就是将第1输送区域(33)和第2输送区域(50a、50b、50c)连接的区域。另外，能够将设置到基板处理系统1的循环路径中的、与第1输送区域(33)连接而其自身构成循环路径的部分视作第1循环路径部分，将与第2输送区域(50a、50b、50c)连接而其自身构成循环路径的部分视作第2循环路径部分。

气氛调整气体既可以是除了氮气以外非活性气体，也可以是湿度比无尘室内的洁净空气的湿度低的干燥空气、或者二氧化碳气体等。

气体供给排出机构80既可以设置于基板处理系统1的外壳的内部，也可以设置于外部。

在上述实施方式中，处理单元60是具备喷嘴64和杯体65的液处理单元，但并不限于此，处理单元60也可以是使用例如超临界流体来进行基板的干燥处理的干燥处理单元、或者进行表面改性处理的表面处理单元。

在基板处理系统1中处理的基板w并不限定于半导体晶圆，也可以是玻璃基板、陶瓷基板等用于制造半导体装置的各种各样的基板。

应该认为此次公开的实施方式在全部的点都是例示，并非限制性的。上述的实施方式不脱离所附的权利要求书及其主旨，就也可以以各种形态省略、置换、变更。