技术总结
一种半导体存储器件包括：衬底，包括其上设置存储单元的单元区域和其上设置导电图案的连接区域，导电图案电连接到存储单元；第一字线堆叠，包括堆叠在单元区域中的衬底上并延伸到连接区域的多个第一字线；第二字线堆叠，包括堆叠在单元区域中的衬底上并延伸到连接区域的多个第二字线，第二字线堆叠与第一字线堆叠相邻；垂直沟道，设置在衬底的单元区域上，垂直沟道连接到衬底并分别与所述多个第一字线和所述多个第二字线联接；桥，将第一字线堆叠中的所述多个第一字线之一连接到第二字线堆叠的对应字线。
技术研发人员：白石千
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2019.07.16
技术公布日：2020.01.24