1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：
芯片，具有相对设置的第一表面和第二表面以及侧面，所述第一表面为所述芯片的功能面；
绝缘层，设于所述第二表面并包覆于所述第二表面；以及
电磁屏蔽罩，包覆于所述绝缘层和所述芯片的侧面。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘层设于所述第二表面和所述芯片的侧面并包覆于所述第二表面和所述芯片的侧面。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘层被配置为由所述芯片自身包含的硅经氧化反应而形成，所述绝缘层的材质包含二氧化硅。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘层被配置为由绝缘材料沉积于所述芯片的第二表面和侧面而形成。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
基板，具有相对设置的第三表面和第四表面，所述芯片以其第一表面固定于所述基板的第四表面；以及
底部填充层，设于所述基板与所述芯片之间，所述底部填充层包覆所述芯片的部分侧面和所述基板的第四表面的未被所述芯片遮盖的部分区域；
其中，所述电磁屏蔽罩还设于所述底部填充层的露出于所述基板与所述芯片之间的部分。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述电磁屏蔽罩还设于所述基板的第四表面的未被所述底部填充层覆盖的部分，所述第四表面的未被所述底部填充层覆盖的该部分无电路走线而形成无讯号电路区。
7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
多个凸点，设于所述芯片的第一表面上，并被配置为使所述芯片通过所述凸点电连接于所述基板；
其中，所述底部填充层还填充于所述基板与所述芯片之间的未设置所述凸点的空间中。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
基板，具有相对设置的第三表面和第四表面，所述芯片以其第一表面固定于所述基板的第四表面；以及
塑封层，包覆于所述芯片的第二表面和侧面以及所述基板的第四表面的未被所述芯片覆盖的部分，所述塑封层位于所述电磁屏蔽罩的相对所述芯片的外侧。
9.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求1～8任一项所述的半导体结构。