1.一种半导体存储装置，其特征在于，包括：
第一存储芯片，所述第一存储芯片内形成有第一存储阵列和外围电路，所述外围电路包括第一电路、至少部分第二电路以及共用电路；
第二存储芯片，所述第二存储芯片内形成有第二存储阵列；
所述第一电路用于控制所述第一存储阵列，所述第二电路用于控制所述的第二存储阵列，所述第一电路与所述第一存储阵列连接，所述第二电路与所述第二存储阵列连接，所述共用电路连接所述第一电路和第二电路；
所述第二存储芯片的正面堆叠于所述第一存储芯片表面，所述第二存储芯片的正面形成有第二导电凸块，通过所述第二导电凸块与所述第一存储芯片之间形成电连接。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第二存储芯片的正面朝向所述第一存储芯片的正面；所述第一存储芯片的正面形成有第一导电凸块，所述第一导电凸块与所述第二导电凸块形成电连接。
3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第二存储芯片的正面朝向所述第一存储芯片的正面；所述第一存储芯片的正面形成有焊垫，所述第一存储芯片内形成有贯穿所述第一存储芯片的导电柱，所述焊垫和所述导电柱上形成有第一导电凸块；所述第二存储芯片正面的第二导电凸块通过所述第一导电凸块与所述第一存储芯片形成电连接。
4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第二存储芯片的正面朝向所述第一存储芯片的背面，所述第一存储芯片内形成有贯穿所述第一存储芯片的导电柱，所述第一存储芯片的背面上形成有连接所述导电柱的第一导电凸块；所述第二存储芯片正面的第二导电凸块通过所述第一导电凸块与所述第一存储芯片形成电连接。
5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，还包括基板，所述基板上形成有i/o接口电路；所述外围电路与所述基板的i/o接口电路之间形成电连接。
6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其特征在于，所述外围电路形成于所述第一存储芯片的边缘区域，并且通过键合引线与所述基板的i/o接口电路之间形成电连接。
7.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第一存储芯片远离所述第二存储芯片的表面形成有第三导电凸块；所述第三导电凸块与所述基板的i/o接口电路形成电连接。
8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第一存储阵列为易失性存储阵列，所述第二存储阵列为非易失性存储阵列。