技术总结
本实用新型公开了一种垂直结构LED芯片，包括背面金属层、设于背面金属层上的第二衬底、键合层、刻蚀阻挡层、反射层、电流扩散层、外延层、绝缘层和电极层，所述第二衬底设有凹部和凸部，凸部的表面高于凹部的表面，所述键合层包括中心键合层和边缘键合层，所述中心键合层设置在第二衬底的凹部，所述边缘键合层设置在第二衬底的凸部，刻蚀阻挡层和绝缘层依次设置在边缘键合层上，刻蚀阻挡层、反射层、电流扩散层、外延层、绝缘层和电极层依次设置在中心键合层上，所述电极层贯穿所述绝缘层与外延层连接。本实用新型的芯片，翘曲度低，良率和稳定性高。
技术研发人员：颜才满;徐亮;李宗涛;丁鑫锐;郑洪仿;黄经发
受保护的技术使用者：佛山市国星半导体技术有限公司
技术研发日：2019.01.03
技术公布日：2019.08.20