1.一种垂直结构LED芯片，其特征在于，包括背面金属层、设于背面金属层上的第二衬底、键合层、刻蚀阻挡层、反射层、电流扩散层、外延层、绝缘层和电极层，所述第二衬底设有凹部和凸部，凸部的表面高于凹部的表面，所述键合层包括中心键合层和边缘键合层，所述中心键合层设置在第二衬底的凹部，所述边缘键合层设置在第二衬底的凸部，刻蚀阻挡层和绝缘层依次设置在边缘键合层上，刻蚀阻挡层、反射层、电流扩散层、外延层、绝缘层和电极层依次设置在中心键合层上，所述电极层贯穿所述绝缘层与外延层连接。
2.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述中心键合层的厚度等于边缘键合层的厚度。
3.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述中心键合层和边缘键合层的结构为Cr/Ti/Pt/Au、Cr/Ti/Pt/Sn或Au/Sn/Pt/Sn。
4.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述中心键合层和边缘键合层的厚度为0.4-4μm。
5.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述凸部的宽度为5-50μm。
6.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，背面金属层的结构为Cr/Pt/Au、Au/Pt/Au或Ni/Cr/Ti。
7.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，刻蚀阻挡层的结构为Cr/TiW或Cr/Pt/Au。
8.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，反射层由Ag或Al制成，厚度为100-700nm，反射率为80-98％。