1.一种半导体存储器件，包括：
衬底，包括其上设置存储单元的单元区域和其上设置导电图案的连接区域，所述导电图案电连接到所述存储单元；
第一字线堆叠，包括堆叠在所述单元区域中的所述衬底上并且延伸到所述连接区域的多个第一字线；
第二字线堆叠，包括堆叠在所述单元区域中的所述衬底上并且延伸到所述连接区域的多个第二字线，所述第二字线堆叠与所述第一字线堆叠相邻；
垂直沟道，设置在所述衬底的所述单元区域上，所述垂直沟道连接到所述衬底并且分别与所述多个第一字线和所述多个第二字线联接；
桥，将所述第一字线堆叠中的所述多个第一字线之一连接到所述第二字线堆叠的对应字线；以及
第一图案，形成在第一地选择线(gsl)与第二地选择线之间，
其中所述第一图案和所述桥在俯视图中交叠，以及
其中所述第一图案包括在水平方向上与所述第一地选择线和所述第二地选择线中的至少一个间隔开的子图案。
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述子图案在所述水平方向上与所述第一地选择线和所述第二地选择线中的两者间隔开。
3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中所述子图案的侧表面由第一绝缘体围绕。
4.根据权利要求3所述的半导体存储器件，其中围绕所述子图案的所述侧表面的所述第一绝缘体包括通过原子层沉积(ald)形成的层。
5.根据权利要求3所述的半导体存储器件，其中所述第一绝缘体沿着所述第一图案的最外部分延伸。
6.根据权利要求3所述的半导体存储器件，其中所述第一图案包括沿相同方向延伸的两个或更多个子图案。
7.根据权利要求3所述的半导体存储器件，其中所述第一地选择线和所述第二地选择线的上表面被与所述第一绝缘体相同的材料至少部分地涂覆。
8.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述子图案的宽度窄于所述第一地选择线和所述第二地选择线的宽度。
9.根据权利要求8所述的半导体存储器件，其中所述子图案的侧表面由第一绝缘体围绕，以及
其中所述第一绝缘体具有基本平坦的上表面。
10.一种半导体器件，包括：
第一导电图案和第二导电图案，在半导体衬底上平行于第一方向延伸，所述第一导电图案具有第一宽度，所述第二导电图案具有第二宽度；
第一图案，在俯视图中形成在所述第一导电图案与所述第二导电图案之间；
第一绝缘层，形成在所述第一导电图案和所述第二导电图案上；以及
第二绝缘层，形成在所述第一绝缘层上，
其中所述第一图案包括：
子图案，具有与所述第一导电图案和所述第二导电图案的材料不同的导电材料；和
第一绝缘体，接触所述子图案的侧表面，
其中所述子图案具有比相应的所述第一导电图案和所述第二导电图案的所述第一宽度和所述第二宽度窄的宽度。
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述第一绝缘体与所述第一绝缘层一体地形成。
12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述第一绝缘体和所述第一绝缘层是通过原子层沉积(ald)形成的绝缘层。
13.根据权利要求10所述的半导体器件，其中在所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间存在不连续表面，并且在所述第一绝缘体与所述第一绝缘层之间不存在不连续表面。
14.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述子图案与所述第一导电图案电绝缘。
15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中所述第一图案包括沿相同方向延伸的两个或更多个子图案，并且所述第一绝缘体的一部分在所述两个或更多个子图案之间。
16.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述第一图案形成在与所述第一导电图案的垂直高度相等的垂直高度处，以及
其中所述第一绝缘体在俯视图中围绕所述子图案。
17.根据权利要求16所述的半导体器件，其中所述第一图案包括多个岛图案，所述多个岛图案的每个由所述第一绝缘体围绕。
18.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述第一导电图案和所述第二导电图案形成在相同的垂直高度处，
其中所述第一导电图案和所述第二导电图案通过隔离区域彼此分离，以及
所述隔离区域与所述第一图案相接。
19.根据权利要求18所述的半导体器件，其中所述第一导电图案包括第一凹陷部分，所述第一凹陷部分与所述第一图案的至少三个侧表面接触，以及
所述第二导电图案包括第二凹陷部分，所述第二凹陷部分与所述第一图案的至少三个侧表面接触。
20.一种半导体器件，包括：
第一水平电极，在半导体衬底上沿第一方向延伸；
第二水平电极，沿所述第一方向延伸，并且在所述半导体衬底上方与所述第一水平电极相同的垂直高度处与所述第一水平电极间隔开；
第一图案，布置在所述第一水平电极与所述第二水平电极之间，以使所述第一水平电极与所述第二水平电极电绝缘；以及
导体和绝缘体，堆叠在所述第一水平电极、所述第二水平电极和所述第一图案上，
其中所述第一图案包括彼此间隔开的多个子图案，
其中所述子图案与所述第一水平电极和所述第二水平电极间隔开，以及
其中所述多个子图案中的相邻子图案之间的间隔距离以及所述子图案与所述水平电极之间的相应间隔距离为约3nm至约100nm。